 |
Преимущества динамических ЗУ
|
|
|
|
- Высокая степень интеграции.
- Мощность потребляется только в моменты записи-чтения информации, вследствие чего снижается потребляемая мощность и появление импульсных помех.
Примеры динамических ЗУ
КР565РУ3 с емкостью 16Кбит и временем считывания 370нс;
РУ5: 64Кбит, 230нс; РУ7: 256Кбит, 340нс; РУ8: 256Кбит, 340нс; РУ9: 1Мбит, 349нс.
Все БИС ЗУ организованы в виде одноразрядных слов и размещаются в корпусах типа ДИП.
ПЗУ- постоянные запоминающие устройства.
ROM- read only memory- данные однократно фиксируются при изготовлении. Элемент памяти состоит из одного компонента- диода (рис.1.6.3,а), транзистора (рис.1.6.3,б).
. 
Рисунок 6.3.а - Элемент памяти сост - Рисунок 6.3.б - Элемент памяти состоящий из транзистора
Оящий из диода
К достоинствам ПЗУ относятся: большая надежность, высокая плотность, простота изготовления, самая низкая стоимость.
3.1. ППЗУ (программируемые ПЗУ- PROM- programmable ROM):
- масочные; прожигаемые.
3.2. РППЗУ (репрограммируемые ПЗУ- RPROM):
- с ультрафиолетовым (УФ) стиранием; с электрическим репрограммированием.
EAPROM (EAROM).
Масочные и прожигаемые ПЗУ содержат информацию, которая не может быть изменена. В МПЗУ запись информации на этапе изготовления ИМС с помощью специального шаблона (маски), а ППЗУ программируются после изготовления на специальной аппаратуре, что может быть выполнено пользователем. Нет ограничений на время хранения и на число считываний. Запоминание бита информации в обоих видах ЗУ сводится к наличию или отсутствию некоторого элемента связи между выбранной адресной шиной и шиной считывания. Элементом связи может быть диод, биполярный транзистор, МОП-транзистор и т.д.
Фрагмент матрицы интегрального ПЗУ с диодами в качестве элементов связи представлен на рис.1.6.4.
|
|
|
Рисунок 6.4. - Фрагмент матрицы интегрального ПЗУ с диодами в качестве элементов связи
Горизонтальные шины- шины выборки, вертикальные шины- разряды выходного слова. В МПЗУ программирование состоит в изготовлении или неизготовлении элемента связи в узле координатной сетки. ЗЭ может быть резисторным, диодным, транзисторным.
Примеры ПЗУ (БИС)
По технологии ТТЛШ выполнены: КР556РТ4...РТ8, КР556РТ11...РТ18, КР556РТ20,имеют следующие характеристики: емкость: 1-64Кбит, число разрядов: 4 или 8бит, время выборки адреса: 35...86нс.
КР156РТ9, КР156РТ10 имеют емкость 16Кбит и 256Кбит соответственно, 8 разрядов, время выборки адреса 80 нс.
По технологии КМОП выполнены: К1623РТ1 имеет емкость 16Кбит, 8 разрядов, время выборки адреса 200нс, К1623РТ2 имеет емкость 64Кбит, 8 разрядов, время выборки адреса 259нс
- Распределители тактов. Схемы реализации. Временные диаграммы работы. Проблема самовосстановления после сбоя.
|
|
|
Ассортимент трикотажных полотен. Технологические свойства трикотажных полотен, их преимущества и недостатки.
Ассортимент шелковых тканей (натуральных и химических). Основные свойства шелковых тканей, их преимущества и недостатки.
Брэнд и брэндинг. Преимущества и недостатки брэнда. Стратегия “брэндов-однодневок”.
Вот некоторые преимущества того, что вы сформулировали миссию своей жизни.
Гель или акрил - преимущества и недостатки
Как обеспечить дело сверхпреимуществами над конкурентами?
Какие преимущества дает нам курение?
Лекция 9: Создание динамических запросов при помощи хранимых процедур
Матрица General Electric /McKinsey по сравнению с матрицей BCG обладает следующими преимуществами
Методы измерения ПТ, их преимущества, недостатки.
