2. Задания на теоретические расчеты
2. Задания на теоретические расчеты 2. 1. Ознакомиться со схемами включения биполярного транзистора, с методикой исследования и снятия статических вольт-амперных характеристик с ОБ и ОЭ 2. 2. Рассчитать по формуле (15) и построить нагрузочную характеристику Iк= ¦3 (Uкэ) биполярного транзистора для следующих исходных данных Rк=1кОм, 3кОм; Ек=10B; 3. Задания на экспериментальное исследование ЗАДАНИЕ. 1 ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК (ВАХ) ТРАНЗИСТОРА, ВКЛЮЧЕННОГО ПО СХЕМЕ С ОЭ (С ПОМОЩЬЮ АМПЕРМЕТРА-ВОЛЬМЕТРА). 1. Снять входную ВАХ –Iб=F(Uбэ)|Uкэ=const. Собрать схему (рис. 3). Данные занести в таблицу аналогичную табл. 1. Измерения проводить при Iб=0; 0. 01; 0. 05; 0. 1мА, при Uкэ=0 и +15В. По результатам измерений построить графики. 2. Снять семейство выходных ВАХ – Iк=F(Uкэ)|Iб=const. Данные занести в таблицу аналогичную табл. 2.
Таблица 2.
По результатам измерений построить графики семейства выходных ВАХ. ЗАДАНИЕ 2 ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК (ВАХ) ТРАНЗИСТОРА, ВКЛЮЧЕННОГО ПО СХЕМЕ С ОЭ (С ПОМОЩЬЮ ОСЦИЛЛОГРАФА). 1 Снять входную ВАХ – Iб=F(Uбэ)|Uкэ=const. Собрать схему (рис. 4). Получить на экране изображение ВАХ, удобное для снятия показаний. Данные занести в таблицу аналогичную табл. 2 или просто убедиться в их соответствие. 2. Снять семейство выходных ВАХ – Iк=F(Uкэ)|Iб=const. Собрать схему 5. Получить на экране изображение ВАХ, удобное для снятия показаний. Данные занести в таблицу аналогичную табл. 2 и убедиться в их соответствие.
Рис. 5 Отчет должен содержать: 1. Название работы, фамилию и. о. студента и номер группы. 2. Схемы для исследования вольт–амперных характеристик ОБ и ОЭ. 3. Таблица с результатами измерений и графики вольт–амперных характеристик. 4. Вычисленные значения h-параметров транзистора. 5. Контрольные вопросы 1. Схема и методика снятия статических характеристик транзистора для схемы ОБ. 2. Входные и выходные характеристики транзистора, включенные по схеме с ОБ. 3. Схема и методика исследования вольт-амперных характеристик транзистора для схемы ОЭ. 4. Входные и выходные характеристики для схемы включения с ОЭ. Литература
Лабораторная работа № 9-10 Тема: ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЗИСТИВНОГО УСИЛИТЕЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ. Цель: Экспериментальное исследование резистивного усилителя низкой частоты. Теоретическая часть Резистивный усилитель – это усилитель, у которого в качестве нагрузки используются резисторы. Так как в этом усилителе из-за отсутствия катушек индуктивности (индуктивностью выводов элементов пренебрегаем) не возникает колебательных процессов, то резистивный усилитель часто называют апериодическим усилителем. Резисторы в резистивном усилителе используются в качестве внутренней и внешней нагрузки. Схема однокаскадного резистивного усилителя с общим эмиттером (рисунок) при прочих равных условиях дает наибольший коэффициент усиления по мощности. В качестве внутренней и внешней нагрузки используются резисторы RK и RH соответственно. Внешний нагрузочный резистор может отсутствовать, если в качестве внутренней коллекторной нагрузки включены громкоговоритель, реле, линия связи и т. п. Назначение конденсаторов разделение и блокировка
От простейшей схемы усилителя с ОЭ схему отличают две особенности: первая – использование вместо источника смещения (ЕБЭ) резистивного делителя напряжения, состоящего из резисторов R1 и R2. Делитель используется для экономии – не требуется дополнительного относительно сложного и дорогостоящего источника питания. Сопротивления резисторов делителя подбирают так, чтобы на базу относительно эмиттера поступала только часть напряжения питания, равная открывающему напряжению ЕБЭ = 0, 5…0, 8 В. В простейших схемах резистор R2 исключают и устанавливают открывающее напряжение с помощью одного резистора R1; вторая – использование резистора RЭ. Сопротивление этого резистора равно RЭ = 0, 1…1 кОм. Его назначение – обеспечить температурную стабилизацию параметров каскада. Стабилизация возникает благодаря возникающей отрицательной обратной связи, свойства которой будем рассматривать далее. Работа резистивного усилителя при подаче на вход гармонического сигнала иллюстрируется диаграммой токов и напряжений (рис. ). На рис. а приведена передаточная характеристика транзистора. Это зависимость выходного тока коллектора от управляющего напряжения между базой и эмиттером. На характеристике показана рабочая точка, соответствующая открывающему напряжению EБЭ = 0, 5…, 8 В и постоянному току коллектора IКО (для маломощных транзисторов IКО = 0, 1…10 мА). На рис. в) приведена зависимость от времени напряжения на базе транзистора, равного сумме напряжения смещения (ЕБЭ) и входного переменного сигнала. Амплитуда переменного сигнала для обеспечения линейного режима работы усилителя не должна превышать 0, 1 В. Зависимость тока коллектора от времени, показана на рис. б). График получен на основе кривых рис. а) и рис. в). Порядок построения показан стрелками и штриховыми линиями.
Как видим, при увеличении входного напряжения увеличивается ток коллектора транзистора (см. схему). Переменная составляющая этого тока, протекая по резисторам RК и RН создает на коллекторе транзистора переменное напряжение (рис. г). Отметим, что при увеличении тока коллектора напряжение на коллекторе уменьшается, так как увеличивается падение напряжения на резисторах RК и RН – так возникает дополнительный фазовый сдвиг между входным и выходным напряжениями, равный 180°. Напряжение на выходе усилителя, возникающее на резисторе RН будет содержать только переменную составляющую. Постоянное напряжение на коллекторе транзистора, равное UКО = ЕП – RКIКО отделено от резистора RН выходным разделительным конденсатором. Показатели резистивного усилителя легко получить, используя ранее полученные формулы. Входная проводимость резистивного усилителя с учетом резистивного делителя равна:
Выходное сопротивление равно: . При коэффициент усиления усилителя равен: Например, если крутизна маломощного транзистора S = 20 мА/В, а сопротивление нагрузки RH = 0, 5 кОм, то модуль коэффициента усиления по напряжению резистивного усилителя равен К0 = 10. Отметим, что эти показатели получены на так называемых средних частотах входного сигнала, когда сопротивления разделительных и блокировочных конденсаторов пренебрежимо малы, а инерционность транзистора и его паразитные емкости не учитываются. Область средних частот (СЧ) показана на амплитудно-частотной характеристике (АЧХ) резистивного усилителя (рис. ). В области низких частот (НЧ) коэффициент усиления усилителя уменьшается из-за увеличения емкостных сопротивлений разделительных конденсаторов. На нулевой частоте сопротивление разделительных конденсаторов равно бесконечности, и коэффициент усиления усилителя равен нулю. С уменьшением частоты увеличиваются также сопротивления блокировочных конденсаторов. Как правило, это тоже приводит к уменьшению усиления усилителя. На высоких частотах (ВЧ) начинают сказываться инерционность транзистора, емкости его переходов, а также паразитные емкости монтажа, возникающие между выводами радиоэлементов и корпусом устройства. Указанные емкости невелики. Однако с ростом частоты сопротивление внутренних емкостей транзистора и паразитных
емкостей монтажа уменьшается, и в пределе, при f ® ¥, выводы транзистора по переменному напряжению оказываются закороченными, а выводы радиоэлементов – соединенными с корпусом. Поэтому коэффициент усиления усилителя с ростом частоты уменьшается в пределе до нуля. Для описания частотных свойств резистивного усилителя вводятся две граничные частоты: fНЧ и fВЧ – граничные частоты для областей низких и высоких частот соответственно (рис. АЧХ). Как правило, они определяются при условии равенства 0, 707 от значения коэффициента усиления усилителя в области средних частот. Например, для телефонных каналов связи эти частоты обычно равны: fНЧ = 300 Гц; fВЧ = 3400 Гц. Все усилители для телефонной линии должны обеспечивать усиление в указанном диапазоне частот. В противном случае ухудшится качество связи, и, например, будет плохо работать модем компьютера.
Задание и порядок выполнения работы:
1. Приступая к выполнению данной лабораторной работы необходимо запустить программу ELECTRONICS WORKBENCH. После запуска она будет выглядеть следующим образом
2. Для работы необходимо загрузить схему исследования. При нажатии кнопки открывается окно в котором курсором необходимо пометить файл < Резистивный усилитель низкой частоты на дискретных элементах. ewb> и нажать кнопку Открыть. Появится схема изображенная выше 3. Чтобы схема начала функционировать, необходимо нажать кнопку в верхнем правом углу .
4. Определите какого типа и по какой схеме работает транзистор (с ОБ, ОЭ, ОК) в исследуемом усилителе. Подайте на вход усилителя с блока ПГС напряжение синусоидальной формы частотой 1000 Гц и, изменяя величину сопротивления резистора, регулирующего значение выходного напряжения Uвых, добейтесь усиления сигнала; 5. Изменяя входной сигнал от 0, снимите амплитудную характеристику усилителя Uвых= f(Uвх) на частоте входного сигнала 1000 Гц; Исследуйте работу схемы при различных значениях: напряжения входного сигнала Uвх и частоты входного сигнала, проанализируйте полученные результаты, анализ и выводы внесите в отчет по лабораторной работе. 6. По данным измерений постройте характеристику Uвых= f(Uвх) и вольт-амперную характеристику. 7. Анализ, выводы по результатам проведенной самостоятельно лабораторной работы являются защитой работы.
Контрольные вопросы: 1. Принцип работы резистивного усилителя. 2. Функции конденсатора в схеме усилителя.
Содержание отчета:
Воспользуйтесь поиском по сайту: ©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|