Разбиение функциональных элементов по корпусам микросхем
Стр 1 из 3Следующая ⇒
Общее описание алгоритма. Общая схема процесса последовательной компановки по связности имеет следующий вид. Пусть дана схема соединения элементовов множеств
.
Определим последовательный процесс назначения элементов
в узлы Br(),на каждом шаге которого выбирается один из неразделенных элементов и приписывается очередному узлу. Узел считается завершенным, если число элементов в узле равно зачетному числу K. После завершения очередного узла аналогичная процедура повторяется для следующего узла, причем кандидатами для назначения являются элементы не включенные в предыдущие узлы. Процесс заканчивается когда все элементы из множества E распределены. Исходные данные являются: -электрическая схема устройства. -максимально допустимое число элементов в модуле. Электрическую схему удобно представлять графом G=(E,V), где множество вершин Е соответствует элементам эл-ой схемы, а множество ребер V –эл-ким связям между элементами. В таком виде задача компоновки может быть сформулирована как задача разрезания графа G=(E,V) на множество подграфов
Gr=(Er,Vr),где r=1,2,3… .
В каждом подграфе число вершин соответственно Er должно не превосходить ранее заданного ограничения на число элементовов в узле К. Для любого разбиения должны выполняться следующие условия:
(1) =Æ; (2) (3)
При проведении компоновки без учета ограничения на кол-во внешних выводов в узле все модули, кроме последнего, будут иметь полное заполнение. и последнее условие примет вид
(4)
Пошаговое описание алгоритма. Шаг 1. Формирование очередного подграфа Gr(r=1,2,3… ) начинается с выбора базовой вершины из множества нераспределенных вершин Ir. В начале процесса все вершины считаются нераспределенными, т.е. Ir=E.Критерием выбора вершины на роль базовой является ее степень () (под степенью вершины графа будем понимать кол-во ребер данного графа, инцидентных ей). Выбор происходит в соответствии со следующим условием:
(5)
Базовая вершина будет первой по порядку вершиной подграфа Gr(Er,Vr), а оставшиеся вершины, принадлежащие множеству , являются кандидатами для включения в подграф Gr на последующих шагах алгоритма. Базовая вершина является, во-первых, как бы “центром” группирования, к которому прибавляются новые вершины, во-вторых, центром факторизации. Шаг 2. Из множества выделяется подмножество Г() вершин, связанных с .Шаг 3. Для эл-та X введем функционал:
L(x)= (6)
определяющий число цепей, связывающих вершину X и вершины из множества Г и Ir\ .Для упрощения записей будем отождествлять элемент (множество элементов).для формального вычисления функционала будем пользоваться формулой:
(7)
где -число связей между вершинами и . Шаг 4. Из всех вершин выбирается такая, у которой значение функционала минимально. Очевидно,что вершина для которой это условие будет выполняться, максимально связана с . Эта вершина включается во множество Еr вершин Gr. Множество вершин подграфа Gr приобретает следующий вид:
где , а верхний индекс в обозначении в общем случае указывает кол-во шагов выборки. Шаг 5. Происходит стягивание вершин подграфа Gr в вершину .Этот процесс далее будем называть факторизацией, вершину - центром факторизации, а кол-во вершин стянутых в ,кроме него самого, степенью факторизации. Центр факторизации со степенью факторизации ,отличной от нуля, будем обозначать символом и называть гипервершиной степени . После данного процесса множество преобразуют в одноэлементное множество
содержащее гипервершину степени .
В указанных обозначениях первый процесс факторизации запишется следующим образом:
.
В общем случае на ом шаге выборки все указанные преобразования будут иметь вид:
.
=1,2,3…,Кс-1,где Кс-допустимая мощность множества вершин формируемого подграфа (кол-во элементов в конструктивном узле). Шаг 6. Действия описанные в шагах 2,3,4,5, повторяются до полного заполнения формируемого модуля. Далее весь процесс повторяется до тех пор, пока не будет сформирован ( -1) модуль. Последний же -й полностью включает в себя множество , так как .
Выполнение компоновки. В данной электрической функциональной схеме элементы типа И-НЕ заменим элементами 2И-НЕ, в целях уменьшения количества микросхем и себестоимости платы. Данную электрическую функциональную схему разбиваем на 3 блока. Далее выполняем компоновку для каждого блока, для чего представляем их в виде графов, где множеству вершин соответствуют элементы электрической схемы блока, а множество ребер электрическим связям между этими элементами. Расчеты для первого блока: Чертим граф для элементов типа 3И-НЕ:
Рис.1
Воспользуйтесь поиском по сайту: ©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|