Сновные параметры Si, GаАs, Ge

Таблица П.1.

Параметр (при Т=300К)	Кремний (Si)	Арсенид галлия (GaAs)	Германий (Ge)
Собственное удельное сопротивление Ом·см	2,3·105	108
Ширина запрещенной зоны эВ	1,12	1,42	0,66
Эффективная масса электронов по отношению к массе свободного электрона	1,06	0,07	0,22
То же для дырок	0,56	0,5	0,39
Эффективная плотность состояний, См-3
В зоне проводимости	2,8·1019	4,7·1017	1019
в валентной зоне	1019	7·1017	26·1018
Собственная концентрация , см-3	1,45·1010	1,8 106	2,4·1013
Подвижность, см2/(В·с)
Электронов
дырок
Коэффициент диффузии, см/с:
электронов
дырок
Дрейфовая скорость насыщения , см/с:
электронов	107	6·106	6·106
дырок	8·106	–	6·106
Электрическое поле пробоя Е/см	3·105	4·105	105
диэлектрическая проницаемость пФ/см	1,05	1,15	1,42
ТК эВ/К	–2,4·10-4	–4,3·10-4	–3,9·10-4

Некоторые физические постоянные:

постоянная Планка: эгр·с Дж·с эВ·сек;

постоянная Больцмана: эрг/град Дж/град эВ/град;

масса электрона: г;

заряд электрона: Кл.

ПРИЛОЖЕНIIЕ 2

Номинальные значения сопротивлений резисторов и емкостей конденсаторов

Шкалы постоянных резисторов содержат номинальные значения допустимых мощностей рассеяния и сопротивлений.

Значения номинальных мощностей рассеяния согласно ГОСТ 9663–71 образуют ряд, Вт: 0,01; 0,025; 0,05; 0,062; 0,125; 0,25; 0,5; 1; 2; 3; 4; 5; 6,3; 8; 10; 16; 25; 40; 63; 75; 80; 100; 160; 250; 400; 630; 800; 100.

Номинальные значения сопротивлений и допуски согласно ГОСТ 2865–67 и ГОСТ 10318–74 установлены шестью рядами: Е6; Е12; Е24; Е48; Е96; Е192. Эти ряды представляют собой геометрические прогрессии со знаменателями, равными для рядов ЕN

Допуск для ряда Е6 составляет ±20%, для Е12 ±10%, для Е24 ±5%.

Ниже в таблице 2.П приводятся ряды номинальных значений сопротивлений резисторов с допусками 20%, 10%, 5%.

Таблица П.2