 |
Механические деформации кристаллов
|
|
|
|
Прочность кристалла определяется его способностью реагировать на удар, раздавливание, растягивание, сжатие и т. д. При воздействии на кристалл внешней растягивающей нагрузки расстояние между атомами увеличивается, и их равновесное положение в кристалле нарушается. Это приводит к нарушению равенства сил притяжения и отталкивания, характерного для равновесного состояния атомов в кристаллической структуре, и возникновению внутренних сил, стремящихся вернуть атомы в первоначальное равновесное положение.
Величина сил, стремящихся вернуть атомы кристалла в первоначальное равновесное положение, рассчитанная на единицу площади поперечного сечения кристалла, называется напряжением.
Упругие деформации
Упругой деформацией называется деформация, которая возникает при малых смещениях атомов и является обратимой, она полностью снимается при снятии нагрузки.
Напряжение, которое выдерживает образец, при упругой деформации называется пределом упругости.
При непрерывном увеличении внешней нагрузки непрерывно растут внутренние напряжения и деформация. При достижении некоторого предела наблюдается разрушение или кристалла, в этом случае материал является хрупким, или возникновение остаточной деформации, не исчезающей после снятия нагрузки.
Напряжение, при котором начинается заметное течение тела, называется пределом текучести.
Для характеристики упругости используется коэффициент линейного сжатия или растяжения, т. е. изменения длины кристалла под воздействием определенного давления:
,
где l – изменение длины кристалла; р – давление.
Обычно для расчетов используется обратная величина, названная модулем Юнга:
|
|
|
.
Если отложить от какой-либо точки внутри кристалла величины коэффициентов растяжения (или сжатия) в виде векторов и соединить их концы, то полученная поверхность, часто сложной формы, – поверхность коэффициентов растяжения (сжатия), вид поверхности укажет на возникшие в кристалле деформации. Симметрия этой поверхности будет связана с симметрией кристалла. Для аморфных веществ поверхность коэффициентов растяжения (или сжатия) имеет форму шара.
Пластические деформации
Пластической деформацией называется деформация, при которой после снятия нагрузки кристалл не возвращается в исходное состояние.
Пластическая деформация наблюдается у разных веществ при различных нагрузках. При этом степень деформации до разрушения кристалла может изменяться в широких пределах – от нескольких единиц до сотен процентов. Кристаллы, у которых такие деформации очень малы, называются хрупкими.
В результате пластической деформации одна часть структуры смещается относительно другой параллельно определенным атомным сеткам без разрыва. Если ориентация смещенных частей кристалла сохраняется, то такая деформация называется скольжением (рис. 3.2.).
Рис. 3.2. Схема плоскостного скольжения
При изменении взаимной ориентации соседних блоков, могут образоваться двойники смещения (рис. 3.3).
Рис. 3.3. Схема образования двойника смещения
Способность кристалла к пластической деформации определяется, прежде всего, характером сил химической связи между его структурными элементами.
Ковалентная связь, обладающая строгой направленностью, резко ослабляется уже при незначительных смещениях атомов относительно друг друга. При сдвиге эта связь разрушается раньше, чем атомы успевают установить ее с другими своими соседями. Поэтому кристаллы с ковалентным типом связи (например, сурьма, мышьяк и др.) не проявляют способности к пластической деформации.
|
|
|
Металлическая связь, не обладающая направленностью, наоборот, меняется очень слабо при смещениях атомов относительно друг друга. Поэтому возможны значительные смещения (на тысячи атомных расстояний) одних частей структуры относительно других. Это определяет высокую степень пластичности металлов. Характерная для многих металлов ковкость – не что иное, как проявление пластической деформации. Причем скольжение легче всего происходит в направлениях, параллельных слоям плотнейших упаковок структур металлов. Наиболее ковкими являются те металлы, структуры которых построены по закону кубической плотнейшей упаковки, имеющей четыре направления плотноупакованных слоев. Менее ковки металлы с гексагональной плотнейшей упаковкой – с одним направлением плотнейших слоев. Случай скольжения неплотных слоев наименее благоприятен. Так, среди полиморфных модификаций железа 
и 
ковкостью почти не обладают, тогда как 
(с кубической плотнейшей упаковкой) – ковкий металл, так же как медь и золото.
Ионная связь занимает промежуточное положение между металлической и ковалентной. Она ненаправленна, но и не столь гибка, как металлическая. Типичные ионные кристаллы хлорида натрия, фторида кальция и др. такие же хрупкие, как кристаллы с ковалентной связью. Но в то же время они обладают достаточно высокой пластичностью. Скольжение в них протекает по определенным кристаллографическим направлениям. Это объясняется тем, что в структуре кристалла (например, кристалла NaСl, рис. 3.4) можно выделить сетки (110), образованные либо одними нонами натрия, либо ионами хлора.
Рис. 3.4. Схема скольжения в структуре хлорида натрия вдоль плоскости (110) (а-а – плоскость скольжения)
При пластической деформации одна плоская сетка передвигается относительно соседней, таким образом, что ионы натрия скользят вдоль ионов хлора. Разноименность зарядов ионов в соседних сетках препятствует разрыву, и они остаются параллельными своему исходному положению. Скольжение вдоль этих плоскостей протекает при минимальном нарушении в расположении атомов, и является поэтому, наиболее легким.
В процессе деформирования твердых тел их внутренняя энергия возрастает. Это энергия остаточных напряжений, возникающих в упруго напряженных участках кристаллической структуры. Повышение внутренней энергии приводит к возникновению и развитию в кристалле процессов, стремящихся вернуть его в равновесное состояние. Этот процесс протекает без видимого изменения структуры и называется отдых. С другой стороны, снятие напряжения сопровождается интенсивно развивающимся процессом рекристаллизации, когда внутри кристалла возникают и растут новые кристаллы, свободные от внутренних напряжений. Центры таких кристаллов зарождаются в наиболее искаженных областях структуры. В результате таких процессов монокристалл переходит в поликристаллическое состояние.
|
|
|
|
|
|
