Технология проведения контроля знаний магистрантов
⇐ ПредыдущаяСтр 2 из 2
I = R х 0,6 + E х 0,4, где I – итоговая оценка R – оценка рейтинга допуска E – оценка итогового контроля (экзамен по дисциплине) Рейтинг составляет 60% от I, экзамен - 40% от I Оценка рейтинга обучающихся складывается из оценок текущего и рубежного контроля. Первый рейтинг высчитывается по формуле: t – текущий контроль= средняя оценка за практические занятия (лабораторные, семинар) + средняя оценка за СРСП + средняя оценка за СРС r - рубежный контроль Каждое практическое занятие, СРСП, СРС, рубежный контроль высчитываются из 100 баллов, что соответствует 100 процентам. Второй рейтинг высчитывается по формуле: t – текущий контроль = средняя оценка за практические занятия (лабораторные, семинар) + средняя оценка за СРСП + средняя оценка за СРС r - рубежный контроль Рейтинг допуска в итоговой оценке студента составляет не менее 60 %, поэтому семестровая оценка по дисциплине обучающихся определяется по формуле Обучающийся считается допущенным к экзамену, если его семестровая оценка больше или равна 50 % В случае отсутствия рубежных контролей рейтинг допуска высчитывается только по текущим оценкам. В случае большего количества рубежных контролей, высчитывается соответствующее количество рейтингов, в конце семестра высчитывается усредненный рейтинг Технология проведения и оценка экзамена. Максимальное процентное содержание итогового контроля соответствует 100 %. Экзаменатор выставляет оценки итогового контроля (Э) в экзаменационную ведомость, используя инструменты измерения знаний обучающихся итогового контроля. Инструмент измерения итогового контроля в виде тестирования
На экзамене студенту предоставляется 100 тестовых заданий, т.е. каждое задание соответствует 1 баллу или процентам.
Доля оценки итогового контроля составляет не более 40 % итоговой оценки знаний по дисциплине, поэтому экзаменационная оценка (Э) по дисциплине умножается на коэффициент 0,4 Э х 0,4 Далее высчитывается итоговая оценка I = R х 0,6 + E х 0,4 Итоговый контроль: экзамен
2.10 Рекомендуемая литература: основная: 1.Плетенева Т.В. Токсикологическая химия/ ГЭОТАР-Медиа, 2005. – 512 с. 2.Крамаренко В. Ф. Токсикологическая химия / Киев, «Высшая школа», 1989.- 272 с. 3.Швайкова М.Д. Токсикологическая химия/ М., «Медицина», 1975.-376 с. 4. Калетина Н.И. Токсикологическая химия: метаболизм и анализ токсикантов: учебное пособие для вузов, СD/ М., 2008. – 1016 с. дополнительная: 1. Бабаян Э.А. Наркология/ М.,"Медицина", 1987.-112с. 2.Лужников Е.А. Клиническая токсикология / М.,"Медицина", 1994. – 189 с. 3.Белова А.В. Руководство к практическим занятиям по токсикологической химии/ М., "Медицина", 1976.-231с. 4.Белова А.В. Руководство к практическим занятиям по токсикологической химии/ М., "Медицина", 1976.-231с. на казахском языке: 1.Арыстанова Т.А., Шүкірбекова А.Б. Биологиялық материалдан экстракция әдісі арқылы оқшауланатын улы және күшті әсерлі заттар тобы. Оқу құралы – Шымкент, 2005.- 186 б. 2.. Байзолданов Т. Токсикологическая химия ядовитых веществ, изолируемых методом экстракции. – Алматы, 2002, 412. б. . 7. Приложения: - форма № 1 «Протокол согласования рабочей программы с другими дисциплинами (пре- постреквизиты и смежные дисциплины) – по мере необходимости. - форма № 2 «Дополнения и изменения в рабочей программе по мере необходимости.
. Оценочный лист знаний студентов 4 курса По элективной дисциплине«Прекурсоры и допинговые средства» Максимально 100 баллов а) устный опрос – максимально 80 баллов - правильный и полный ответ при устном опросе и обсуждении темы – 74-80 баллов - правильный но неполный ответ при устном опросе и обсуждении темы – 60-73 баллов - неполный ответ с некоторыми неточностями – 52-59 баллов - неполный ответ, отражающие основные моменты темы – 50-51 баллов - нет ответа – 0 баллов
б) выполнение заданий в тестовой форме – максимально 20 баллов - 86 - 100 % - 20 баллов - 75 - 85 % - 15 баллов - 60 - 74 % - 7 баллов - 50 - 59 % - 3 балла - меньше 50 % - 0 баллов
Воспользуйтесь поиском по сайту: ©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|