 |
Типы и физическая природа шумов
|
|
|
|
ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
КАФЕДРА ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
В.Н. Давыдов
ИССЛЕДОВАНИЕ ШУМОВЫХ СВОЙСТВ
ПРИБОРОВ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Учебно-методическое пособие
К лабораторной работе
|
Томск 2008
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ
ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)
КАФЕДРА ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ (ЭП)
УТВЕРЖДАЮ
Проректор по УР ТУСУР
__________ М. Т. Решетников
«___» ________ 2008 года
ИССЛЕДОВАНИЕ ШУМОВЫХ СВОЙСТВ
ПРИБОРОВ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Учебное - методическое пособие
к лабораторной работе по дисциплине
«Физические основы оптоэлектроники»
Зав. кафедрой ЭП:
профессор кафедры ЭП
________ С.М. Шандаров
«___» ______ 2008 года
Разработчик:
профессор кафедры ЭП
________ В.Н. Давыдов
«___» ______ 2008 года
ТОМСК – 2008
СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Теоретическая часть
2.1. Типы и физическая природа шумов
2.2. Основные параметры и характеристики шумов
2.3. Полевые свойства шумов
2.4. Частотные свойства шумов
3. Экспериментальная часть.
Структурная схема экспериментальной установки
4. Программное обеспечение установки
6. Задание к лабораторной работе
7. Методические указания по выполнению работы
8. Требования к составлению и оформлению отчета
9. Литература
1. ВВЕДЕНИЕ
Цель данной работы – изучение флуктуационных (шумовых) процессов, протекающих в полупроводниковом приборе путем измерения его характеристик при различных значениях прикладываемого напряжения, при различных уровнях фоновой подсветки, а также путем исследования кинетических свойств шумовых процессов.
|
|
|
2. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
Под шумами понимают случайные изменения электрических сигналов на выходе электронного прибора, которые не связаны с входным сигналом, а вызваны случайными изменениями параметров и свойств самого прибора. Изучение шумов в приборах электронной техники представляет собой важную проблему в науке и технике, поскольку они определяют наименьшие уровни сигналов, которые могут быть обработаны электронными средствами, а также точность измерений величин электрических параметров. Чтобы определить эти уровни, необходимо уметь корректно измерять основные параметры шумов, уметь минимизировать отношения «шум – сигнал» в устройствах приема и обработки сигналов. Решение указанных вопросов невозможно без понимания природы шумов.
Физические механизмы появления шумов в полупроводниковых приборах во всех случаях связаны со случайным характером рождения-уничтожения свободных носителей заряда в активной области прибора, хаотическим движением заряженных частиц, разбросом значений его параметров, тепловыми колебаниями решетки.
Данная лабораторная работа имеет своей целью помочь студентам инженерных специальностей понять физику формирования флуктуационных (шумовых) свойств полупроводниковых приборов, освоить экспериментальные методы исследования свойств шума, а также в наглядной форме наблюдать влияние величины электрического поля, частоты измерения и мощности фоновой подсветки на шум приборов и его свойства.
Типы и физическая природа шумов
Природа шумов. Все шумы по своей физической природе имеют причиной случайный характер движения заряженных частиц в твердом теле, их случайное рождение или уничтожение, а также случайные моменты вхождения- выхода электронов и дырок. Наиболее важные для практических применений шумы в твердых телах таковы:
|
|
|
- тепловой шум;
- дробовой шум;
- генерационно-рекомбинационный шум;
- избыточный шум.
Тепловой шум. Тепловой шум создается в результате броуновского движения заряженных частиц и столкновения их с неподвижными ионами решетки твердого тела. В результате этого энергия теплового колебания решетки и энергия теплового движения электронов выравниваются. Поэтому выделяемое электронами при столкновениях джоулево тепло поддерживает температуру решетки постоянной. Однако тепловое движение заряженных частиц может рассматриваться как результат действия на длине их свободного пробега микроисточника напряжения: от одного столкновения до следующего действует один микроисточник со своими параметрами напряжения. Сколько столкновений совершает электрон на своем движении – столько микроисточников напряжения вводится в рассмотрение. Ясно, что число вводимых микроисточников огромно и потому анализировать параметры отдельного микроисточника невозможно. Значит, нужно рассматривать один источник: это некий суммарный источник, действующий на весь образец. Поэтому если на концах полупроводникового образца регистрировать переменное напряжение, которое будет представлять собой мгновенную сумму напряжений от всех микроисточников в направлении регистрации по длине кристалла, то окажется, что это суммарное напряжение изменяет случайным образом во времени свою величину, знак, фазу и частоту. Изменения параметров суммарного напряжения будут однозначно характеризовать тепловое движение электронов в решетке, а значит, температуру полупроводника. Согласно теореме Найквиста, впервые описавшего этот тип шума, средняя амплитуда теплового шума резистора величиною 
, измеренная с помощью прибора, имеющего полосу пропускания 
, равна:
. (1)
На первый взгляд кажется удивительным, что в выражении (1) измеряемый уровень шума определяется параметрами измерительного прибора: полосой его пропускания. На самом деле ничего удивительного здесь нет. Тепловой шум описывается бесконечно большим числом синусоидальных источников переменного напряжения, амплитуда каждого из которых не зависит от частоты и равна
|
|
|
.
Поэтому чем шире полоса измерительного прибора, тем больше шумовых компонент попадут в этот прибор и дадут вклад в измеренную им величину. Именно это обстоятельство отражено тем, что в выражении (1) фигурирует полоса пропускания измерительного прибора : чем она больше, тем больше амплитуда измеряемого теплового шума.
Если рассматривается тепловой шум двухполюсника, имеющего активное и реактивное компоненты сопротивления, то тепловой шум создается только активной частью сопротивления двухполюсника 
, и тогда амплитуда теплового шума будет равна
. (2)
Если рассматриваемая цепь представляет собой последовательно соединенные активные сопротивления 
, то полный шум такой цепи в единичной полосе частот будет иметь среднюю амплитуду, представляющую собой результат сложения квадратов дисперсий тепловых шумов от каждого сопротивления:
(3)
Этот же результат можно было бы получить, если сложить все последовательно соединенные шумящие сопротивления, а только потом посчитать тепловой шум полного сопротивления.
Дробовой шум. Дробовой шум возникает в результате случайного характера изменения числа частиц, пролетающих область их регистрации. Типичный пример появления этого вида шума: вакуумный диод, с катода которого в каждый момент времени вылетают электроны. Вследствие разброса тепловой энергии электронов в катоде, приобретаемой в результате их столкновения с решеткой материала катода, в каждый момент времени вылетает разное число электронов. В среднем же за достаточно большой промежуток времени их число постоянно и определяется температурой катода, величиной работы выхода и его материала. Другой пример источник дробового шума: протекание постоянного тока через сопротивление. Ясно, что для описания дробового шума лучше вводить случайный источник тока, а не источник напряжения, как это было сделано для теплового шума. Средняя амплитуда дробового шума, создаваемого током величиной 
и измеренная в полосе частот измерительного прибора определяется следующим образом:
|
|
|
, (4)
где 
- заряд электрона. Амплитуда напряжения полного шума в единичной полосе частот, снимаемого с активного сопротивления, по которому течет постоянный ток, определяется тепловым шумом и за счет протекания по сопротивлению дробового шумового тока:
. (5)
Генерационно-рекомбинационный шум. Этот вид шума характерен только для полупроводников, где зачастую является доминирующим. Природа его проста: за счет тепловой генерации и случайной рекомбинации в каждый момент времени в зоне проводимости и (или) валентной зоне появляются неравновесные носители заряда, число которых изменяется во времени случайным образом. Так, например, в первую секунду образовалось 100 электронов и дырок; во вторую секунду установилось 120 пар, в следующую – 80 и т.д. Таким образом, в среднем в полупроводнике в каждую секунду появляется 100 электронов и дырок. Однако около этого среднего значения возможны флуктуации числа частиц – в нашем случае около 20 пар. Именно это число неравновесных электронов и дырок приведет к случайному изменению проводимости полупроводника, что при пропускании через него постоянного тока величиной создаст на концах полупроводника шумовое напряжение
. (6)
|
|
|
