Электронные ключи и простейшие формирователи импульсов

 

В состав многих импульсных устройств входят электронные ключи. Основу любого электронного ключа составляет активный элемент (полупроводниковый диод, транзистор, операционный усилитель), работающий в ключевом режиме. Ключевой режим характеризуется двумя состояниями ключа: “Включено” – “Выключено”. На рис.3.5., а – в приведены упрощенная схема и временные диаграммы идеального ключа. При разомкнутом ключе i=0, u_вых=E, при замкнутом ключе i=E/R, u_вых=0. При этом предполагается, что сопротивление разомкнутого ключа бесконечно велико, а сопротивление замкнутого ключа равно нулю. В реальных ключах токи, а также уровни выходного напряжения, соответствующие состояниям “Включено” – “Выключено”, зависит от типа и параметров применяемых активных элементов и переход из одного состояния в другое происходит не мгновенно, а в течение времени, обусловленного инерционностью активного элемента и наличием паразитных емкостей и индуктивности цепи. Качество электронного ключа определяется следующими основными параметрами:

· падением напряжения на ключе в замкнутом состоянии u₃;

· током через ключ в разомкнутом состоянии i_р;

Рис. 3.5. Схема - а, временные диаграммы тока - б и выходное напряжение – в идеального ключа

· временем перехода ключа из одного состояния в другое (временем переключения) t_пер.

Чем меньше значения величин U, i_р и t_пер, тем выше качество ключа. Простейший тип электронных ключей – диодные ключи. В качестве активных элементов в них используют полупроводниковые или электровакуумные диоды. На рис.3.6,а - приведена схема последовательного диодного ключа, а на рис.6,б – его

а б

Рис. 3.6. Схема - а и передаточная характеристика – б последовательного диодного ключа с нулевым уровнем включения.

 

передаточная характеристика. При положительном входном напряжении диод открыт и ток через него

 

,

 

R_пр – прямое сопротивление диода.

а б

Рис. 3.7. Схема - а и передаточные характеристики - б последовательного двоичного ключа с ненулевым уровнем включения.

Выходное напряжение

.

 

Обычно R_пр << R, тогда U_вых ≈ U_вх. При входном отрицательном напряжение обратный ток через диод

 

,

где R_обр – обратное сопротивление диода.

При этом выходное напряжение

.

 

Как правило, R_обр>>R и U_вых≈R(U_вх/R_обр)<<U_вх. При изменении полярности включения диода график функции U_вых= f (U_вх) повернется на угол π вокруг начала координат. Схеме рис.3.6,а соответствует нулевой уровень включения (уровень входного напряжения, определяющий отпирание или запирание диода). Для изменения уровня включения в цепь ключа вводят источник напряжения смещения E₀ (рис.3.7,а). В этом случае при U_вх>E₀ диод открыт и U_вых≈U_вх, а при U_вх< E₀ – закрыт и U_вых=E₀ (рис.3.7,б). Если изменить полярность источника E₀, то график функции U_вых (U_вх) приобретет вид, показанный на рис.3.7,б – пунктирной линией.

а б

Рис. 3.8. Схема - а и передаточные характеристики - б параллельного диодного ключа с ненулевым уровнем включения.

а б

Рис.3.9.Схема - а и передаточная характеристика - б двойного диодного ключа.

Используя выше приведенный принцип анализа работы диодных ключей можно построить различные ключевые схемы. Для примера на рис.3.8 и 3.9 приведены схемы и передаточные характеристики параллельного и двойного диодных ключей. Диодные ключи не позволяют электрически разделить управляющую и управляемую цепи, что часто требуется на практике. В этих случаях используют транзисторные ключи. На рис.3.10,а приведена схема ключа на биполярном тран­зисторе. Входная (управляющая) цепь отделена от выходной (управляемой) цепи. Ключ мало отличается от усилителя, выполненного по схеме с общим эмиттером. Однако транзистор работает включевом режиме, характеризуемом двумя состояниями. Первое состояние определяется точкой А₁ на выходных характеристиках транзистора; его называют режимом отсечки. В режиме отсечки ток базы I₆=0, коллекторный ток I_к1 равен начальному коллекторному току, а коллекторное напряжение U_н=U_К1≈E_к (рис.3.10,б). Режим отсечки реализуется при отрицательных потенциалах базы. Второе состояние определяется точкой А₂ и называется режимом насыщения. Он реализуется при положительных потенциалах базы. При этом ток базы определяется в основном сопротивлением резистора R₆ и I_б2=U_вх / R₆, поскольку сопротивление открытого эмиттерного перехода мало. Коллекторный переход также открыт, и ток коллектора I_к2≈E_к/R_к, а коллекторное напряжение U_к2≈0. Из режима отсечки в режим насыщения транзистор переводится воздействием положительного входного напряжения. При этом повышению входного напряжения (потенциала базы) соответствует понижение входного напряжения (потенциала коллектора), и наоборот. Такой ключ называют инвертирующим (инвертором). В рассмотренном транзисторном ключе уровни выходного напряжения, соответствующие режимам отсечки и насыщения, стабильны и почти не зависят от температуры.

а б

Рис. 3.10. Схема - а и характеристики режима работы - б ключа на биполярном транзисторе

 

Существуют также повторяющие ключи, у которых понижению входного напряжения соответствует понижение выходного напряжения. Повторяющий ключ выполняют по схеме эмиттерного повторителя.

Время переключения ключей на биполярных транзисторах, также как диодных ключей, определяется постоянной времени переходного процесса

Рис. 3.11. Диаграммы, поясняющие работу двустороннего ограничителя	Рис. 3.12. Сглаживание вершин импульсов с помощью ограничителя сверху
а) б
Рис. 3.13. Выделение импульсов с помощью ограничителей: а – по амплитуде, б – по полярности

 

а б

Рис. 3.14. Схема - а и диаграммы работы - б дифференцирующей цепи.

 

при включении и выключении р-n-переходов и зависит от их емкости и величины сопротивлений, определяемых технологиями производства элементов ключей. Для повышения быстродействия и входного сопротивления применяют ключи на полевых транзисторах.

Электронные ключи часто используют в устройствах формирования импульсов. Для примера: на рис.3.11. приведена диаграмма поясняющая использования двойного диодного ключа рис.3.9. для преобразования сигналы близкие к прямоугольной форме; на рис.3.12. приведена диаграмма, поясняющая использование параллельного ключа рис.3.8. для сглаживания вершины импульса; на рис.3.13 а и б приведены диаграммы, поясняющие использования ключей для выделения сигналов по амплитуде и полярности. В импульсной технике для формирования импульсов совместно с электронными ключами широко используют дифференцирующие и интегрирующие RC–цепи. Для формирования коротких импульсов служат дифференцирующая цепь – рис.14 а, использование которой преобразует импульс большой длительности в короткие импульсы рис.3.14 б, позволяющие ускорить запуск работы импульсных устройств.

 

⇐ Предыдущая78910111213141516Следующая ⇒

Поделиться:

Воспользуйтесь поиском по сайту: