Главная | Обратная связь | Поможем написать вашу работу!

Теоретическое введение

Как показывают многочисленные исследования, свойства тонкой пленки могут сильно отличаться от свойств массивного материала, особенно если толщина пленки очень мала. Эти "аномальные" свойства обусловлены спецификой структуры пленки, которая, в свою очередь, обусловлена процессами, происходящими во время образования пленки.

Конденсация пленки начинается с соединения нескольких адсорбированных атомов в небольшие скопления, которые называют зародышевыми образованиями или зародышами. Процесс их образования называют зародышеобразованием.

Во всех теориях зародышеобразования первым этапом является столкновение молекул пара с подложкой, после чего они могут адсорбироваться на подложке, а через конечный промежуток временипосле адсорбции снова испариться, и наконец, могут мгновенно отразиться от подложки.

Время пребывания атомов в адсорбированном состоянии определяется соотношением.

(1)

где E_a – энергия адсорбции атома;

За время t₁ адсорбированный атом мигрирует по поверхности в среднем на длину диффузионного пробега l_g:

(2)

где K – коэффициент поверхностной диффузии

(3)

E_g – энергия активации перескоков адсорбированных атомов на расстояние a, t₀₀»t₀₁.

Находящиеся в адсорбированном состоянии подвижные атомы можно рассматривать как "двумерный пар", обладающий температурой. В результате столкновений атомы образуют комплексы, зародыши, благодаря чему уменьшается вероятность реиспарения атомов. Структура образующегося конденсированного слоя будет определяться в значительной степени числом зародышей и их взаимной ориентацией.

Согласно термодинамической теории зародышеобразования, предложенной Фольмером и Вебером, начальная стадия конденсации представляет собой процесс возникновения зародышей критического размера в условиях пересыщения пара. Образование крупных частиц термодинамически выгодно благодаря выигрышу в объемной свободной энергии DF_n. При достижении критического размера t^* дальнейший рост частицы сопровождается уменьшением полной свободной энергии. В стационарных условиях

(4)

где V – молекулярный объем;

P_н – давление насыщенного пара;

q – поверхностная энергия.

Соответствующая критическому размеру полная свободная энергия DF^* определяет вероятность образования критических зародышей и соответственно их равновесную концентрацию:

где n – концентрация адсорбированных атомов.

Скорость образования зародышей описывается выражением

(6)

где m – масса атома,

d_c – коэффициент конденсации,

Z – неравновесный фактор, учитывающий рост и распад зародышей, размер которых близок к критическому. Сомножитель в квадратных скобках учитывает частоту соударений атомов в паре при давлении P.

Учет частоты столкновений атомов, определяемой их временем жизни (1) и диффузионным пробегом (2) приводит к следующему выражению для скорости образования зародышей

Где n – плотность молекулярного пучка,

c – постоянная, зависящая от природы конденсата и условий конденсации.

Результаты термодинамической теории качественно согласуются с экспериментально наблюдаемыми закономерностями. Однако вызывает сомнение допустимость использования таких микроскопических термодинамических параметров, как плотность и поверхностная энергия для описания свойств критических зародышей малого размера.

В рамках статистической (атомистической) теории процессы зарождения и роста частиц описываются на основании характеристик, межатомного взаимодействия. Вместо свободных энергий авторы этой теории вводят статистические суммы и потенциальные энергии и методами статистической физики рассматривают рост устойчивости зародыша по мере присоединения одиночных атомов. Для скорости образования зародышей получено выражение

(7)

где i – число атомов в зародыше критического размера;

n₀ – плотность мест адсорбции;

E_i –энергия диссоциации критического зародыша;

E_a – энергия адсорбции одного атома.

Как видим, формула (7), полученная для скорости образования зародышей в статической теории подобна выражению (6), полученному при термодинамическом описании.

Следует отметить, что получить количественные значения для энергии адсорбции, энергии образования критического зародыша, энергии активации поверхностной диффузии и т.д. из экспериментальных данных для скорости образования зародышей (см. формулы (6), (7)) не представляется возможным без привлечения дополнительных весьма произвольных предположений о размере критического зародыша или числе атомов в нем. Из теорий зародышеобразования следует, что процесс конденсации и структура образующейся пленки существенно зависят от температуры подложки, плотности падающего молекулярного пучка, характера взаимодействия осаждаемых атомов с подложкой, ее потенциальным рельефом и т.д.

Как показали исследования, при некоторых характерных температурах происходят качественные изменения механизма и кинетики образования тонких пленок, что приводит к резким изменениям структурных характеристик и физических свойств пленок. Конденсация молекулярного пучка на неориентирующвй подложке осуществляется лишь в том случае, если ее температура ниже некоторой критической температуры T_к. Эффект критической температуры конденсации легко объясним на основе представлений о зародышеобразовании из двумерного пара. В начальный период осаждения молекулярного пучка концентрация адсорбированных атомов быстро возрастает по закону.

достигая значения n_max= nt₁, причем с ростом температуры согласно (1) n_max убывает. Образование зародышей конденсата будет происходить в том случае, если n_max происходит превосходит поверхностную плотность n_н атомов в насыщенном двумерном паре. Следовательно, условие достижения насыщения двумерного пара ниже некоторой температуры определяет пороговую скорость образования зародышей. Можно увидеть (см. (6)), что у связь между плотностью молекулярного пучка n и критической температурой конденсации T_к должна иметь вид:

(8)

Энергия процесса Q имеет порядок теплоты испарения металла; коэффициент A~1/ a²t₀ и имеет порядок 10¹³¸10¹⁵А×С^-1. Зависимость критической температуры конденсации от плотности молекулярного пучка (8) была экспериментально подтверждена серий работ. Показано, что значение T_к для данного вещества и выбранной плотности потока n существенно зависит от физико-химических свойств подложки. Так, например, при конденсации молекулярного пучка висмута плотностью 10 А×С^-1получены следующие значения T_к на окисленном конденсате алюминия 255°, на стекле 340°, на ацетатном лаке 360°, на конденсате кварца 440°С.

Исследования процесса конденсации выявили наличие характерной температуры Т_е, при которой резко меняются структура и физические свойства тонких пленок. Показано, что Т_е является T>T_e процесс конденсации из двумерного пара проходит через жидкую фазу, тогда как при T<T_e конденсация твердой фазы протекает непосредственно из пара. Пленки, полученные при T<T_e состоят из ограниченных плоских кристаллов, а при T>T_e из сферических частиц. Возникающая при T>T_e жидкая фаза сохраняется тем больше, чем выше температура подложки. Значение T_e при конденсации на неориентированные подложки близко к значению 2/3T_s (T_s – температура плавления металла), для кристаллических подложек это значение оказалось несколько выше. Температура Т_е слабо зависит от плотности молекулярного пучка, но заметно изменяется при изменении рода подложки.

В ряде работ описана еще одна характерная температура T_m, при которой происходит изменение внешнего вида и структурных характеристик тонких пленок. С помощью рентгенографии установлено, что в конденсате, полученном при T<T_m размер кристаллов составляет значительно выше, чем при T>T_m (для меди ~10 мкм и ~ 1 мкм соответственно). Пленки, полученные при T<T_m обладают высоким уровнем упругих напряжений. В переходной области температур (20-30°) вблизи T_m обнаружены, провал микротвердости и снижение прочности пленок, а также увеличение плотности пленок и их адгезии. Установлено, что T_m=1/3T_s. Таким образом, при температуре T_m изменяются структурные характеристики конденсата, что влияет на механические и другие физические свойства пленок.

Отметим особенности структуры сплошных пленок в связи с условиями их деформирования.

1. При повышении температуры конденсации средний размер кристаллов в пленке увеличивается как результат уменьшения поверхностной плотности зародышей на начальной стадии, так и под влиянием коалесценции (слияния островков) и рекристаллизационных процессов.

2. С ростом толщины размер кристаллитов увеличивается, что является чаще всего следствием процесса конкурентного развития наиболее благоприятно ориентированных и быстро растущих кристаллитов, в других случаях следствием процесса рекристаллизации.

3. Часто границы кристаллитов вытянуты в направлении падающего молекулярного потока.

4. Ухудшение вакуумных условий, приводящее к загрязнению поверхности кристаллизации, приводит к уменьшению размера кристаллитов и снижению показателей структурного совершенства пленок.

5. Результатом того, что конденсат формируется путем росте кристаллитов из большого числа центров, является высокая плотность дефектов кристаллического строения преимущественно по границам кристаллитов.

6. Собственно кристаллиты в пленках обладают, как правило, совершенным строением.

7. В толстых пленках, полученных в условиях сильного переохлаждения, выявляются значительные неоднородные микродеформации.

8. Отжиг пленок, как правило, приводит к улучшению их структурных характеристик. Более эффективным часто является не отжиг сформированной пленки при некоторой температуре, а получение пленки при этой температуре, так как первичные (поверхностные) процессы при кристаллизации активируются легче, чем объемные процессы перестройки структуры.

9. Релаксационные процессы и эффективность отжига сильно зависят от чистоты конденсата. При загрязнении примесями увеличиваются степень несовершенства пленки и стабильность ее начальной структуры.

10. Для всех процессов определяющей является не истинная, а приведенная температура T/T_s (T_s температура плавления).

Экспериментальные исследования лучевой прочности диэлектрических пленок проводится по методике описанной ниже. Излучение неодимового лазера ГОС-301 (см.рис.1) с помощью объектива 2 (фокусное расстояние Ф = 50 см) и 3 (Ф = 10см) фокусируется на исследуемом покрытии 4 в пятно диаметром 8,0 мм. Средняя глубина модуляции импульса операции, регистрируемого с помощью ФЭК 14(5), должна составлять ~5%. Вход в квазинепрерывшй режим не имеет пичковых выбросов с амплитудой, превышающей огибающую гладкого импульса. Энергия в импульсе контролируется угольным калориметром 6 и поддерживается постоянной в пределах 10%. Интенсивность облучения изменяется с помощью набора комбинированных светофильтров 7. Появление световой вспышки (факела) перед облучаемой поверхностью на расстоянии 1-3 мм регистрируется с помощью ФЭУ-51(8). Тепловой поток облучаемого объекта регистрируется пирометром 9. В методе приемник экранируется от лазерного излучения при помощи германиевого светофильтра и интерференционного зеркала на l = 1,06 мкм на подложке из флюорита с коэффициентом отражения 99,6%. Это позволяет наблюдать тепловые процессы во время действия лазерного импульса. Тепловой сигнал вместе с импульсами генерации подаются на входы запоминающих осциллографов СФ-2 (10, II). Для экранировки ФЭУ от излучения ламп накачки на выходе генератора был установлен светофильтр из стекла KC-I9 (12) под углом 10° к оптической оси. За порог разрушения пленов принималось в указанной методике минимальное значение плотности мощности, при котором на поверхности исследуемого образца появляется световая искра и следы заметных разрушений при наблюдении покрытия в микроскоп.

Порядок выполнения

1. Получить пленки из тугоплавких оксидов: Al₂O₃, ZnO₂, SiO₂, TiO₂, HfO₂ на подложках из стекла К8 и кварца C5-I толщиной 0,25 мкм; 0,5 мкм; 0,75 мкм. Получить пленку из кремнийорганического полимера " Виксинт" на подложке из стекла К8 толщиной 2,5 мкм; 4 мкм; 8 мкм.

2. Включить лазер ГОС-301 согласно инструкции по эксплуатации; на оптической скамье закрепить фокусирующую линзу с f = 10 см; в фокальной плотности с помощью отпечатка на фотобумаге получить пятно минимальных размеров.

3. Закрепить в юстировочном столике поочередно пленки из указанных материалов на месте максимальной фокусировки. Установить лазер на минимальную выходную мощность.

Рис. 6 – Установка исследования лучевой прочности диэлектрических покрытий

1 – лазер ГОC-301; 2 – объектив, Ф=50 см; 3 – объектив, Ф = 10 см; 4 – исследуемое покрытие; 5 – ФЭК -14;

6 – угольный калориметр; 7 – полированные светофильтры; 8 – ФЭУ-51; 9 – Ge-Au пирометр; 10 – С8-2; 12 – светофильтр KC-I9.

4. Произвести моноимпульсную лазерную обработку пленки при минимальной выходной мощности. Передвинусь с помощью «котировочных болтов пленку в новое фиксированное положение и произвести моноимпульсную лазерную обработку при большей выходной мощности.

5. Наращивать выходную мощность лазера до тех пор, пока при моно импульсной обработке не появятся следы заметных разрушений пленки.

Контрольные вопросы

1. Конденсация, образование зародышей и рост тонких пленок.

2. Характерные температуры конденсации тонких пленок.

3. Формирование структуры тонких пленок.

4. Методика определения лучевой стойкости покрытий.

Литература

1. Лазнева Э.Ф. Лазерная десорбция.-Л: Издательство Ленинградского университета. 1990. 200 с.

2. Свечников М.Б. Лучевая прочность тонких слоев из двуокиси титана./ОМП.1963. W 2. С.39.

3. Введенский В.Д., Левина М.Д. Повышение прочности покрытий из фтористого магния./ОМП. 1983. J5. С.35.

4. Виноградский А.Ь., Моричев И.Е., Савинов В.Г. Некоторые особенности поглощения интенсивного излучения диэлектрическими
покрытиями. /ЖГФ, 1975, т.45. С.1452.

5. Технология тонких пленок. Под. ред. Л.Майссела, Р.Глэнга. Т.2.М., "Сов. радио”,1977, 768 с.

⇐ Предыдущая 2 3 4 5 678 9 10 11 Следующая ⇒