Схеми обмеження струму через вихідні транзистори

Оскільки безтрасформаторні підсилювачі мають низький вихідний опір, то вони легко перенавантажуються і руйнуються., тому необхідно застосовувати схемні рішення, які обмежують вихідний струм вихідних транзисторів. Існують два основні способи обмеження струму через вихідні транзистори. Максимальне додатне і від’ємне значення струмів в навантаженні визначаються наступними виразами

1. Обмеження струму вихідних транзисторів за допомогою діодів (рис.1.87).

Рис.1.87. Схема обмеження струму вихідних транзисторів за допомогою діодів

У випадку, коли амплітудне значення вхідної напруги менше від прямої напруги відкривання обмежуючих діодів (VD ₃- VD ₄) або (VD ₅- VD ₆), то вони закриті і практично не впливають на роботу вихідних транзисторів. Коли амплітудне значення вхідної напруги перевищує напругу відкривання діодів (VD ₃- VD ₄) або (VD ₃- VD ₄), то вони відкриваються, що викликає обмеження струму і в цьому випадку спад напруги на резисторах R ₁ і R ₂ не буде зростати. В залежності від значення струму навантаження, замість діодів можна вмикати декілька діодів послідовно або світлодіоди, в яких .

2. Обмеження струму за допомогою додаткових транзисторів (рис.1.88).

Рис.1.88. Схема обмеження струму за допомогою додаткових транзисторів

У випадку, коли струм навантаження не перевищує номінального значення, то транзистори закриті і практично не впливають на роботу комплементарного повторювача напруги. Коли струм навантаження перевищує номінальне значення, то на резисторах R ₁ і R ₂ виникають спади напруг, які є достатні для відкривання транзисторів VT ₁ і VT ₂, то ці транзистори відкриваються. У цьому випадку вхідний струм транзисторів VT ₃ і VT ₄ відгалужується у відкриті транзистори VT ₁ і VT ₂ і подальше зростання струмів баз транзисторів VT ₃ і VT ₄ буде зупинено. Резистори R _б1 і R _б2 призначені для обмеження струму бази транзисторів VT ₁ і VT ₂. Максимальне додатне і від’ємне значення струмів в навантаженні визначаються наступними виразами