Содержание отчета. Литература. Лабораторная работа № 7. Порядок выполнения работы. Теоретические сведения

Содержание отчета

 

1. Наименование и цель работы

2. Схему исследования, порядок выполнения работы

3. Результаты измерений по каждому эксперименту.

4. ВАХ.

 

 

Литература

1. Немцов, М. В., М. Л. Немцова. Электротехника и электроника: учебник для среднего профессионального образования по техническим специальностям /- 6-е изд., стер. – Москва: Академия, 2013.
2. Синдеев Ю. Г. Электротехника с основами электроники: Учебное пособие для колледжей. – Ростов – на – Дону: Феникс, 2012. – 407с.

 

 

 

 

Лабораторная работа № 7

    Тема:   Снятие статических характеристик биполярного транзистора по схеме с ОБ

             Цель: Экспериментальное исследование характеристик транзистора при включении по схеме с общей базой.

Порядок выполнения работы

Теоретические сведения

 

Основными вольтамперными характеристиками транзистора являются входная и выходная характеристики.

Зависимость U_вх =f₁(I_вх)|_{Uвых =const} – называют входной статической вольт–амперной характеристикой (ВАХ), а зависимость I_вых=f₂(U_вых) f_{Iвх =const} выходной статической ВАХ. ВАХ снимают в режиме по постоянному току и представляют собой зависимости постоянных токов и напряжений. Характеристики транзистора зависят от схемы его включения.

Для транзистора включенного по схеме с ОБ это будут соответственно зависимости:

Uэб =f1(Iэ), при Uкб=const Iк =f2(Uкб), при Iэ=const

(5)

Характеристики обычно снимаются при нескольких различных постоянных значениях I_э и U_кб. При этом получаются семейства статических входных и выходных характеристик, которые представлены на рис. 1 а, б.

Рис. 1 Входные (а) и выходные характеристики

Входной характеристикой для схемы с ОБ является зависимость напряжения U_эб от входного тока I_э при фиксированном U_кб (рис. 1а). Эта характеристика подобна обычной характеристике полупроводникового диода смещенного в прямом направлении. При подаче положительного коллекторного напряжения U_кб> 0 характеристика смещается влево. Это свидетельствует о наличии в транзисторе внутренней обратной связи, возникающей по ряду причин. Например, увеличение коллекторного напряжения вызывает уменьшение толщины базы, из-за чего увеличивается градиент концентрации основных носителей, что вызывает увеличение тока эмиттера и веерообразное смещение входных характеристик влево.

Выходная характеристика для схемы с ОБ (рис. 1б) выражает зависимость тока коллектора I_к =f₂(U_кб) при заданных входных токах I_э. Как видно из рис. 1б при U_кб=0 ток коллектора I_к ¹ 0, т. к. основные носители области эмиттера, инжектированные в базу, дрейфуют через коллекторный p-n-переход в область коллектора. Ток коллектора I_к (ток неосновных носителей) исчезает (обращается в ноль) только при некотором напряжение обратной полярности (при прямом смещении коллекторного перехода).

Незначительный наклон выходных характеристик указывает на высокое омическое сопротивление коллекторного перехода в закрытом состоянии, достигающий десятков и даже сотен кОм.

Для снятия статических характеристик транзистора с ОБ используется измерительная схема. Эмиттер питается от регулируемого источника тока Iэ (отрицательной полярности), а на коллектор напряжение подается от регулируемого источника напряжения U_к, причем напряжение должно регулироваться в диапазоне от –1В до +10В, т. к. падающая часть выходной характеристики (режим насыщения транзистора), заходит в область отрицательных коллекторных напряжений (рис. 4б).

⇐ Предыдущая234567891011Следующая ⇒

Поделиться:

Воспользуйтесь поиском по сайту: