 |
б) профилирования симметричной установкой АА, MN B1B с двойными разносами
|
|
|
|
б) профилирования симметричной установкой АА, MN B1B с двойными разносами
Симметричная установка с двойными разносами отличается от установки АMNB наличием второй пары питающих заземлений А1 и В1 распооженных также симметрично относительно центра. Вторая пара питающих заземлений позволяет проводить на каждый точке два замера Sк и получать одновременно два графика Sк вдоль профиля. Поскольку с изменением разносов питающей линии меняется глубина проникновения тока в землю два графика Sк вдоль профиля характеризует геологический разрез на разных глубинах.
Sк 
Sк
A1B1
AMNB 
AB
 |
A, MNB, 
. A. A1 . M. N. B1 . B . A. A1. M. N. B1. B
S1
S1 
S2
S2
S2 
S1
S2 S1
На рисунке изображены два разреза: на одном синклиналь сложенная хорошо проводящими породами, на других антиклиналь с низкоомными породами в ядре. Над разрезами помещены графики электропрофилирование установкой AMNB.
|
|
|
В обоих случаях графики одинаковы. Вследствие этого при решении обратной задачи получается неодназначность решения, т. е. нельзя ответить на вопрос, какой геологической структуре отвечают полученные графики.
Если провести электропроффилирование с двумя разносами, то графики над синклиналью и антиклиналью будут разными.
Дипольное профилирование
Рассмотренные модификации электропрофиирования основаны на изучении полей точечных источников. Особенность дипольного профилирования заключается в том, что в этом случае изучается поля диполя.
При дипольном профилировании могут использоваться установки разных типов. Часто применяют дипольно-осевую. В этой установке питающий и приемный диполи лежат на одной прямой, обычно совпадающей с направлением профиля.
Основное преимущество дипольного профилирования перед другими модификациями состоит в том, что графике Sк полученные при дипольном профилировании более дифференцированы, благодаря чему можно более уверенно обнаруживать изучаемые геологические объекты. Это связана с тем. Что потенциал поля диполя убывает обратно пропорционально квадрату расстоянию, а напряженность кубу расстояния. Поэтому поле дипольных источников более резко реагирует на вертикальные неоднородности геоэлектрического разреза.
AMNB
 |
AA1MN
На рисунке в качестве примера изображены графики Sк для электропрофилирования симметричной установкой AMNB и AA1MN электросопротивления S1 в 50 раз больше S2. Сравнивая графики можно сказать, что амплитуда колебаний Sк для симметричной установки меньше чем для дипольной. Это означает что дипольной установкой можно более уверено выделить контакт двух сред при меньших различиях в электрических значениях S1 и S2.
|
|
|
Часто используется установка двустороннего электрофилирования, у котрой в отличии от односторонней установки по обе стороны приемного диполя MN на равных расстояниях расположены два питающих диполя АА1 ВВ1
Двустороннее дипольно-осевые профилирование может быть применено для поисков крутопадающих хорошо проводящих тел.
При дипольном профилировании расстояние AA1 и BB1 должно быть больше в несколько раз(2-3) расстояния диполя MN
Круговое профилирование
При инженерно-геологических и гидрогеологических исследованиях часто возникает необходимость определения господствующего направления трещиноватости. Возможность решения этой задачи электрическими методами основана на том, что трещиноватые горные породы при наличии явно выраженного господствующего направления трещин обладают электрической анизотропией.
Удельное сопротивление таких пород в направление трещиноватости как правило меньше удельного сопротивление в крест трещиноватости.
Если же на земной поверхности над такими анизотропными пародами определить Sк установкой ориентированной в крест трещиноватости, то его значение окажется меньшим, чем при измерении установкой ориентированной по направлению трещиноватости. Это явление известно под названием парадокса анизотропии.
Объясняется данное явление тем, что в анизотропной среде электрический ток, так же как и в изотропной распространяется по радиальным прямым выходящим из точечного источника. Однако, плотность его в направлении лучшей проводимости по трещиноватости будет больше чес в перпендикулярном направлении. Увеличение плотности тока ведет к росту разности потенциалов в MN. Отсюда Sк по тещиноватости будет выше, чем в поперечном направлении.
Для решение подобных задач при опрделении направление фильтрации применяют круговое профилирование.
|
|
|
|
|
|
