 |
Схема запоминающего элемента динамического ЗУ.
|
|
|
|
Существуют одно-, трех- и четырехтранзисторные схемы. Рассмотрим простейшую однотранзисторную схему, которая представлена на рис. 6.9.
Рисунок 6.9 - Простейшая однотранзисторная схема
С-емкость, на которой хранится 1 бит информации. Транзистор VT1 вместе с С образуют запоминающий элемент (ключ). На транзисторе VT2 реализован первичный усилитель считывания, транзисторVT3 служит для записи 0, транзистор VT4 используется для записи единицы. В процессе считывания существенную роль играет емкость СШ- емкость шины считывания, она получается за счет наличия длинной линии шины считывания (ШС), распределенная емкость ШС обозначена в виде эквивалентной емкости СШ. Перед считыванием емкость СШ заряжают до уровня Uпит. ЗЭ выбирают подачей отпирающего напряжения на ШВ. СШ больше емкости С в 100 и более раз. СШ играет очень важную роль в работе динамического ЗУ.
Рассмотрим процесс записи логического 0. На шину y0подается высокий уровень, транзистор VT3открывается, уровень нуля попадает на ШС, емкость шины разряжается, потенциал 0 попадает на сток VT1, при этом на линию шины выборки (ШВ) поступает высокий уровень напряжения, открывающий транзистор VT1. Если С была до этого заряжена, она разряжается. После завершения процесса разряда, транзистор VT1 закрывается подачей 0 на ШВ.
Для записи логической 1 на Y1 подается 1, транзистор VT4 открывается и через открытый канал транзистора СШ заряжается до напряжения питания. Высокий потенциал равный напряжению питания поступает на сток транзистора VT1, при этом высоким уровнем напряжения ШВ транзистор VT1 открывается, С заряжается через открытый канал транзистора VT1. Перед считыванием информации емкость шины (СШ) заряжается до напряжения питания (Uпит) через транзистор VT4. Чтобы выполнить чтение, на шину выборки подают высокий уровень напряжения, открывающий транзистор VT1(рис.6.10). VT1 открывается и начинается перераспределение заряда.
|
|
|
Рисунок 6.10 –Схема транзистора VT1
Если С была разряжена, т.е. был записан уровень логического 0, то будет происходить процесс заряда емкости С. Появление тока заряда С приведет к разряду СШ. При высоком потенциале на СШ транзистор VT2полностью открыт, на выходе-низкий потенциал. По мере разряда СШ потенциал на затворе VT2 снижается, транзистор VT2 призакрывается, сопротивление канала растет, следовательно, растет и выходной потенциал, на выходе-приращение выходного напряжения D Uвых. Наличие приращения напряжения на выходе транзистора VT2означает считывание уровня логического 0.
Если емкость С была заряжена до напряжения питания (Uпит) и не успела разрядиться, то перераспределение заряда емкостей будет отсутствовать и транзистор VT2 останется полностью открытым и D Uвых=0, считывание уровня логической 1-идеальный случай. Но все же С<Сш,т.е.будет происходить перераспределение: D U1вых “ D U0вых.
Трехтранзисторный динамический ЗЭ представлен на рис.6.11.
Рисунок 6.10 – Трехтранзисторный динамический запоминающий элемент
|
|
|
I. ОРИЕНТИРОВОЧНАЯ СХЕМА ИЗУЧЕНИЯ КОММУНИКАТИВНОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ УЧИТЕЛЯ НА УРОКЕ
I.XIV. «Элементарная сердечно-легочная реанимация»
III. Внутренний фотоэффект и его виды. Устройство и принцип работы селенового фотоэлемента.
III. Схема строения макулы (пятна маточки).
RS – триггеры на логических элементах
VI. Схема жизненного цикла
VII. Схема жизненного цикла
А - структурная схема; б - условное обозначение в - временные диаграммы
Абстрактные модели подразделяются на три типа: вербальные, схематические и математические.
Аксіально-поршневі машини. За кінематичними схемами розрізняють гідромашини з нахиленим блоком циліндрів і з нахиленим диском.
