 |
Тема 10. Полевые транзисторы с управляющим р-п переходом.
|
|
|
|
Структура и принцип работы полевых транзисторов. Основные характеристики полевых транзисторов. Вольтамперная характеристика транзисторов. Условные обозначения.
Тема 11. Полевые транзисторы с изолированным затвором (МОП и МДП)
Структура работы МОП и МДП транзисторов. Основные характеристики МОП и МДП транзисторов. Конструкция и принцип действия МДП транзисторов с индуцированными каналами. КМОП транзисторов. Вольтамперная характеристика. Условные обозначения.
Тема 12. Логические схемы ДТЛ, ТТЛ, ТТЛШ, ЭСЛ.
Структура, условное обозначение и принцип работы. Логические схемы на диодах. Диодно-транзисторная логика. Транзисторно-транзисторная логика. Транзисторно-транзисторная логика Шоттки. Эмиттерно-связанная логика. Интегрально-инжекционная логика.
Тема 13. Операционные усилители на интегральных микросхемах.
Сумматор на операционном усилителе. Интегратор на операционном усилителе. Суммирующий интегратор. Интегратор-усилитель. Разностный интегратор. Дифференциатор на операционном усилителе. Суммирующий дифференциатор. Дифференциатор-усилитель. Разностный дифференциатор. Повторитель напряжения на операционном усилителе. Схема сложения-вычитания на операционном усилителе.
Тема 14. Печатные плата.
Печатные платы. Описание и использование плат печатных схем. Способы нанесения, используемые материалы. Однослойные, многослойные печатные платы.
Тема 15. Сервомеханизмы.
Системы с разомкнутым и замкнутым контуром, обратная связь. Принципы работы и характеристики систем передачи различных перемещений сельсин-систем, синус-косинусный преобразователь, дифференциально-трансформаторной системы.
|
|
|
Темы лабораторных работ
| № | Наименование темы и содержание | Кол час. |
| Исследование на WORKBENCH полупроводниковых диодов. | ||
| Исследование на WORKBENCH стабилитронов. | ||
| Исследование на WORKBENCH Диодов Шотки, стабисторов, варикапов | ||
| Исследование на WORKBENCH Тиристоров, динисторов, варакторов, варисторов | ||
| Исследование на WORKBENCH Светоизлучающих диодов, фотодиодов, оптронов | ||
| Исследование на WORKBENCH полупроводниковых приборов в различных схемах | ||
| Исследование на WORKBENCH биполярного транзистора | ||
| Исследование на WORKBENCH усилителей класса: А, В, С и Д | ||
| Исследование на WORKBENCH полевого транзистора с управляющим р-п переходом | ||
| Исследование на WORKBENCH полевого транзистора с изолированным затвором МОП и МДП | ||
| Исследование на WORKBENCH Логических схем: ДТЛ, ТТЛ, ТТЛШ, ЭСЛ | ||
| Исследование на WORKBENCH Операционных усилителей на интегральных микросхемах | ||
| Итого: |
ЗАДАНИЯ СРСП
| № | Задание СРСП | Сроки сдачи, периодичность | Форма контроля, |
| Полупроводниковые материалы. | 2 неделя | Опрос | |
| Полупроводниковые диоды. Свойства и характеристики. | 3 неделя | Опрос | |
| Диод Шотки, стабилитроны, стабисторы, варикапы. | 4неделя | Опрос | |
| Тиристоры, динисторы, варакторы, варисторы. | 5неделя | Опрос | |
| Светоизлучающий диоды, фотодиоды, оптроны. | 6 неделя | Опрос | |
| Применение полупроводниковых приборов в различных схемах. | 7 неделя | Опрос | |
| Биполярные транзисторы. Основные характеристики и свойства. | 8 неделя | Опрос | |
| Классы усилителей А, В, С и Д. Характеристики. | 9 неделя | Опрос | |
| Полевые транзисторы с управляющим р-п переходом. | 10 неделя | Опрос | |
| Полевые транзисторы с изолированным затвором (МОП и МДП) | 11 неделя | Опрос | |
| Логические схемы ДТЛ, ТТЛ, ТТЛШ, ЭСЛ. | 12 неделя | Опрос | |
| Операционные усилители на интегральных микросхемах. | 13 неделя | Опрос | |
| Печатные плата. | 14 неделя | Опрос | |
| Сервомеханизмы | 15 неделя | Опрос |
Тема 1. Полупроводниковые материалы.
|
|
|
Цель занятия: Изучение студентами свойств полупроводниковых материалов.
Основные вопросы:
1. Материалы n-типа и р-типа.
2. Примесная и собственная проводимости.
3. Основные и неосновные носители зарядов.
4. Энергетическая диаграмма.
Тема 2. Полупроводниковые диоды.
Цель занятия: Изучение студентами параметров полупроводниковых приборов.
Основные вопросы:
1. Структура.
2. Основные параметры.
3. Вольтамперная характеристика.
4. Свойства и характеристики.
5. Условное обозначение.
Тема 3. Диод Шотки, стабилитроны, стабисторы, варикапы.
Цель занятия: Изучение студентами параметров полупроводниковых приборов.
Основные вопросы:
1.Структура.
2.Основные параметры.
3.Вольтамперная характеристика.
4.Свойства и характеристики.
5.Условное обозначение.
Тема 4. Тиристоры, динисторы, варакторы, варисторы
Цель занятия: Изучение студентами параметров полупроводниковых приборов.
Основные вопросы:
1.Структура.
2.Основные параметры.
3.Вольтамперная характеристика.
4.Свойства и характеристики.
5.Условное обозначение
Тема 5. Светоизлучающий диоды, фотодиоды, оптроны.
Цель занятия: Изучение студентамипараметров полупроводниковых приборов.
Основные вопросы:
1.Структура.
2.Основные параметры.
3.Вольтамперная характеристика.
4.Свойства и характеристики.
5.Условное обозначение.
Тема 6. Применение полупроводниковых приборов в различных схемах.
Цель занятия: Изучение студентамисхемотехники и их характеристики.
Основные вопросы:
1. Схемы выпрямления напряжения.
2. Схемы умножения напряжения.
3. Схемы управления.
4. Схемы стабилизации напряжения.
Тема 7. Биполярные транзисторы. Основные характеристики и свойства
Цель занятия: Изучение студентамипараметров полупроводниковых приборов.
Основные вопросы:
1.Структура.
2.Основные параметры.
3.Вольтамперная характеристика.
4.Свойства и характеристики.
5.Условное обозначение
|
|
|
