Расчет осадок грунтового основания по методу эквивалентного слоя.
Принимается, что осадке заданного штампа с равномерно распределенной нагрузкой соответствует осадка эквивалентного слоя мощностью
Значения
После определения
Таблица 11.6 Значения коэффициентов
Решение по определению осадок по методу эквивалентного слоя используется для расчетов по развитию осадок грунтового основания во времени. Здесь применяется теория фильтрационной консолидации в условиях одномерного обжатия грунта, в порах которого содержится свободная вода. При этом в зоне обжатия основания (
Для условий, приведенных на рис.11.4 фильтрация воды односторонняя – вверх, в слой песка. Слои 2 и 3 определяют время и скорость стабилизации осадок: Условия распределения сжимающих напряжений соответствуют случаю 2 (см. раздел 7). Расчет времени консолидации выполняется по методике, изложенной в разделе 7. В случае если фильтрация воды из сжимаемой толщи осуществляется вверх и вниз, длина пути фильтрации принимается половине мощности фильтрующей толщи.
Расчет осадок влияния за пределами площади загружения по методу эквивалентного слоя осуществляется с применением метода угловых точек. Осадка по оси проведенной через угол площадки загрузки определится по формуле: Для предварительного определения мощности сжимаемой толщи грунта под штампом можно воспользоваться графиками распределения сжимающих напряжений по глубине в относительных координатах (рис.11.5). При известной глубине заложения фундамента (
Для ускорения расчетов рекомендуется пользоваться средней величиной удельного веса грунта в пределах толщи (
![]() Рис. 11.5. Графики изменения сжимающих напряжений под штампом в относительных координатах, для предварительного определения мощности сжимаемой толщи грунта в основании.
Для штампов с другим соотношением размеров подошвы (
Варианты напластований грунтов в зоне уплотнения и направлений фильтрации выдавливаемой воды из порового пространства.
Воспользуйтесь поиском по сайту: ![]() ©2015 - 2025 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|