Задачи для самостоятельного решения
1.5. Имеется германиевый диод с 1.6. Удельное сопротивление р-области германиевого диода равно 2 Ом, а удельное сопротивление n-области – 10 Ом·см. Вычислить высоту потенциального барьера при температуре Т=300К и при повышении температуры на 30°С. 1.7. Рассчитать и построить графически вольт-амперную характеристику кремниевого полупроводникового диода, если при комнатной температуре Т=27ºС тепловой ток I=10мкА в следующих случаях: а) идеализированный р-n-переход; б) диод имеет объемное сопротивление базы 50 Ом; в) повторить пункт а) при повышении температуры на 30 °C. 1.8. Найти барьерную емкость германиевого р-n-перехода, если удельное сопротивление р-области равно 3,5 Ом контактная разность потенциалов 1.9. На кремниевый диод, имеющий при комнатной температуре 1.10. Определить, на сколько изменится 1.11. В идеальном р-п-переходе прямое смещение 0,1В вызывает определенный ток носителей заряда при 1.12. Через кремниевый диод при комнатной температуре течет прямой ток в 5мА. Определить падение напряжения на нем, если
1.13. Кремниевый дмод при комнатной температуре имеет 1.14. Пользуясь вольт-амперной характеристикой диода КД522А взятой из справочника, определить: а) дифференциальное сопротивление б) контактную разность потенциалов в) сопротивление постоянному прямому току при г) мощность, выделяемую на диоде припрохождении прямого тока 1.15. диод КД226В включен в схему (рис1.1). Напряжение источника Е=2В, сопротивление нагрузки а) определить ток диода, напряжение на диоде и на нагрузке; б) найти рабочую точку диода, используя характеристику диода. Характеристики диода КД226В при Т=25ºС
Читайте также: E) тело, размерами которого можно пренебречь в условиях данной задачи Воспользуйтесь поиском по сайту: ![]() ©2015 - 2025 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|