Главная | Обратная связь | Поможем написать вашу работу!
МегаЛекции

Вакуумное напыление покрытий




Вакуумные методы осаждения базируются на физико-химических про­цессах испарения и конденсации. Среди других методов нанесения покрытий их выделяет практически неограниченная возможность управления структурой и свойствами получаемых слоев. Паровая фаза не имеет ограничения во взаим­ной растворимости компонентов. Одновременное испарение нескольких метал­лов, сплавов или тугоплавких соединений, смешивание их паровых потоков и последующая конденсация позволяют получать различные сочетания металли­ческих и неметаллических материалов. Термическое испарение материалов осуществляется с помощью различных способов нагрева и соответствующих устройств - испарителей.

Покрытия получают напыление на подложку металлов, карбидов, нитритов и др. соединений, которые находятся в парообразном состоянии.

Рис. 8.1 Схема установки вакуумного нанесения покрытий.

1- корпус вакуумной камеры

2- смотровое окно

3- заслонка

4- натекатель

5- вакуумметры

6- нагреватель

7- вакуумное уплотнение

8- испаритель

9- маска

10- подложка

11- нагреватель подложки

12- паромасляный насос

13- ротационный насос

14- ловушка

15- вакуумный затвор

16- вентили

Принципиально существует 3 способа осаждения покрытий:

1) Вакуумное напыление;

2) Катодное распыление;

3) Ионное плакирование.

Покрытие получают путем испарения в вакууме металла и соединений, которые впоследствии отлагаются на подложку. Температура подложки на­много ниже, чем температура пара. Энергия атомов не велика и недостаточна для хорошего сцепления с подложкой, поэтому напыляемую поверхность необ­ходимо подготовить. Подготовку поверхности можно производить двумя спо­собами:

1. Обстреливанием ионами инертного газа в тлеющем плазменном разря­де;

2. Нагревом изделия до нескольких сотен градусов.

В процессе подготовки происходит испарение загрязнения с поверхности. Затем на подготовленную поверхность проводят напыление.

Известно два принципиальных метода испарения наплавляемого мате­риала:

1. Традиционно термический. Используют либо контактный, либо, высокочастотный нагрев;

2. С использованием концентрированных потоков энергии (электронного или
лазерного лучей);

Процесс вакуумного напыления проводится при 10-3 – 10-4 Па): Пример. Процесс вакуумного напыления имеет достаточно высокую ско­рость.

Напыление алюминия: V = 0,4 - 40 мкм/с Напыление вольфрама: V = 0,05 - 5 мкм/с

Поскольку скорости осаждения высоки, то необходимо интенсивное ис­парение напыляемого материала. Например, алюминий напыляют при темпера­туре 1400°С, а вольфрам напыляют при температуре 4100°С.

КАТОДНОЕ РАСПЫЛЕНИЕ

Между катодом и анодом подают от 1000 до 5000 В. Благодаря этому газ, который находится между катодом и анодом становится плазмой, т.е. проводит электрический ток. При этом положительные ионы под действием электриче­ского поля начинают бомбардировать катод. Тем самым атомы напыляемого материала выбиваются из катода и затем осаждаются на анод.

Рис.8.2 Схема установки катодного нанесения покрытий.

1- Подложка

2- Натекатель

3- Катод

4- Вакуумная камера

5- Изолятор

6- Нагреватель

7- Вакуумное уплотнение

 

 

Недостатком приведенной схемы является низкая скорость напыления, которая примерно в десять раз меньше чем в ранее рассмотренном способе ва­куумного напыления.

Скорость напыления можно повысить, если использовать установку с двумя катодами.

При катодном распылении анод разогревается до температуры 300 - 500 °С, что обеспечивает хорошую адгезию покрытия с подложкой. Процесс проводят в вакууме 10-1 Па.

Процесс можно проводить в химически активной среде. Поэтому можно создавать покрытия из карбидов, нитридов, оксидов. Газовая среда под­бирается такой, чтобы она могла создавать необходимые химические соедине­ния с распыляемым материалом.

ИОННОЕ ПЛАКИРОВАНИЕ

Пары напыляемого материала переносятся на подложку с помощью плазмы возбуждаемой между испарителем и изделием. Процесс ведется в ва­кууме 10-1 Па. Испарение материала 5 проводят двумя путями:

1. Непосредственный или высокочастотный нагрев током;

2. При обстреле материала из электронно-лучевой пушки или атомами инертного газа.

 

Рис.8.3. Схема метода ионного плакирования.

1- Вакуумная камера

2- Привод подложки

3- Подложка

4- Поток ионов

5- Катод

6- Держатель

7- Генератор плазмы

8- Электромагнитная линза

9- Экран

10- Ионизованный газ

В том случае если изделие выполнено из токонепроводящего материала, то изделие покрывают проволочной сеткой, которая является катодом.

После плакирования образуется чистая поверхность с высокой плотно­стью. Покрытия имеют отличную сцепляемость с подложкой, и ионное плаки­рование дает всестороннее плотное, но не всегда однородное покрытие.

Поделиться:





Воспользуйтесь поиском по сайту:



©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...