ЯКІ ВИКОНАНІ НА БАЗІ ОП

Головною причиною появи дрейфу напруги зміщення, що змінюється в залежності від температури, є зміна спад напруги U_бе вхідних транзисторів з температурою. Для кремнієвого транзистора U_бе зменшується з ростом температури приблизно на 2мВ/^оК. Ці зміни не одинакові для кожного з вхідних транзисторів, що й викликає появу напруги зміщення.

Другим джерелом появи температурного дрейфу є залежність коефіцієнту підсилення транзисторів за струмом h_21е від температури. Підсилення постійного струму бази транзисторів збільшується з ростом температури, але h_21е транзисторів не рівні один одному і збільшуються з різною швидкістю при збільшенні температури. Це приводить до того, що вихідні струми будуть змінюватись по-різному для кожного з транзисторів, в результаті з’являється різниця вхідних струмів, що змінюється з температурою. Це призводить до появи дрейфу вихідної напруги. Теплові струми транзисторів також не однакові, що викликає додаткове збільшення різниці вхідних струмів з температурою.

Максимальна температурна похибка вихідної напруги інвертуючого підсилювача розраховується за наступним виразом.

(24)

де DТ – зміна температури навколишнього середовища.

Похибка може бути зведена до входу. Вираз для похибки зведеної до входу (D Е_вх) для інвертуючого підсилювача має наступний вигляд

, (25)

а для неінвертуючого підсилювача

(26)

Складова похибки вихідної напруги, що виникає за рахунок зміни вхідних струмів, може бути зменшена, якщо зрівняти опори зовнішніх резисторів на обох входах ОП. Для цього у випадку інвертуючого підсилювача, на неінвертуючий вхід вмикається резистор
R_бал = R || R_зз, а для неінвертованого підсилювача необхідно, щоби R_с = R1 || R2. У цьому випадку для отримання значень похибок вхідної і вихідної напруг необхідно у виразах (24, 25, 26) замість значення дрейфу вхідного струму D І_вх / D Т підставити значення дрейфу різниці вхідних струмів D(D І_вх)/ D Т.