 |
Приближенное построение СМХ.
|
|
|
|
ПЕНТОДНАЯ МОДУЛЯЦИЯ
Модуляция на защитную (пентодную) сетку осуществляется изменением напряжения на третьей сетке при 
, 
, 
и 
.
Модуляция на защитную сетку эффективно осуществляется в перенапряженном режиме на экранной (второй) сетке.
На рис. 6.1 приведена зависимость 
при различных значениях 
.
 |
Рис. 6.1
Из этого семейства характеристик видно, что при изменении 
в области положительных значений анодный ток 
не претерпевает заметных изменений. При этом происходит лишь некоторое уменьшение (изменение) крутизны 
( от 
до 
) линии граничного режима ЛГР. При увеличении 
несколько возрастает крутизна .
Это означает, что модуляционные свойства при вариации в положительной области весьма ограничены. Из этого же рисунка следует, что отрицательные значения вызывают смещение линии граничного режима ЛГР вдоль оси абсцисс (
), а лампа переходит в перенапряженный режим (ток 
). Токи управляющей и экранной сеток увеличиваются, а анодный ток уменьшается и при некотором напряжении - 
лампа запирается и ток анода 
.Таким образом, модуляция на пентодную сетку возможна лишь при отрицательных значениях Однако при < 0 сильно увеличиваются значения токов экранирующей и управляющей сеток. Следовательно, при модуляции на третью сетку режим лампы получается перенапряжённым, особенно на экранирующей сетке.
Процесс модуляции анодного тока протекает так же, как при анодной модуляции.
Уменьшение обуславливает смещение ЛГР вправо, что и вызывает деформацию импульсов анодного тока.
Динамические характеристики могут быть построены в предположении, что
.
Угол наклона динамической характеристики определяется соотношением
|
|
|
Здесь 
–коэффициент формы импульса.
Рис. 6.2
С уменьшением увеличивается напряженность режима и углубляется провал в импульсе анодного тока. При этом уменьшается 
,т. к. увеличивается угол отсечки 
, что влечет за собой увеличение угла наклона динамической характеристики 
.
Качественная картина процесса модуляции анодного тока показана на рис. 6.2.
Таковы в общих чертах физические свойства модуляции на пентоде, т.е. изменение отрицательных значений, вызывает перераспределение электронов и, следовательно, модуляцию первой гармоники анодного тока.
В процессе модуляции при 
напряжении на третьей сетке изменяется по закону
= 
.
Приближенное построение СМХ.
Построение 
может быть сделано на основании следующих соображений:
Эквивалентное напряжение на пентодной сетке, как пересчитанное анодное напряжение к третьей сетке, равно
,
где 
- коэффициент усиления по третьей сетке.
Из последнего выражения видим, что изменение равносильно изменению эквивалентного напряжения 
. А зависимость 
нам известна.
Следовательно, соображения о линейности СМХ, т.е. 
при анодной модуляции, рассмотренные ранее, остаются в силе применительно и к эквивалентному напряжению (поскольку в обоих случаях модуляция эффективна в перенапряженном режиме). Сказанное позволяет представить (в несколько идеализированном виде) зависимость 
прямой линией, т.е. 
при 
. Минимальное напряжение при котором может быть найдено из условия
.
Тогда с учетом вышеприведенного уравнения
.
Откуда 
.
Рис. 6.3
Приведем графические зависимости от (рис. 6.3).
Заметим, что для современных генераторных пентодов критический режим имеет место при
.
До сих пор мы исходили из предположения, что 
. Однако в практических условиях подобный вариант оказывается неприемлемым из-за больших значений токов экранирующей и управляющей сеток. Особенно опасен ток экранирующей сетки, который может привести к её перегреву.
|
|
|
|
|
Рис. 6.4
Комбинированная пентодная модуляция лишена этого недостатка. Схема комбинированной пентодной модуляции приведена на рис. 6.4. В этой схеме напряжения 
и 
регулируются автоматически посредством сопротивлений 
и 
:
Опыт показывает, что при автоматическом питании первой и второй сеток можно получить достаточно линейные СМХ.
Ток экранирующей сетки уменьшается по сравнению с обычной пентодной модуляцией, почти в 1,5 раза. Для расчёта и можно воспользоваться соотношениями:
Рассмотрим эффективность пентодной модуляции, а также расчёт режимов ламп.
При пентодной модуляции 
, при изменении коэффициент использования анодного напряжения 
воспроизводит характер СМХ .
В режиме несущей частоты 
(для m=1) и 
, т.е. как при модуляции на управляющую сетку.
Таким образом, энергетические качества пентодной модуляции такие же, как в случае модуляции смещением Eg на управляющую сетку.
Расчет режима максимальной мощности производится как обычно, в критическом режиме.
Режим несущей частоты может быть рассчитан, исходя из известных соотношений. В режиме несущей частоты рассеяние на экранирующей сетке достигает максимального значения. При этом должно выполняться следующее условие:
где 
;
.
В отличие от режима несущей частоты режим модуляции характеризуется некоторым уменьшением рассеяния на второй экранирующей сетке. Так, если исходить из линейного изменения 
, то будем иметь:
Далее могут быть рассчитаны остальные параметры режима несущей частоты.
Из СМХ явствует, что для 
имеют место следующие соотношения:
Тепловой режим управляющей сетки должен быть рассчитан в режиме несущей частоты
Настройка генератора при модуляции на пентодную сетку протекает примерно так же, как и в случае модуляции смещением.
Режим максимальной мощности выбирается критический. В процессе настройки уточняются отдельные параметры, в частности 
и 
.
При расчете модулятора следует учитывать влияние блокировочной емкости 
(ВЧ). На высшей модуляционной частоте через ёмкость протекает ток 
. Этот ток должен быть учтен при выборе лампы модулятора и расчёте её режима. Во избежание больших амплитудно-частотных искажений на высоких модулирующих частотах 
модулятор должен иметь малое выходное сопротивление.
|
|
|
Эффективной мерой ослабления этих искажений является применение отрицательной обратной связи по напряжению 
Достоинство пентодной модуляции: Требуется небольшая мощность модулятора т.к. нет сеточных токов (3-й сетки). Иногда модуляцию осуществляют прямо от микрофона через трансформатор.
Недостаток: КПД низок и сравним с КПД при сеточной модуляции смещением.
Вопросы для самопроверки
1. Особенности пентодной модуляции.
2. Чем объясняется высокая линейность СМХ при пентодной модуляции?
3. Изменяется ли угол отсечки анодного тока при пентодной модуляции?
4. Нарисуйте схему пентодной модуляции.
5. Достоинства пентодной модуляции.
6. Недостатки пентодной модуляции.
РАЗДЕЛ 7
|
|
|
