Главная | Обратная связь | Поможем написать вашу работу!

Індивідуальне завдання 8

Тут і далі N – номер варіанта, який дорівнює двом останнім цифрам

залікової книжки студента.

№ 8.1. На навантаженні , де Y_пад = p/(N+1), Y_від = p/N, . Розрахувати коефіцієнт відбиття навантаження, зсув фази відбитої складової стоячої хвилі відносно падаючої і коефіцієнт стоячої хвилі. Записати комплексний коефіцієнт відбиття на відстані від навантаження l = (N/5)L.

№ 8.2. Продовження № 8.1, № 6.10. Знайти значення падаючої, відбитої та прохідної потужності.

№ 8.3. Продовження № 7.1. На граничних частотах робочої смуги частот, вибраної з табл. 7.4, побудувати графіки зміни нормованої поперечної складової електричного поля стоячої хвилі вздовж прямокутного хвилеводу, якщо на навантаженні . Визначити за графіком коефіцієнт стоячої хвилі і відстані між двома сусідніми мінімумами.

№ 8.4. Продовження № 7.1. Розрахувати на частоті f₀ =(N+2)/2 ГГц нормований опір навантаження і нормовану провідність навантаження, наданого в абсолютному значенні Z_н = N + i×10×N Ом.

№ 8.5. Продовження № 8.4. Знайти модуль і аргумент комплексного коефіцієнта відбиття. Вказати значення КСХ.

№ 8.6. Продовження № 7.4. Розрахувати нормовані значення вхідного опору і вхідної провідності на відстані l = (N+3)×L/(N+10) від навантаження при його значенні Z_н = (N+1) + i×10×(N+1) Ом.

№ 8.7. Продовження № 7.4. Визначити на відстані l = (N+3)×L/(N+10) від кінця абсолютні і нормовані значення вхідного опору і вхідної провідності відрізка коаксіального хвилеводу, якщо: а) відрізок заземлений (для непарних N); б) відрізок розімкнений (для парних N).

№ 8.8. Продовження № 7.5, для непарних N. На рис. 8.4,а зображено еквівалентну схему вхідного кола транзистора НВЧ, який використовують в генераторах із зовнішнім збудженням. У табл. 8.1 наведено значення елементів еквівалентної схеми.

Вважаючи вхід транзистора навантаженням несиметричної стрічкової лінії з хвильовим опором, заданим в № 7.5, визначити на частоті 0,9+N×10^-2 ГГц:

а) нормовані значення повного опору і повної провідності навантаження;

б) модуль і аргумент комплексного коефіцієнта навантаження;

в) відстань від навантаження, на якій вхідний опір буде чисто активним;

г) відстань від навантаження, на якій активна складова вхідного опору дорівнює хвильовому опору;

д) відстань від навантаження, на якій активна складова вхідної провідності дорівнює хвильовій провідності;

е) найменшу відстань, на якій вхідний опір дорівнює опору навантаження.

Рисунок 8.4 - Еквівалентні схеми вхідного кола (а) та вихідного кола (б)

транзистора НВЧ

Таблиця 8.1 - Вихідні дані до № 8.8, № 8.9

Номер варіанта N	Параметри НВЧ транзисторів [3, с. 279, табл. 17.1]
за рис. 8.4,а	за рис. 8.4,б
R₁, Ом	L₁, нГн	R₂, Ом	С₂, пф
1,11,21,31		1,3		1,2
2,12,22,32	4,2	0,9		2,2
3,13,23,33
4,14,24,34
5,15,25,35		3,2	52,5	2,7
6,16,26,36	1,2	2,55	32,9
7,17,27,37	1,2	2,2		4,4
8,18,28,38	1,6	1,1		2,7
9,19,29,39	2,3	1,3	64,1	7,1
10,20,30,40	4,5	0,96		5,8

№ 8.9. Продовження № 7.5, для парних N. На рис. 8.4,б зображена еквівалентна схема вихідного кола транзистора НВЧ, який використовують в генераторах із зовнішнім збудженням. У табл. 8.1 наведено значення елементів еквівалентної схеми. Вважаючи вихід транзистора навантаженням несиметричної стрічкової лінії з хвильовим опором, заданим в № 7.5, визначити на частоті 0,9+N×10^-2 ГГц:

а) нормовані значення повного опору і повної провідності навантаження;

б) модуль і аргумент комплексного коефіцієнта навантаження;

в) відстань від навантаження, на якій вхідний опір буде чисто активним;

г) відстань від навантаження, на якій активна складова вхідного опору дорівнює хвильовому опору;

д) відстань від навантаження, на якій активна складова вхідної провідності дорівнює хвильовій провідності;

е) найменшу відстань від навантаження, на якій вхідний опір дорівнює опору навантаження.

№ 8.10. Індивідуальне завдання підвищеної складності. До основної лінії передачі без дисперсії з хвильовим опором Z_Х1 = 50 Ом послідовно підключений відрізок лінії з хвильовим опором Z_Х2 завдовжки l₂, а далі - відрізок лінії з хвильовим опором Z_Х3 = 75 Ом завдовжки l₃, навантажений на чисто активний опір R_н3 = 5N Ом. Заповнення повітряне. Знайти значення Z_Х2, l₂, при яких на частоті f = (N+2)/2 ГГц в основній лінії буде режим чисто біжучої хвилі, якщо: а) l₃ = L₃/4, де L₃ - довжина хвилі останньому відрізку; б) l₃ = L₃/2; в) l₃ = 3L₃/8. Для одного з трьох варіантів розрахувати залежність коефіцієнта відбиття від частоти в смузі частот приблизно ±15 %.

8.5 Запитання та завдання до захисту індивідуального завдання 8

1. Пояснити фізичну суть модуля і аргументу комплексного коефіцієнта відбиття та причину розходження математичних записів при l = 0 і при l ¹ 0 в № 8.1.

2. Дати визначення потужностей, розрахованих у завданні № 8.2.

3. Обгрунтувати розходження положень мінімумів стоячих хвиль на різних частотах за № 8.3. Що зміниться на поданих графіках при варіації одного з параметрів і незмінних інших?

4. Дати визначення характеристичного, хвильового, повного опорів, опору навантаження, вхідного повного опору, відповідних провідностей і всіх параметрів, розрахованих в № 8.4 – № 8.7.

5. Виконати порівняльний аналіз і обгрунтувати значення вхідних опорів (провідностей), розрахованих за пп. "а, б" в № 8.7. Вказати інтервали відстаней від навантаження, при яких вхідний опір носитиме індуктивний або ємнісний характери.

6. З урахуванням (8.20) пояснити доцільність розрахунків відстаней, виконаних за пп. в, г, д в № 8.8, № 8.9. Як в цих випадках можна забезпечити відсутність відбиття від транзистора?

7. Пояснити результат за пп. за № 8.8,е, № 8.9,е.

8. Обгрунтувати хід розв'язання задачі № 8.10. Дати фізичну оцінку характеру частотної залежності.

⇐ Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 89