Оперативные запоминающие устройства для видеоадаптеров

Использование памяти в видеоадаптерах имеет свою специфику и для реализации дополнительных требований прибегают к несколько иным типам микросхем. Так, при создании динамичных изображений часто достаточно просто изменить распо­ложение уже хранящейся в видеопамяти информации. Вместо того чтобы много­кратно пересылать по шине одни и те же данные, лишь несколько изменив их рас­положение, выгоднее заставить микросхему памяти переместить уже хранящиеся в ней данные из одной области ядра в другую. На ИМС памяти можно также воз­ложить операции по изменению цвета точек изображения.

Кратко рассмотрим некоторые из типов ОЗУ, ориентированных на примене­ние в качестве видеопамяти.

Микросхемы SGRAM. Аббревиатура SGRAM (Synchronous Graphic DRAM - синхронное графическое динамическое ОЗУ) обозначает специализированный вид синхронной памяти с повышенной внутренней скоростью передачи данных. SGRAM может самостоятельно выполнять некоторые операции над видеоданными, в част­ности блочную запись. Предусмотрены два режима такой записи. В первом — ре­жиме блочной записи (Block Write) — можно изменять цвет сразу восьми элементов изображения (пикселов). Назначение второго режима — блочной записи с маски­рованием определенных битов (Masked Write или Write-per-Bit) — предотвратить изменение цвета для отдельных пикселов пересылаемого блока. Имеется также модификация данной микросхемы, известная как DDR SGRAM, отличие которой очевидно из приставки DDR. Использование обоих фронтов синхросигналов ве­дет к соответствующему повышению быстродействия ИМС.

Микросхемы VRAM. ОЗУ типа VRAM (Video RAM) отличается высокой про­изводительностью и предназначено для мощных графических систем. При разра­ботке ставилась задача обеспечить постоянный поток данных при обновлении изоб­ражения на экране. Для типовых значений разрешения и частоты обновления изображения интенсивность потока данных приближается к 200 Мбит/с. В таких условиях процессору трудно получить доступ к видеопамяти для чтения или за­писи. Чтобы разрешить эту проблему, в микросхеме сделаны существенные архи­тектурные изменения, позволяющие обособить обмен между процессором и яд­ром VRAM для чтения/записи информации и операции по выдаче информации на схему формирования видеосигнала (ЦАП — цифро-аналоговый преобразова­тель). Связь памяти с процессором обеспечивается параллельным портом, а с ЦАП — дополнительным последовательным портом. Кроме того, динамическое ядро DRAM дополнено памятью с последовательным доступом (SAM — Serial Access Memory) емкостью 4 Кбайт. Оба вида памяти связаны между собой широ­кой внутренней шиной. Выводимая на экран информация порциями по 4 Кбайт из ядра пересылается в SAM и уже оттуда, в последовательном коде (последователь­ный код формируется с помощью подключенных к SAM сдвиговых регистров), поступает на ЦАП. В момент перезаписи в SAM новой порции ядро VRAM полно­стью готово к обслуживанию запросов процессора. Наряду с режимами Block Write и Write-per-Bit микросхема реализует режим Flash Write, позволяющий очистить целую строку памяти. Имеется также возможность маскировать определенные ячейки, защищая их от записи.

Микросхемы WRAM. Данный вид микросхем, разработанный компанией Sam­sung, во многом похож на VRAM. Это также двухпортовая память, допускающая одновременный доступ со стороны процессора и ЦАП, но по конструкции она не­сколько проще, чем VRAM. Имеющиеся в VRAM, но редко используемые функ­ции исключены, а вместо них введены дополнительные функции, ускоряющие вывод на экран текста и заполнение одним цветом больших площадей экрана. В WRAM применена более быстрая схема буферизации данных и увеличена раз­рядность внутренней шины. Ускорено также ядро микросхемы, за счет использо­вания режима скоростного страничного режима (UFP — Ultra Fast Page), что обес­печивает время доступа порядка 15 нс. В среднем WRAM на 50% производительнее, чем VRAM, и на 20% дешевле. Применяется микросхема в мощных видеоадапте­рах.

Микросхемы MDRAM. Микросхема типа MDRAM (Multibank DRAM — мно­гоблочное динамическое ОЗУ) разработана компанией MoSys и ориентирована на графические карты. Память содержит множество независимых банков по 1К 32-разрядных слов каждый. Банки подключены к быстрой и широкой внутренней шине. Каждый банк может выполнять определенные операции независимо от дру­гих банков. Отказ любого из банков ведет лишь к сокращению суммарной емкости памяти и некоторому снижению показателей быстродействия. Благодаря блочно­му построению технология позволяет изготавливать микросхемы практически любой емкости, не обязательно кратной степени числа 2.

Микросхемы 3D-RAM. Этот тип памяти разработан совместно компаниями Mitsubishi и Sun Microsystems с ориентацией на трехмерные графические ускори­тели. Помимо массива запоминающих элементов, микросхема 3D-RAM (трехмер­ная RAM) содержит процессор (арифметико-логическое устройство) и кэш-па­мять. Процессор позволяет выполнять некоторые операции с изображением прямо в памяти. Основные преобразования над пикселами реализуются за один такт, поскольку стандартная последовательность действий «считал, изменил, записал» сводится к одной операции — «изменить», выполняемой в момент записи. Про­цессор микросхемы позволяет за секунду выполнить около 400 млн операций по обработке данных и закрасить до 4 млн элементарных треугольников. Кэш-память обеспечивает более равномерную нагрузку на процессор при интенсивных вычис­лениях. Ядро 3D-RAM состоит из четырех банков общей емкостью 10 Мбит. Раз­мер строк памяти выбран таким, чтобы в пределах одной и той же области памяти находилось как можно больше трехмерных объектов. Это дает возможность сэко­номить время на переходы со строки на строку. По цене данный тип микросхем сравним с VRAM.

Многопортовые ОЗУ

В отличие от стандартного в n-портовом ОЗУ имеется п независимых наборов шин адреса, данных и управления, гарантирующих одновременный и независи­мый доступ к ОЗУ п устройствам. Данное свойство позволяет существенно упро­стить создание многопроцессорных и многомашинных вычислительных систем, где многопортовое ОЗУ выступает в роли общей или совместно используемой па­мяти. В рамках одной ВМ подобное ОЗУ может обеспечивать обмен информацией между ЦП и УВВ (например, контроллером магнитного диска) намного эффек­тивней, чем прямой доступ к памяти. В настоящее время серийно выпускаются двух- и четырехпортовые микросхемы, среди которых наиболее распространены первые.