Расчет элементов принципиальной схемы умножителя частоты
Опираясь на проведенный расчет, получаем: а) Входная цепь (параллельная схема с автосмещением, рис. 7). 0,579 Ом; Выбираем R 2: С2-33Н-0,5-0,560 Ом±5%; R 1вх= R 1вх УЧ=5,495 Ом; Аналогично вышесказанному: ; Выбираем С 7: КМ-6-М1500-0,011 мкФ. ;
б) Выходная цепь и фильтр-пробка (C 9, C 10, L 7, рис. 8). ; R 1вых= R 1вых УЧ=180,013 Ом. Аналогично:
; Выбираем С 11: К10-17-1-П33-17,68 пФ. Емкость C 8 и индуктивность L 6 служат для защиты источника питания от токов высокой частоты. Номинал C 8 рассчитывается из соображений того, чтобы ее сопротивление по высокой частоте было крайне мало, а номинал L 6 выбирается таким, чтобы ее сопротивление по высокой частоте было велико. Номиналы L 2 и C 3 в п. 4.1.2. выбираются из аналогичных соображений. ; Выбираем С 8: К10-17-1-П33-630 пФ. ; Фильтр-пробка (C 9, C 10, L 7) служит одновременно для выделения колебаний двойной (выходной) частоты и подавления колебаний входной частоты, чтобы они не проходили на выход модуля АФАР. Делается это следующим образом. Индуктивность L 7 и емкость C 9 образуют последовательный колебательный контур, причем их номиналы подбираются так, чтобы резонансная частота этого контура ωрез посл совпадала с частотой входного колебания ωвх. Как известно, сопротивление последовательного колебательного контура на резонансной частоте равно нулю, и, следовательно, колебания входной частоты закорачиваются на землю и на выход модуля не попадают. В то же время, L 7 и C 10 тоже образуют колебательный контур, но параллельный, причем их номиналы подбираются так, чтобы резонансная частота этого контура ωрез паралл совпадала с частотой выходного колебания ωвых. Сопротивление параллельного колебательного контура на резонансной частоте стремится к бесконечности, поэтому колебания выходной частоты попадут на выход практически без потерь.
; Выбираем С 10: К10-17-1-П33-8,8 пФ. , где n =2 — коэффициент умножения частоты; Выбираем С 9: К10-17-1-П33-26,5 пФ. ;
Расчет СОГЛАСУЮЩих ЦЕПей Расчет проведен с помощью программы MATCHL, разработанной на каф. 406. Расчет входной СОГЛАСУЮЩей Г-ЦЕПи Импеданс генератора RS =50 Ом; XS =0; Импеданс нагрузки RL = R 1вх УМ=0,523 Ом; XL = X 1вх УМ=4,492 Ом; Ненагруженная добротность цепи=100; ; ;
X 1=-5,140664, X 2=0,5948922 Коэффициенты фильтрации второй и третьей гармоник: K 2=67,46906 дБ; K 3=87,08565 дБ; Контурный КПД: ηконт=0,902736; Полоса пропускания 10,28133%. ; ; Выбираем С 2: К10-17-1-П33-124 пФ. Расчет межкаскадной СОГЛАСУЮЩей Г-ЦЕПи Импеданс генератора RS = R 1вых УМ=166,9 Ом; XS = X 1вых УМ=5,44 Ом; Импеданс нагрузки RL = R 1вх УЧ=5,496 Ом; XL = X 1вх УЧ=-3,495 Ом; Ненагруженная добротность цепи=55; ; ;
X 1=-30,62967, X 2=33,29518 Коэффициенты фильтрации второй и третьей гармоник: K 2=55,77115 дБ; K 3=75,38773 дБ; Контурный КПД: ηконт=0,9014694; Полоса пропускания 18,45297%. ; ; Выбираем С 6: К10-17-1-П33-5,2 пФ. Расчет выходной СОГЛАСУЮЩей П-ЦЕПи а) Левая часть П-цепи Импеданс генератора RS = R 1вых УЧ=180,0 Ом; XS = X 1вых УЧ=40,3 Ом; Импеданс нагрузки RL =10,0 Ом; XL =0; Ненагруженная добротность цепи=60; ; ;
X 1.1=-42,42937; X 2.1=42,31098; Коэффициенты фильтрации второй и третьей гармоник: K 2=50,30438 дБ; K 3=69,92097 дБ; Контурный КПД: =0,9312816; Полоса пропускания 24,25356%. ; ; Выбираем С 12: К10-17-1-П33-7,5 пФ. б) Правая часть П-цепи Импеданс генератора RS =10,0 Ом; XS =0; Импеданс нагрузки (RL =50,0 Ом; XL =0); Ненагруженная добротность цепи=80; ; ;
X 1.2=-24.99998; X 2.2=20; Коэффициенты фильтрации второй и третьей гармоник: K 2=35,83519 дБ; K 3=55,45177 дБ; Контурный КПД: =0,975; Полоса пропускания 50%. ; ; Выбираем С 13: К10-17-1-П33-12,7 пФ.
; Общий контурный КПД: ;
Конструкция модуля АФАР Выбор элементной базы В принципе устройство может быть изготовлено с использованием микрополосковой технологии1, поскольку в диапазоне 0,25… 1 ГГц такая технология применяется достаточно широко, но в нашем случае получается реализовать изделие на сосредоточенных элементах, поскольку нам удалось выбрать сосредоточенные резисторы и конденсаторы для данного диапазона частот (пп. 4.1. и 4.2.). Внешний вид и геометрические размеры выбранных элементов показаны на рис. 13… 17.
Так как стандартные индуктивности рассчитанных нами номиналов (пп. 4.1. и 4.2.) отсутствуют в номенклатуре элементной базы, производимой радиоэлектронной промышленностью, мы изготовим индуктивности из отрезков прямых проводников диаметром 0,5 мм. Известно, что индуктивность L отрезка проводника круглого сечения длиной l равна , где d — диаметр проводника, причем d и l необходимо подставлять в сантиметрах, тогда L получится в нГн. С помощью пакета Mathcad Professional 7 было проведено исследование зависимости индуктивности отрезка проводника круглого сечения от его длины для трех различных диаметров (d =0,5 мм (рис. П.1.1.), d =0,6 мм (рис. П.1.2.), d =1,0 мм (рис. П.1.2.), файлы ind05mm.mcd, ind06mm.mcd, ind1mm.mcd соответственно, см. Приложение 1). Из представленных зависимостей видно, что для данного значения индуктивности (например, 30 нГн) самым коротким будет самый тонкий проводник (l =32,8 мм, (d =0,5 мм), l =34 мм, (d =0,6 мм), l =37,2 мм, (d =1 мм)). Следовательно, индуктивности L 1, …, L 8 будем изготавливать из отрезков проводника диаметром d =0,5 мм. Длину отрезка будем вычислять по полученной номограмме (рис. П.1.1.). Таким образом, L 1=0,378 нГн: 1,5 мм; L 2=3,32 нГн: 6 мм; L 3=31,83 нГн: 34 мм; L 4=21,19 нГн: 25 мм; L 5=34,98 нГн: 37 мм; L 6=15,6 нГн: 19 мм; L 7=11,46 нГн: 15 мм; L 8=19,82 нГн: 23,5 мм.
Воспользуйтесь поиском по сайту: ©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|