Граничные условия раздела сред
Курсовая работа “Моделирование распределения потенциала в МДП-структуре”
Исполнитель: студент 4 курса 5 группы Никулин Л.А.
Руководитель: старший преподаватель Рыжков А.В.
Воронеж 1998г.
ОГЛАВЛЕНИЕ
МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛА В МДП-СТРУКТУРЕ Математическая модель - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 3 ПРИМЕНЕНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ К РЕШЕНИЮ ЗАДАЧИ Использование разностных схем для решения Уравнения Пуассона и для граничных условий Раздела сред Уравнение Пуассона - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 5 Граничные условия раздела сред - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 8
Общий алгоритм численого решения задачи Метод установления - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 10 Метод переменных направлений - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 13 Построение разностных схем - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 16
ПРИЛОЖЕНИЕ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - ЛИТЕРАТУРА - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Математическая модель распределения потенциала в МДП-структуре
Математическая модель
Пусть j (x,y) - функция, описывающая распределение потенциала в полупроводниковой структуре. В области оксла (С DEF) она удовлетворяет уравнению Лапласа:
d2 j + d2 j = 0 dx2 dy2 а в области полупроводника (прямоугольник ABGH) - уравнению Пуассона: d2 j + d2 j = 0 dx2 dy2 где q - элементарный заряд e; e nn -диэлектрическая проницаемость кремния; N d (x,y) -распределение концентрации донорской примеси в подложке;
N a (x,y) -распределение концентрации акцепторной примеси в подложке; e 0 -диэлектрическая постоянная
0 D E y
B G C F
A H
x
На контактах прибора задано условие Дирихле: j | BC = Uu j | DE = U з j | FG = Uc j | AH = Un На боковых сторонах полупроводниковой структуры требуется выполнение однородного условия Неймана вытекающее из симметричности структуры относительно линий лежащих на отрезках AB и GH:
d j = 0 d j = 0 dy AB dy GH На боковых сторонах окисла так же задается однородное условие Неймана означающее что в направлении оси OY отсутствует течение электрического тока:
d j = 0 d j = 0 dy DC dy EF
На границе раздела структуры окисел- полупроводник ставится условие сопряжения:
j | -0 = j | +0 e ok E x |-0 - e nn E x |+0 = - Qss где Qss -плотность поверхностного заряда; e ok -диэлектрическая проницаемость окисла кремния; e nn -диэлектрическая проницаемость полупроводника. Под символом “ +0 ” и”- 0 ” понимают что значение функции берется бесконечно близко к границе CF со стороны либо полупроводника либо окисла кремния. Здесь первое условие означает непрерывность потенциала при переходе границы раздела сред а второе - указывает соотношение связывающее величину разрыва вектора напряженности при переходе из одной среды в другую с величиной поверхностного заряда на границе раздела.
ПРИМЕНЕНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ К РЕШЕНИЮ ЗАДАЧИ
Использование разностных схем для решения уравнения Пуассона и для граничных условий раздела сред
Уравнение Пуассона
В области {(x,y): 0 < x < Lx, 0 < y < Ly } вводится сетка
W={(x,y): 0 < i < M1, 0 < j < M2} x0 =0, y0=0, x M 1 = Lx, y M 2 = Ly xi+1 = xi + hi+1 , yj+1 = yj+ rj+1 i = 0,...,M1-1 j = 0,...,M2-1
Потоковые точки: xi+ ½ = xi + hi+1, i = 0,1,...,M1-1 2 yj+ ½ = yj + rj+1, j = 0,1,...,M2-1 2 Обозначим: U (xi,yj) = Uij I(xi+½,yj) = Ii+½,j I(xi,yj+½) = Ii,j+½ Проинтегрируем уравнение Пуассона:
D j = - q (N d + N a) e 0 e n Q(x,y) по области: V ij = { (x,y): xi- ½ < x < xi+ ½ , yj- ½ < y < yj+ ½ } xi+ ½ yj+ ½ xi+ ½ yj+ ½ ò ò D j dxdy = ò ò Q(x,y) dxdy xi- ½ yj- ½ xi- ½ yj- ½ Отсюда: yj+½ xi+½ ò (Ex(xi+½,y) - Ex(xi-½,y)) dx + ò (Ey(x,yj+½) - Ey(x,yj-½)) dy= yj-½ xi-½ xi+ ½ yj+ ½ = ò ò Q(x,y) dxdy xi- ½ yj- ½ Здесь: Ex(x,y) = - d j (x,y) dx (*) Ey(x,y) = - d j (x,y) dy x у -компоненты вектора напряженности электрического поля Е. Предположим при yj-½ < y < yj- ½ Ex(xi + ½,yj) = Ei+ ½,j = const yj-½ < y < yj- ½ Ex(xi - ½ ,yj) = Ei- ½,j = const (**) xi-½ < x < xi+ ½ Ey(xi, yj + ½) = Ei,j+ ½ = const xi-½ < x < xi+ ½ Ey(xi, yj -½ ) = Ei,j - ½ = const xi- ½ < x < xi+ ½ yj- ½ < y < yj+ ½ - Q(x,y) = Qij = const
Тогда (Ex)i+ ½,j - (Ex)i -½,j r*j + (Ey)ij+ ½ - (Ey)ij- ½ h*i = Qijh*i r*j где h*i = hi - hi+1, r*j = rj - rj+1 2 2 Теперь Еi+ ½ ,j выражаем через значение j (x,y) в узлах сетки:
xi+1 ò E x(x,yj) dx = - j i+1,j - j ij xi из (* *) при y=yj:
(Ex)i+ ½,j = - j i+1j - j ij hi+1 Анологично: (Ey)i,j+ ½= - j ij+1 - j ij rj+1
Отсюда: (D j)ij = 1 j i+1,j - j ij - j i j - j i-1,j + 1 j i j+1 - j ij - j ij - j ij-1 = h*i hi+1 hi r*j rj+1 rj
= N dij + N aij
Граничные условия раздела сред
SiO2 e1
Si y en
x
Для области V 0j yj+ ½ x ½ e n e 0 ò (Ex(x ½,y) - E+x(0,y))dy + e n e 0 ò (Ey(x,yj+ ½) - Ey(x,j- ½ ))dx = yj- ½ 0 x ½ yj+½ = q ò ò (N d + N a) dxdy 0 yj-½ Для области V` 0j yj+ ½ x ½ e n e 0 ò (E-x(0,y) - Ex(x -½,y))dy + e n e 0 ò (Ey(x,yj+½) - Ey(x,j-½))dx = 0 yj- ½ 0 где E+x(0,y) и E-x(0,y) -предельные значения х компоненты вектора Е со стороны кремния и окисла.Складывая равенства и учитывая условия:
e n e 0 d j + - e 1 e 0 d j - = -Qss dx dx
имеем yj+½ x½ ò (e n e 0 Ex(x½,y) - e 1 e 0 Ex(x-½,y) - Qss(y)) dy + e n e 0 ò (Ey(x,yj+½) + E y (x,yj-½)) dx + yj-½ 0 0 x½ yj+½ + e 1 e 0 ò (Ey(x,yj+½) - Ey(x,yj-½))dx = q ò ò (N d + N a) dxdy x-½ 0 yj-½
Сделав относительно Ex и Ey предположения анологичные (**) положив Qss(y) = Qss = const при yj-½ < y < yj+½ и учитывая условия: j+ = j- dj + = dj -
dy dy “+”- со стороны кремния “-“ - со стороны окисла Получим:
e n e 0 (Ex)½,j - e 1 e 0 (Ex)-½,j - Qss r*j + ene0h1 + e1e0h-1 . (Ey)0,j+½ - (Ey)0,j-½ = 2 2
= q (N d0j - N a0j) h1r*j 2 что можно записать: 1 e n e 0 jij -j0j - e 1 e 0 j0j - jij + ene0h1 + e1e0h-1j0,j+1 - j0j - j0j - j0,j-1 = h* h1 h-1 2h*r*j rj+1 rj = - q (Nd0j - Na0j). h1 - Qss 2 h* h*
где h* = h1 + h-1 2
Воспользуйтесь поиском по сайту: ©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|