Еквівалентна схема заміщення, h – параметри транзистора

 

Для аналізу транзисторів і транзисторних схем в різних умовах їх експлуатації користуються еквівалентною Т-подібною схемою, яка заміняє транзистор.

При побудові еквівалентної схеми транзистора виходять із того, що емітерний і колекторний переходи, як і шар бази, мають визначені опори r_E, r_К, r_Б. Тому найпростішою еквівалентною схемою транзистора повинно бути коло, яке складається із опорів r_E, r_К, r_Б, з’єднаних між собою.

Схема із спільною базою

αІ_Е

 

r_Е r_К

1 2

 

 

U_вх r_Б U_вих R_н

 

 

1 2

Рис. 2.3.5. Еквівалентна Т-подібна схема транзистора

для схеми зі спільною базою

 

Для даної схеми І_К ≈ α І_Е, так як паралельно r_К в еквівалентній схемі ввімкнено додатковий генератор, який виробляє струм α І_Е.

Вхідна напруга визначається за формулою

(2.3.11)

 

Виходячи з формули 2.3.11, отримаємо значення для вхідного опору

(2.3.12)

 

Так як r_Е і r_Б - невеликі, то R_вхБ становить одиниці (десятки) Ом.

 

Схема із спільним емітером

βІ_Е

 

r_Б r_К 2

 

 

U_вх r_Е U_вих R_н

 

 

2 2

 

Рис. 2.3.6. Еквівалентна Т-подібна схема транзистора для схеми зі спільним емітером

 

В даній схемі для відображення реального підсилювального режиму роботи транзистора в вихідне коло ввімкнений додатковий генератор струму βІ_Б. Виходячи із вищевикладеного, отримаємо

 

Тоді

(2.3.13)

Зрозуміло, що

 

Схема із спільним колектором

В еквівалентній схемі на рис. 2.3.5, яка відображає властивості каскаду зі спільним колектором,

(2.3.14)

 

βІ_Е

 

r_Б r_К

1 2

 

 

r_Е

U_вх

 

 

R_н U_вих

 

 

1 2

Рис. 2.3.5. Еквівалентна Т-подібна схема транзистора

для схеми зі спільним колектором

 

Для визначення h - параметрів транзистора представимо активний чотириполюсник, всередині якого знаходиться схема із спільною базою.

 

1 2

 

І₁ І₂

U₁ U₂

 

1 2

 

 

Рис. 2.3.6. Схема для визначення h - параметрів транзистора

 

U₁, U₂, І₁, І₂ – всі ці величини взаємопов’язані. За двома заданими з них можна визначити дві інші за статичними характеристиками (суть статичних характеристик буде розглянуто в наступному параграфі).

Нехай І₁ і U₂ - задані, то

U₁ = f₁ (I₁, U₂)

(2.3.15)

I₂ = f₂ (I₁, U₂)

Продиференціювавши дану систему рівнянь, отримаємо

 

Позначимо

 

і проінтегруємо систему. Тоді вона прийме вигляд

U₁ = h₁₁ I₁ + h₁₂ U₂

 

I₂ = h₂₁ I₁ + h₂₂ U₂

де h₁₁, h₁₂, h₂₁, h₂₂ - h-параметри транзистора.

Кожен h-параметр транзистора має свою фізичну суть:

- величина вхідного опору

 

- коефіцієнт зворотнього зв’язку (характеризує степінь впливу вихідної напруги на вхідну)

- коефіцієнт підсилення за струмом

- вихідна провідність

 

 

⇐ Предыдущая9101112131415161718Следующая ⇒

Поделиться: Р Р‡.Мессенджер ВКонтакте Одноклассники Telegram Twitter РњРѕР№ РњРёСЂ

Читайте также:

I. ОРИЕНТИРОВОЧНАЯ СХЕМА ИЗУЧЕНИЯ КОММУНИКАТИВНОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ УЧИТЕЛЯ НА УРОКЕ
III. Схема строения макулы (пятна маточки).
VI. Схема жизненного цикла
VII. Схема жизненного цикла
А - структурная схема; б - условное обозначение в - временные диаграммы
Абстрактные модели подразделяются на три типа: вербальные, схематические и математические.
Аксіально-поршневі машини. За кінематичними схемами розрізняють гідромашини з нахиленим блоком циліндрів і з нахиленим диском.
Балансовий метод. Принципова схема міжгалузевого балансу.
БАТАЛЬОН (БАТАЛЬОННАЯ ТАКТИЧЕСКАЯ ГРУППА) В НАСТУПЛЕНИИ (схема 2.)
БАТАЛЬОН В ОБОРОНЕ (схема 15).

Воспользуйтесь поиском по сайту: