Параметры оптического излучения
Параметры оптического излучения, а также их определения, расчетные формулы, единицы величин и обозначения сведены в таблице 2.4.
Таблица 2.4 – Энергетические и световые параметры оптического излучения
Излучение в оптическом диапазоне может характеризоваться как волновыми, так и корпускулярными категориями и параметрами и может быть представлено в виде потока фотонов. Энергия каждого фотона определяется соотношением , (2.80) где h – постоянная Планка, равная 4,13×10-15 эВ×с; с – скорость света в вакууме, равная 3×108 м/с; n – показатель преломления оптической среды; n, l – частота колебаний, Гц, и длина волны, м, оптического излучения. Пусть в единицу времени через единичную площадь проходит Nф фотонов. Тогда поток излучения Ф определяется выражением
, (2.81) где S – площадь. Поток излучения при заданном Nф тем больше, чем короче длина волны излучения. Полезно выразить число фотонов через энергетические параметры излучения , (2.82) где Nф измеряется в l/(м2×c); l - в мкм; Ф/S - в Вт/м2.
Тестовые вопросы к главе 2 «Физические основы оптоэлектроники» 2.1. Какой длине волны соответствует максимальная чувствительность глаза:
2.2. Какой длине волны соответствует минимальная чувствительность глаза в области близкой к ультрафиолетовому излучению:
б) 0,45 мкм; в) 0,5 мкм; г) 0,6 мкм
2.3. Какой длине волны соответствует минимальная чувствительность глаза в области близкой к инфракрасному излучению:
б) 0,62 мкм; в) 0,55 мкм; г) 0,5 мкм.
2.4. Какой из материалов относится к непрямозонным материалам:
б) GaP; в) GaN; г) CdS.
2.5. Какие из пар материалов позволяют создавать гетеро оптоэлектронные приборы:
2.6. Какой механизм генерации излучения реализуется в полупроводниках: а) эффект термоэлектронной эмиссии; б) эффект генерации электронно-дырочных пар; в) эффект рекомбинации; г) эффект фотолюминесценции.
2.7. Какие из указанных материалов пригодны для изготовления излучающих приборов:
2.8. Какие из указанных материалов пригодны для изготовления фотоприемников:
2.9. Материалы с какой шириной запрещенной зоны используются для изготовления оптоэлектронных приборов видимой области спектра:
2.10. Какая из составляющих общего тока р-n - перехода обеспечивает инжекционную электролюминесценцию: а) обратный ток р-n – перехода;
б) прямой ток р-n – перехода; в) туннельный ток; г) ток утечки по поверхности р-n – перехода. ПРИБОРЫ НЕКОГЕРЕНТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ Источники света Разновидности источников В прошлом к источникам искусственного света для бытового освещения и промышленного оборудования относили электрические лампы накаливания, люминесцентные лампы, газоразрядные источники света, наполненные парами, и неоновые лампы. Излучение этих источников лежит в широком диапазоне длин волн спектра, значительная часть которого выходит за пределы видимой области. Достижения полупроводниковой электроники за последнее десятилетие позволяют включить в этот перечень новые источники света – светодиоды (СД). Отличительной особенностью этих полупроводниковых приборов является то, что создаваемое ими излучение лежит в весьма узком спектральном диапазоне [30] (в соответствии с рис. 3.1). В таблице 4.1 приведены используемые в оптоэлектронике единицы измерения длин волн l. Наиболее распространенной среди них является нанометр.
Рис. 3.1. Нормализованные спектры некоторых источников излучения: 1 – зеленый СИД, 2 – желтый СИД, 3 – красный СИД, 4 – инфракрасный СИД, 5 – лампа накаливания с вольфрамовой нитью, температура 2500 К, 6 – лампа накаливания с вольфрамовой нитью, температура 3400 К, 7 – неоновая лампа
Согласно теории проводимости твердого тела, при прохождении тока через p-n-переход в результате рекомбинации дырок или электронов с носителями заряда противоположного знака всегда выделяется световая (фотоны) или тепловая (фононы) энергия.
Таблица 3.1 – Единицы измерения длин волн
Одним из положений квантовой теории является то, что в твердых кристаллах электроны могут иметь только определенную энергию; запрещенная энергетическая зона представляет собой промежуток между верхом валентной зоны и дном зоны проводимости. Эта зона характеризует полупроводник, а ее ширина, выраженная в электрон-вольтах (эВ), определяет длину волны испускаемого излучения. Проведенный изготовителями анализ различных полупроводниковых материалов с точки зрения их пригодности для изготовления светодиодов по таким параметрам, как длина волны, эффективность преобразования энергии и легкость легирования, позволил остановить выбор на арсениде галлия (GaAs), фосфиде галлия (GaP) и соединении (GaAsP).
Воспользуйтесь поиском по сайту: ©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|