Главная | Обратная связь | Поможем написать вашу работу!
МегаЛекции

Характеристики отечественных однокристальных микроЭВМ




 

Примером последовательного развития отечественных ОмЭВМ может служить таблица А1 [6, 7]. Наиболее доведённой до практического применения являлась серия 1850. Расположение названий типов ОмЭВМ по строкам отражает развитие этого направления во времени. Заметен рост вычислительных ресурсов за счёт увеличения ёмкости ПЗУ программ, в том числе и в появлении внешнего ПЗУ программ. Улучшалась технология изготовления ПЗУ, ведущая к программированию с помощью простых аппаратных средств, расширялась система команд. Возрастала разрядность шины данных и увеличивалось значение тактовой частоты. При этом снижалась мощность, потребляемая от источника питания.

Появились встроенные таймеры, обеспечивалась обработка запроса на прерывание работы основной программы. Также появились внутренние АЦП, ЦАП и входное УВХ.

 

Таблица А1 - Характеристики БИС отечественных ОмЭВМ

Тип (аналог) Значения параметров
КБ1013ВК1-2 Разрядность шины данных: 4. РПИТ: 200 мкВт. Внутреннее ПЗУ программ: 29 страниц 63×8 бит.
КБ1013ВК4-2 РПИТ: 200 мкВт. Внутреннее ПЗУ программ: 44 страницы 63х8 бит.
К1813ВЕ1 (i2920) fT: 6,67 МГц. Внутреннее ПЗУ программ: 4608 бит (192х24). Тип внутреннего ПЗУ: УФ ППЗУ. Внутреннее регистровое ОЗУ: 1 Кбит (40х25). Примечание: 21 команда; внутренние АЦП, ЦАП; входное УВХ.
КР1814ВЕ2 (TMS1000NLL) Разрядность шины данных: 4. Внутреннее ПЗУ программ: 1 К бит (16х64 байт). Тип внутреннего ПЗУ: масочное. Внутреннее регистровое ОЗУ: 64х4 бит. Примечание: 43 команды.
К1814ВЕ3 (TMS1099) Разрядность шины данных: 4. fT: 0,35 МГц. Внутреннее регистровое ОЗУ: 64х4 бит. Примечание: 43 команды.
КР1814ВЕ4 (TMS1200) Разрядность шины данных: 4. Внутреннее ПЗУ программ: 1 Кбит. Тип внутреннего ПЗУ: масочное. Внутреннее регистровое ОЗУ: 64х4 бит. Примечание: 43 команды.
КР1816ВЕ31 (i8031АН) Разрядность шины данных: 8. fT: до 12 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во)х(разрядн.): 4х8. UПИТ: 5 В; IПИТ: 150 мА. Внутреннее регистровое ОЗУ: 128х8 бит. Внешняя память программ: 64 Кх8. Внешняя память данных: 64 Кх8. Кол-во таймеров/разрядность: 2/16. Число источников прерываний; внешних выводов/приоритет: 5; 2/2.
КР1816ВЕ35 (i8035) Разрядность шины данных: 8. fT: 6 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во)х(разрядн.): 3х8. UПИТ: 5 В; IПИТ: 135 мА. Внутреннее регистровое ОЗУ: 64х8 бит. Внешняя память программ: 4 Кх8. Внешняя память данных: 384х8. Кол-во таймеров/разрядность: 1/8.
КР1816ВЕ39 (i8039)   Разрядность шины данных: 8. fT: 11 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во)х(разрядн.): 3х8. UПИТ: 5 В; IПИТ: 110 мА. Внутреннее регистровое ОЗУ: 128х8 бит. Внешняя память программ: 4 Кх8. Внешняя память данных: 384х8. Кол-во таймеров/разрядность: 1/8.
КР1816ВЕ48 (i8048) Разрядность шины данных: 8. fT: 6 МГц. Внутреннее ПЗУ программ: 1 Кх8 бит. Тип внутреннего ПЗУ: УФ ППЗУ. Внутреннее регистровое ОЗУ: 64х8 бит. Три 8-разрядных порта ввода-вывода.
КР1816ВЕ49 (i8049) Разрядность шины данных: 8. fT: 11 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во)х(разрядн.): 3х8. Внутреннее ПЗУ программ: 2 Кх8 бит. Тип внутреннего ПЗУ: масочное (или УФ ППЗУ, без ПЗУ). Внутреннее регистровое ОЗУ: 128х8 бит. Внешняя память программ: 4 Кх8. Внешняя память данных: 256х8. Кол-во таймеров/разрядность: 1/8. Примечание: 111 команд.
КР1816ВЕ51 (i8051АН) Разрядность шины данных: 8. fT: 12 МГц. Внутреннее ПЗУ программ: 4 Кх8 бит. Тип внутреннего ПЗУ: масочное. Внутреннее регистровое ОЗУ: 128х8 бит.
КР1816ВЕ751 (i8749Н) Разрядность шины данных: 8. fT: до 12 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во)х(разрядн.): 4х8. UПИТ: 5 В; IПИТ: 220 мА. Внутреннее ПЗУ программ: 4 Кбит. Тип внутреннего ПЗУ: УФ ППЗУ. Внутреннее регистровое ОЗУ: 128х8 бит. Внешняя память программ: 64 Кх8. Внешняя память данных: 64 Кх8. Кол-во таймеров/разрядность: 2/16. Число источников прерываний; внешних выводов/приоритет: 5; 2/2.
КР1820ВЕ1 (СОР402) Разрядность шины данных: 4. fT: 4 МГц. UПИТ: 5 В; IПИТ: 35 мА. Внутреннее регистровое ОЗУ: 64х4 бит. Число источников прерываний; внешних выводов/приоритет: 1;. Примечание: 49 команд.
К1820ВЕ2 (СОР420) Разрядность шины данных: 4. fT: 4 МГц. UПИТ: 5 В; IПИТ: 35 мА. Внутреннее ПЗУ программ: 1024х8 бит. Тип внутреннего ПЗУ: масочное. Внутреннее регистровое ОЗУ: 64х4 бит. Число источников прерываний; внешних выводов/приоритет: 1;. Примечание: 49 команд.
КР1830ВЕ31 (i80С31ВН) Разрядность шины данных: 8. fT: до 12 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во)х(разрядн.): 4х8. UПИТ: 5 В; IПИТ: 18 мА. Внутреннее регистровое ОЗУ: 128х8 бит. Внешняя память программ: 64 Кх8. Внешняя память данных: 64 Кх8. Кол-во таймеров/разрядность: 2/16. Число источников прерываний; внешних выводов/приоритет: 5; 2/2.
КР1830ВЕ35 (i80С35) Разрядность шины данных: 8. fT: до 6 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во)х(разрядн.): 3х8. UПИТ: 5 В; IПИТ: 8 мА. Внутреннее регистровое ОЗУ: 64х8 бит. Внешняя память программ: 4 Кх8. Внешняя память данных: 384х8. Кол-во таймеров/разрядность: 1/8.
КР1830ВЕ48 (i80С48) Внутреннее ПЗУ программ: 1 Кх8. Тип внутреннего ПЗУ: масочное.
КР1830ВЕ51 (i80С51ВН) Внутреннее ПЗУ программ: 4 Кбит. Тип внутреннего ПЗУ: масочное.
КР1830ВЕ753 (i87С51) Разрядность шины данных: 8. Порты ввода-вывода: (кол-во) х (разрядн.): 4х8. UПИТ: 5 В. Внутреннее ПЗУ программ: 4 Кбит. Тип внутреннего ПЗУ: УФ ППЗУ. Внутреннее регистровое ОЗУ: 128х8 бит. Внешняя память программ: 64 Кх8. Внешняя память данных: 64 Кх8. Кол-во таймеров/разрядность: 2/16. Число источников прерываний; внешних выводов/приоритет: 5; 2/2.
КР1835ВЕ31 (i80C31ВН) Разрядность шины данных: 8. fT: до 12 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во)х(разрядн.): 4х8. UПИТ: 5 В; IПИТ: 13 мА. Внутреннее регистровое ОЗУ: 128х8 бит. Внешняя память программ: 64 Кх8. Внешняя память данных: 64 Кх8. Кол-во таймеров/разрядность: 2/16.
КР1835ВЕ39 (i8039) Разрядность шины данных: 8. Порты ввода-вывода: (кол-во) х (разрядн.): 3х8. Внутреннее регистровое ОЗУ: 128х8 бит. Внешняя память программ: 4 Кх8. Внешняя память данных: 256х8. Кол-во таймеров/разрядность: 1/8.
КР1835ВЕ49 (i8049) Внутреннее ПЗУ программ: 2 Кх8. Тип внутреннего ПЗУ: масочное.
КР1835ВЕ51 (i80C51ВН) Внутреннее ПЗУ программ: 4 Кбит. Тип внутреннего ПЗУ: масочное.
1835ВГ14 (вместо 1816ВЕ35, ВЕ49) Разрядность шины данных: 8. fT: 8 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во) х (разрядн.): 27 линий. UПИТ: 5 В; IПИТ: 1 мА. Внутреннее ПЗУ программ: 2 Кбайт. Внутреннее регистровое ОЗУ: 256 байт. Кол-во таймеров/разрядность: 1/8.
КР1850ВЕ31 (i8031) fT: 3,5–12 МГц. UПИТ: 5 В; IПИТ: 120 мА. Внутреннее регистровое ОЗУ: 128х8 бит.
КР1850ВЕ631 fT: 3,5–12 МГц. UПИТ: 5 В; IПИТ: 120 мА. Внутреннее регистровое ОЗУ: 128х8 бит.
КР1850ВЕ651 Внутреннее ПЗУ программ: 32 Кбит.
КР1850ВЕ35 (i8035) . fT: 8 МГц.
КР1850ВЕ48 (i8048) Разрядность шины данных: 8. fT: 1–6 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во)х(разрядн.): 3х8. UПИТ: 5 В. Внутреннее ПЗУ программ: 1 Кбайт. Тип внутреннего ПЗУ: масочное. Внутреннее регистровое ОЗУ: 64 байт. Внешняя память программ: 2 Кх8. Внешняя память данных: 256х8. Кол-во таймеров/разрядность: 1/8. Число источников прерываний; внешних выводов/приоритет: –; 2/1.
КР1850ВЕ50 (i8050) Разрядность шины данных: 8. fT: 1–6 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во)х(разрядн.): 3х8. Внутреннее ПЗУ программ: 4 Кбайт. Тип внутреннего ПЗУ: масочное. Внутреннее регистровое ОЗУ: 256 байт. Число источников прерываний; внешних выводов/приоритет: 2/1.
КР1850ВЕС48 fT: до 11 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во)х(разрядн.): 3х8. РПИТ: 5 мВт (при частоте 1 МГц). Внешняя память программ: 2 Кх8. Внешняя память данных: 256х8. Кол-во таймеров/разрядность: 1/8.
   

Приложение Б

Поделиться:





Воспользуйтесь поиском по сайту:



©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...