Полупроводниковых структур.
На рис. 2.24. приведена схема электронных переходов при поглощении энергии полупроводниками. В излучателях используются обратные переходы при которых энергия электронов уменьшается в полупроводниках с различной шириной запрещенной зоны EG и различными примесями. Первый переход называется межзоновым. Для получения излучения в диапазоне 0,38 – 0,78 мкм используются прямозонные полупроводники с шириной запрещенной зоны EG = 1.6 ÷ 3 эВ. Переходы 2.3.4 – излучательные переходы с участием примесных уровней центров свечения. Второй переход иллюстрирует рекомбинацию электрона находившегося в зоне проводимости и дверки в валентной зоне через промежуточный акценторный уровень. Третий переход соответствует случаю когда рекомбинация происходит через донорный (Д) и акцепторный (А) уровни примесей. Четвертый случай показывает переход электрона с возбужденного на основной уровень в пределах примесного центра (случай внутрицентровой рекомбинации). Добавки Fe, Co, Ni приводят к безизлучательным переходам через центры тушения. Пятый переход наблюдается при низких температурах и высоких уровнях возбуждения и соответствует рекомбинации через экситонные состояния.
Рис. 2.24. Обратные электронные переходы при поглощении энергии полупроводниковыми материалами Эффект испускания фотонов полпроводниковыми структурами используется в излучающих диодах. Излучающие диоды используются в качестве излучателей в различных системах индикации, отображения информации, в волоконно-оптических линиях связи и во многих других устройствах, при этом диод выступает как отдельный самостоятельный элемент устройства – как дискретный оптоэлектронный прибор, или может входить в состав другого оптоэлектронного прибора, например оптопары. Во втором случае излучающая структура должна обеспечить одновременно высокую мощность излучения, возможно более узкую диаграмму направленности и высокое быстродействие. Только при таком сочетании параметров излучатель хорошо согласуется с фотоприемником оптопары и характеристики оптопары оптимальны. Для излучающих диодов, не входящих в состав оптопары, требования к направленности излучения обычно существенно ниже. Кроме того, светоизлучающие диоды могут иметь относительно низкое быстродействие, т. е. низкую скорость преобразования электрической энергии в световую.
В зависимости от способа приема излучения излучающего диода – визуального или невизуального – оптические свойства излучения диода описываются световыми или энергетическими параметрами. При визуальной передаче информации (в знаковых индикаторах, при подсветке надписей и пусковых кнопок, для индикации состояния электронного устройства и т. п.) приемником излучения служит человеческий глаз. Невизуальная передача информации характеризуется тем, что обнаружение потока излучения от диода, работающего обычно в инфракрасном диапазоне, исключает человеческое зрение и осуществляется физическим фотоприемником. К невизуальной области применения относятся, например, устройства считывания с перфокарт и перфолент вычислительных машин, всевозможные оптические устройства связи и сигнализации и т.п. Эффективность излучающего диода характеризуют зависимостями параметров оптического излучения от прямого тока через диод (излучающие характеристики) и от длины волны излучения (спектральные характеристики). Для ИК-диодов излучательная характеристика представляет собой зависимость потока излучения Фe от прямого тока Iпр (в соответствии с рис. 2.25).
Рис. 2.25. Излучательная характеристика СИД (кривой 1 соответствует верхняя шкала, кривой 2 – нижняя) Для светоизлучающих диодов излучательная характеристика задается обычно зависимостью силы света Iv от прямого тока Iпр. В качестве параметра электрического режима выбран прямой ток через диод, а не падение напряжения на диоде. Это связано с тем, что p-n - переход излучающего диода включен в прямом направлении и электрическое сопротивление диода мало. Поэтому можно считать, что прямой ток через излучающий диод задается внешней цепью, изменяется в широком диапазоне и легко измеряется. При малых токах Iпр велика доля безызлучательной рекомбинационной составляющей тока и коэффициент инжекции мал. C ростом прямого тока поток излучения сначала быстро увеличивается – до тех пор, пока в токе диода не становится преобладающей диффузионная составляющая тока. Дальнейшее увеличение Iпр приводит к постепенному насыщению центров люминесценции и снижению излучательной способности диода. Кроме того, с ростом тока увеличивается вероятность ударной рекомбинации, что также уменьшает излучательную способность. Совместное действие рассмотренных механизмов влияния прямого тока на силу излучения приводит к тому. Что излучательная характеристика имеет максимум при некотором токе. Максимальная сила излучения зависит от площади и геометрии излучающего p-n - перехода и от размеров электрических контактов. Зависимость длины волны от параметров оптического излучения (или от энергии излучаемых фотонов) называется спектральной характеристикой излучающего диода. Длина волны излучения определяется разностью двух энергетических уровней, между которыми происходит переход электронов при люминесценции. В связи с разной шириной запрещенной зоны у различных материалов длина волны излучения различна в разных типах излучающих диодов. Примеры спектральных характеристик приведены на рис. 2.26. Рис. 2.26. Спектральная характеристика глаза, СИД фотодиода
Так как переход электронов при рекомбинации носителей зарядов обычно происходит не между двумя энергетическими уровнями, а между двумя группами энергетических уровней, то спектр излучения оказывается размытым. Спектральный диапазон излучающего диода характеризуют шириной спектра излучения Dl0,5 измеряемой на высоте 0,5 максимума характеристики. Излучение большинства излучающих диодов близко к квазимонохроматическому (Dl/lmax<<1) и имеет относительно высокую направленность распределения мощности в пространстве.
Независимо от того, насколько эффективен излучающий диод, выходное излучение даже большой мощности не будет зарегистрировано, если длина волны излучения не соответствует спектру излучения, на который реагирует фотоприемник. В огромном большинстве случаев применения излучающий диод должен быть спектрально согласован либо с человеческим глазом, либо с кремниевым фотоприемником. Диапазон спектральной чувствительности фотоприемника составляет примерно (0,3¸1,1) мкм. Человеческий глаз обладает существенно более узким диапазоном чувствительности с практически полезной областью (0,4¸0,7) мкм. Для эффективной работы пары излучатель – фотоприемник необходимо тщательное согласование спектральных характеристик этих приборов. Например, при согласовании с человеческим глазом светоизлучающего диода на основе GaAsP согласование обеспечивается выбором такой длины волны, на которой произведение относительной световой эффективности глаза V(l) и квантового выхода СИД h является максимальным, т.е. V(l)h (l)=max. (2.79) Этот максимум достигается при l=655 нм (в соответствии с рис. 2.27) – при красном цвете излучения. В СИД, имеющих более короткие длины волн излучения (например, с lmax = 565 нм – зеленый цвет и lmax = 585 нм – желтый цвет), значение h обычно существенно ниже, чем у излучающего диода красного цвета. Однако относительная чувствительность глаза при такой длине волны значительно больше. В результате удается получить набор излучателей от красного до зеленого цвета свечения, которые имеют одно и то же значение произведения V(l)h (с точностью до порядка величины). Рис. 2.27. Согласование спектральной характеристики светодиода и относительной световой эффективности
На рис. 2.27 представлены также для сравнения спектральные характеристики чувствительности человеческого глаза и фотодиода (пунктир) в относительных единицах. Следует подчеркнуть особенности спектрального согласования излучающего диода с фотодиодом. С одной стороны, Такое согласование облегчается. Так как спектральный диапазон фотодиода значительно шире, чем спектр V(l). С другой стороны, спектральное согласование не всегда является решающим фактором эффективной работы пары излучатель - фотодиод.
Воспользуйтесь поиском по сайту: ©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|