Величины, характеризующие магнитное поле в вакууме и веществе
Стр 1 из 6Следующая ⇒ МИНОБРНАУКИ РОССИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ)
Кафедра нанотехнологий и инженерной физики
УТВЕРЖДАЮ Проректор по учебной работе ______________О.Г. Локтионова «____»_______________ 2015 г.
ИЗМЕРЕНИЕ МАГНИТНОГО ПОЛЯ В НАМАГНИЧИВАЮЩИХСЯ ДИСПЕРСНЫХ СИСТЕМАХ
Методические указания к выполнению лабораторной работы по дисциплинам «Нано- и микродисперсные магнитные системы», «Физико-химические основы микро- и нанотехнологий» и «Организация и планирование научно-исследовательской работы»
для студентов направлений подготовки 28.03.01 и 222900.68
Курск 2015 УДК 534.2
Составители: П.А. Ряполов, А.Е. Кузько, А.М. Стороженко, В.М. Полунин.
Рецензент Доктор физико-математических наук, профессор А.П.Кузьменко
Измерение магнитного поля в намагничивающихся дисперсных системах: методические указания к выполнению лабораторной работы по дисциплинам «Нано- и микродисперсные магнитные системы», «Физико-химические основы микро- и нанотехнологий» и «Организация и планирование научно-исследовательской работы» / Юго-Зап. гос. ун-т; сост.: П.А. Ряполов, А.Е. Кузько, А.М.Стороженко, В.М.Полунин. Курск, 2015. 21 с.: ил. 6. Библиогр.: с.21.
Излагаются методические рекомендации по выполнению лабораторной работы, в которой рассматриваются величины, характеризующие магнитное поле в вакууме и веществе и баллистический метод их измерения, описывается принцип работы теслометра Холловского типа, дается алгоритм работы с магнитометром и микровеберметром, предлагается методика измерения намагниченности магнитного коллоида. Содержатся краткие теоретические сведения, задание, контрольные вопросы и список литературы.
Методические указания соответствуют требованиям Федеральных государственных образовательных стандартов высшего профессионального образования и учебных планов направлений подготовки 28.03.01 и 222900.68 Нанотехнологии и микросистемная техника, степень (квалификация) – бакалавр и магистр. Предназначены для студентов всех форм обучения. Материал также будет полезен студентам всех других направлений подготовки, изучающим дисциплины нанотехнологического цикла.
Текст печатается в авторской редакции
Подписано в печать Формат 60 х 84 1/16. Усл. печ. л. __. Уч.- изд. л. __. Тираж 50 экз. Заказ Бесплатно. Юго-Западный государственный университет. 305040, Курск, ул. 50 лет Октября, 94. Лабораторная работа №5 Измерение магнитного поля в намагничивающихся дисперсных системах
Цель работы: ознакомление с физическими основами и методикой измерений магнитных полей в вакууме – в межполюсном пространстве, а также в намагничивающихся дисперсных системах. Приборы и принадлежности: баллистический гальванометр, микровеберметр, магнитометр АТЕ-8702, лабораторный электромагнит ФЛ-1, плоские и кольцевые постоянные магниты, образцы твердых и жидких ферромагнетиков.
КРАТКАЯ ТЕОРИЯ Величины, характеризующие магнитное поле в вакууме и веществе Частицы с электрическими зарядами (положительными и отрицательными) постоянно наблюдаются в природе, они создают в окружающем пространстве кулоновское электрическое поле. Магнитные же заряды (ни положительные, ни отрицательные) никогда не наблюдались по отдельности. Магнит всегда имеет два равных по величине полюса на двух своих концах - серный и южный, и магнитное поле вокруг него является результирующим полем обоих полюсов. Гипотезы о существовании магнитных зарядов (магнитных монополей) не имеют экспериментальных подтверждений, хотя ими можно воспользоваться для установления законов в магнитостатике. Для исследования магнитных полей, т.е. для измерения механических воздействий магнитных полей на движущиеся в них электрические заряды, выбирают так называемый пробный ток, существующий в плоском замкнутом контуре малых размеров (круговой ток). Положение этого контура в пространстве определяется с помощью положительной нормали n, связанной с током в контуре правилом правого винта (рисунок 1).
При внесении такого контура с током в магнитное поле на него действует вращающий момент, стремящийся повернуть его так, чтобы направление положительной нормали n совпало с направлением магнитного поля в данном месте пространства. Величина этого вращающего момента стремится к максимуму при a®p/2 и к минимуму при a®0. Угол a - угол между направлением положительной нормали n и направлением магнитного поля. Кроме того, величина этого момента зависит как от свойств контура, так и от свойств среды, в которой существует магнитное поле. Свойства контура в основном определяются векторной физической величиной магнитным моментом p m, численное значение которого равно , (1) где I - величина тока в контуре, S – площадь, охватываемая контуром. Направление магнитного момента контура связано с направлением тока в нем правилом правого винта. Численное значение вращающего момента, действующего на пробный контур в магнитном поле, пропорционально магнитному моменту контура и синусу угла a: Mвр~pm×sina. (2) Следовательно, на пробные контуры с различными значениями p m со стороны поля действуют различные по величине вращающие моменты M вр. Однако оказывается, что отношение максимального вращающего момента M max, действующего на пробный контур со стороны магнитного поля, к магнитному моменту контура p m для любых контуров, помещенных в данную точку поля, остается величиной постоянной. Следовательно, оно может служить характеристикой магнитного поля. Эту величину называют индукцией магнитного поля B. Индукция магнитного поля B связана с вращающим моментом M вр соотношением , (3) где k - коэффициент пропорциональности, зависящий от выбора системы единиц измерения физических величин.
При k = 1 . (4) Формула (4) – это модуль векторного произведения: . (5) Из соотношения (4) . (6) При pm = 1 и sina = 1 имеем | B | = | M вр|, т.е. индукция магнитного поля численно равна вращающему моменту, действующему на пробный контур, помещенный перпендикулярно к направлению магнитного поля в данную точку, магнитный момент которого равен единице. Таким образом, индукция магнитного поля характеризует силовое воздействие магнитного поля на ток (движущиеся электрические заряды). Помимо макротоков, представляющих собой упорядоченное движение электрических зарядов в объеме проводника, в любом веществе существуют микротоки, возникновение которых можно объяснить наличием в атомах вещества электронов, вращающихся вокруг ядер с большой скоростью (~1015 с-1). Поэтому можно считать, что заряд и масса равномерно распределены по орбите электронов, т.е. движение каждого электрона эквивалентно замкнутому контуру с током. Тогда любой атом, любую молекулу вещества можно рассматривать как совокупность микротоков. Микротоки вещества создают свое собственное магнитное поле и взаимодействуют с внешним магнитным полем. На основании принципа суперпозиции магнитных полей (по аналогии с принципом суперпозиции электрических полей) в пространстве может существовать результирующее магнитное поле макро- и микротоков. Индукция магнитного поля B (магнитная индукция) является характеристикой этого результирующего поля. Поэтому при прочих равных условиях и одном и том же макротоке в проводнике величина B в различных средах различна. Для характеристики магнитных полей, порождаемых только макротоками, вводится физическая величина, называемая напряженностью магнитного поля H. Единица измерения напряженности магнитного поля [H] = А/м. Магнитное поле в веществе описывается вектором магнитной индукции В, [B] = Тл (Тесла). Напряженность магнитного поля H для неферромагнитных материалов связана с магнитной индукцией B соотношением
B = mm0 H, (7) где m0 = 4p∙10-7 Гн/м - магнитная постоянная вакуума, m - относительная магнитная проницаемость среды. Для вакуума (приближенно и для воздуха) m = 1. Относительная магнитная проницаемость среды показывает, во сколько раз магнитное поле макротоков усиливается за счет магнитных полей микротоков. Графически магнитные поля изображают с помощью силовых линий векторов B или H - линий, проведенных в пространстве, касательная к которым в данной точке совпадает с направлением векторов B или H в данной точке. Существенным отличием силовых линий магнитного поля от силовых линий электростатического поля является то, что они всегда замкнуты. Магнитный момент единицы объема вещества представляет собой намагниченность МН, [МН] = А/м. Соотношение (7) можно представить иначе: B = μ0(1+χ) H = μ0(H + M H), (8) где c – магнитная восприимчивость вещества. Таким образом, М Н = c Н (уравнение магнитного состояния). Параметр c изменяет свое численное значение в процессе намагничивания вещества. В слабых полях (в начале кривой намагничивания) c представляет собой так называемую начальную восприимчивость. При увеличении магнитомягкий ферромагнетик намагничивается до насыщения, т.е. МН принимает для данного материала максимальное значение МS (намагниченность насыщения). Для характеристики вещества в различных по величине магнитных полях вводят понятие дифференциальной магнитной восприимчивости . В полях, близких к насыщению, c диф ® 0. Степень намагничивания сильномагнитных веществ зависит не только от величины магнитной проницаемости, но и от их геометрической формы. При намагничивании внесенного во внешнее поле сильномагнитного тела, имеющего конечные размеры, на обеих его торцевых поверхностях возникают магнитные полюса («магнитные заряды» противоположного знака), что обусловливает появление поля в веществе противоположного направления (размагничивающее поле Н¢). Магнитная поляризация вещества проиллюстрирована рисунком 2. Напряженность поля Н¢ пропорциональна намагниченности МН, поэтому можно написать Н¢ = N × МН, где N — коэффициент пропорциональности, который называют размагничивающим фактором. Результирующее поле в веществе Hi получим как Hi = He – NMH. В общем случае коэффициент N является тензором, однако для изотропного магнетика его величина зависит только от формы магнетика. Так, при намагничивании очень длинного тонкого стержня вдоль его оси коэффициент N почти равен нулю, и, наоборот, в случае коротких и толстых образцов значение N ≈ 1. При намагничивании тел «неправильной формы» распределение размагничивающего поля в них неоднородно, т.е. его величина и направление изменяются от точки к точке. В подобных случаях расчет размагничивающего фактора трудно осуществить. Строгий и точный расчет возможен только для магнетиков в форме эллипсоидов. Так, в случае намагничивания тонкого вытянутого эллипсоида вращения (с круговым поперечным сечением) вдоль его длинной оси имеем
, (9) где k — отношение размеров эллипсоида (длины к диаметру). В частности, при k >> 1 . (10) С другой стороны, намагничивая сплющенный эллипсоид вращения в виде диска вдоль его длинной оси и принимая за k отношение диаметра эллипсоида к его толщине, получаем . (11) Расчетные числовые значения размагничивающего фактора для вытянутого и сплющенного эллипсоидов вращения, а также экспериментально найденные значения N для круглого стержня при различных k представлены в табл. 1. Таблица 1 Изменение размагничивающего фактора в зависимости от отношения размеров тела
В случае эллипсоида общего вида формула для N имеет сложный вид, однако между размагничивающими факторами вдоль трех главных осей эллипсоида х, у и z существует простое соотношение: Nx + Ny + Nz = 1. (12) Учитывая его, можно легко найти N для некоторых частных случаев высокосимметричных эллипсоидов. Так, например, в шаре все три оси эквивалентны (Nx = Ny = Nz), поэтому из (12) сразу получаем . (13) При поперечном намагничивании длинного круглого стержня размагничивающий фактор вдоль его оси Nz будет равен нулю, и из очевидного условия, что Nx = Ny вытекает . (14) При намагничивании плоскости в направлении ее нормали, вдоль которой выбрана ось z, имеем Nx = Ny = 0, откуда следует N = 1. (15)
Читайте также: I. Показатели, характеризующие состояние факторов среды обитания и достижение конечных общественно значимых результатов Воспользуйтесь поиском по сайту: ©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|