Главная | Обратная связь | Поможем написать вашу работу!
МегаЛекции

Граничные условия раздела сред

Курсовая работа

“Моделирование распределения потенциала

в МДП-структуре”

 

Исполнитель: студент 4 курса 5 группы

Никулин Л.А.

 

Руководитель: старший преподаватель

Рыжков А.В.

 

Воронеж 1998г.

 

ОГЛАВЛЕНИЕ

                                      

МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛА В МДП-СТРУКТУРЕ

Математическая модель     - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 3

ПРИМЕНЕНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ К

РЕШЕНИЮ ЗАДАЧИ

Использование разностных схем для решения

Уравнения Пуассона и для граничных условий

Раздела сред

Уравнение Пуассона                              - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 5

Граничные условия раздела сред        - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 8

 

Общий алгоритм численого решения задачи

Метод установления                              - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 10

Метод переменных направлений       - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 13

Построение разностных схем               - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 16

 

ПРИЛОЖЕНИЕ                          - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

ЛИТЕРАТУРА                             - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

 

 

Математическая модель распределения потенциала в МДП-структуре

 

 

Математическая модель

 

 

Пусть j (x,y) - функция, описывающая распределение потенциала в полупроводниковой структуре. В области оксла (С DEF) она удовлетворяет уравнению Лапласа:

 

d2 j + d2 j   = 0

 dx2 dy2

а в области полупроводника (прямоугольник   ABGH) - уравнению Пуассона:

d2 j +   d2 j = 0

 dx2   dy2

где   

  q               - элементарный заряд   e;

e nn                  -диэлектрическая проницаемость кремния;

N d (x,y)   -распределение концентрации донорской примеси в подложке;

N a (x,y)   -распределение концентрации акцепторной примеси в подложке; 

e 0           -диэлектрическая постоянная

 

 

 


            0                              D                        E

                                                                                                                y

 

 

            B                                                                                                                                                             G

                                                C                                      F

 

            A                                                                                                                                                            H

            

 

             x

 
Рис.1.

 

 


На контактах прибора задано условие Дирихле:

j | BC = Uu

j | DE = U з

j | FG = Uc

j | AH = Un

На боковых сторонах полупроводниковой структуры требуется выполнение

однородного условия Неймана вытекающее из симметричности структуры

относительно линий лежащих на отрезках AB и GH:

 

d j = 0               d j = 0

dy AB             dy GH

На боковых сторонах окисла так же задается однородное условие Неймана

означающее что в направлении оси OY отсутствует течение электрического

тока:

 

d j = 0               d j = 0

dy   DC              dy EF

 

На границе раздела структуры окисел- полупроводник ставится условие

сопряжения:

 

j | -0 = j | +0

e ok E x |-0 - e nn E x |+0 = - Qss

где Qss -плотность поверхностного заряда;

e ok -диэлектрическая проницаемость окисла кремния;

e nn -диэлектрическая проницаемость полупроводника.

Под символом “ +0 ” и”- 0 ” понимают что значение функции берется бесконечно близко к границе CF со стороны либо полупроводника либо окисла кремния. Здесь первое условие означает непрерывность потенциала при переходе границы раздела сред а второе - указывает соотношение связывающее величину разрыва вектора напряженности при переходе из одной среды в другую с величиной поверхностного заряда на границе раздела.

 

ПРИМЕНЕНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ К

РЕШЕНИЮ ЗАДАЧИ

 

 

     Использование разностных схем для решения уравнения Пуассона и для граничных условий раздела сред

 

 

Уравнение Пуассона

 

В области {(x,y): 0 < x < Lx, 0 < y < Ly } вводится сетка

 

W={(x,y): 0 < i < M1, 0 < j < M2}

x0 =0, y0=0, x M 1 = Lx, y M 2 = Ly

xi+1 = xi + hi+1   , yj+1 = yj+ rj+1

 i = 0,...,M1-1      j = 0,...,M2-1

 

 

 

 


Потоковые точки:

xi+ ½  = xi + hi+1,        i = 0,1,...,M1-1

2

yj+ ½  = yj + rj+1,         j = 0,1,...,M2-1

2

Обозначим:

U (xi,yj) = Uij

I(xi+½,yj) = Ii+½,j

I(xi,yj+½) = Ii,j+½

Проинтегрируем уравнение Пуассона:

 

D j = -    q  (N d + N a)

e 0 e n

     Q(x,y)

по области:

V ij = { (x,y): xi- ½   < x < xi+ ½  , yj- ½   < y < yj+ ½  }

xi+ ½ yj+ ½        xi+ ½         yj+ ½

ò ò D j dxdy = ò ò Q(x,y) dxdy

xi- ½ yj- ½ xi- ½        yj- ½

Отсюда:

yj+½                                                xi+½

ò (Ex(xi+½,y) - Ex(xi-½,y)) dx + ò (Ey(x,yj+½) - Ey(x,yj-½)) dy=

yj-½                                                 xi-½

xi+ ½      yj+ ½

= ò ò Q(x,y) dxdy

xi- ½     yj- ½

Здесь:

Ex(x,y) = - d j (x,y)

             dx                                      (*)

Ey(x,y) = - d j (x,y)

              dy

x у -компоненты вектора напряженности электрического поля Е.

Предположим при

 


yj-½ <   y < yj- ½                Ex(xi + ½,yj) = Ei+ ½,j = const

yj-½ < y < yj- ½                Ex(xi - ½ ,yj) = Ei- ½,j = const        (**)

 xi-½ < x < xi+ ½                Ey(xi, yj + ½) = Ei,j+ ½  = const

xi-½   < x < xi+ ½               Ey(xi, yj ) = Ei,j - ½  = const

xi- ½   < x < xi+ ½

yj- ½    <  y <     yj+ ½    - Q(x,y) = Qij = const

 

Тогда

             
   


(Ex)i+ ½,j - (Ex)i -½,j r*j + (Ey)ij+ ½  - (Ey)ij- ½    h*i = Qijh*i r*j

где h*i = hi - hi+1, r*j = rj - rj+1

            2                        2

Теперь Еi+ ½ ,j выражаем через значение j (x,y) в узлах сетки:

xi+1

ò E x(x,yj) dx = - j i+1,j - j ij

xi

из (* *) при y=yj:

 

(Ex)i+ ½,j = - j i+1j - j ij

                 hi+1

Анологично:

(Ey)i,j+ ½= - j ij+1 - j ij

                 rj+1

 

Отсюда:

             
     


(D j)ij = 1 j i+1,j - j ij    -   j i j - j i-1,j        +  1 j i j+1 - j ij    - j ij - j ij-1 =

            h*i   hi+1                    hi               r*j   rj+1                   rj

 

= N dij + N aij

 

Граничные условия раздела сред

 

 


         SiO2

         e1

 

 

   Si                                                                                                                 y

   en

 

  x

 

 

Для области V 0j

yj+ ½                                                                                   x ½

e n e 0 ò (Ex(x ½,y) - E+x(0,y))dy + e n e 0 ò (Ey(x,yj+ ½) - Ey(x,j- ½ ))dx =

yj- ½                                                               0

x ½ yj+½

= q ò ò (N d + N a) dxdy

0 yj-½

Для области V` 0j

yj+ ½                                                                                   x ½

e n e 0 ò (E-x(0,y) - Ex(x ,y))dy + e n e 0 ò (Ey(x,yj+½) - Ey(x,j-½))dx = 0

yj- ½                                                                 0

где E+x(0,y) и E-x(0,y) -предельные значения х компоненты вектора

Е со стороны кремния и окисла.Складывая равенства и учитывая

условия:

 

e n e 0 d j + - e 1 e 0 d j - = -Qss

 dx         dx

 

имеем

yj+½                                                                                                                           x½

ò (e n e 0 Ex(x½,y) - e 1 e 0 Ex(x,y) - Qss(y)) dy + e n e 0 ò (Ey(x,yj+½) + E y (x,yj-½)) dx +

yj-½                                                                             0

0                                              x½ yj+½

+ e 1 e 0 ò (Ey(x,yj+½) - Ey(x,yj-½))dx = q ò ò (N d + N a) dxdy

x                                           0 yj-½

 

Сделав относительно Ex и Ey предположения анологичные (**) положив Qss(y) = Qss = const при yj-½ < y < yj+½  и учитывая условия:

j+ = j-   dj + = dj -

         dy     dy

“+”- со стороны кремния

“-“ - со стороны окисла

Получим:

 

                     
         


e n e 0 (Ex)½,j - e 1 e 0 (Ex)-½,j - Qss r*j + ene0h1 + e1e0h-1 .  (Ey)0,j+½  - (Ey)0,j-½ =

2       2

 

= q (N d0j - N a0j) h1r*j

2

что можно записать:

             
     


1 e n e 0 jij -j0j - e 1 e 0  j0j - jij + ene0h1 + e1e0h-1j0,j+1 - j0j -  j0j - j0,j-1 =

h*       h1                h-1                 2h*r*j              rj+1                   rj

= - q  (Nd0j - Na0j).  h1 - Qss

 2                       h* h*

 

 

где h* = h1 + h-1

              2

 

Поделиться:





Воспользуйтесь поиском по сайту:



©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...