 |
Та визначення за ними h - параметрів
|
|
|
|
Статичні характеристики транзистора відображають співвідношення між струмами і напругами його виводів в статичному і квазістатичному (коли напруга мало змінюється) режимах.
У біполярного транзистора за незалежну змінну приймають струм, як параметр, який легко піддається регулюванню і вимірюванню.
Вольт-амперні характеристики містять інформацію про властивості транзистора у всіх режимах роботи при великих і малих сигналах, в тому числі і про зв’язки між параметрами. За вольт-амперними характеристиками можна визначити ряд параметрів, які не наводяться в довідниковій літературі, а також розрахувати кола зміщення, стабілізації режиму, оцінити роботу транзистора в широкому діапазоні імпульсних та постійних струмів, потужностей та напруг.
Найбільше розповсюдження отримали вхідні та вихідні статичні вольт-амперніхарактеристики для двох основних схем ввімкнення – з спільною базою та спільним емітером. Вхідні характеристики встановлюють залежність вхідного струму (струм бази або емітера) від напруги між базою і емітером при визначеній напрузі на колекторі. Вхідні характеристики транзистора (рис. 2.3.7) аналогічні характеристикам діода в прямому напрямі з експоненціальним зростанням струму при збільшенні напруги. При UК > 0 вхідні характеристики мало залежать від напруги на колекторі. Для схеми з спільною базою вхідна характеристика являє собою залежність струму емітера від напруги між емітером і базою при постійній величині напруги між колектором і базою
(2.3.16)
ІЕ ІБ
UКБ>0 UКЕ>0
UКБ=0 UКЕ=0
UЕБ UБЕ
а б
Рис. 2.3.7. Вхідні характеристики транзистора при ввімкненні: а) з СБ; б) з СЕ
Вихідні характеристики встановлюють залежність струму колектора від напруги на ньому при визначеному струмі бази або емітера (рис. 2.3.8) (в залежності від способу ввімкнення транзистора). Для схеми з спільною базою вони відображають
|
|
|
(2.3.17)
Статичні характеристики транзистора будують за точками або отримують за допомогою спеціальних характеририографів, які дозволяють уникнути сильного нагріву транзисторів. На даний час існує можливість досліджувати транзистора за допомогою комп’ютерів.
Визначення h – параметрів транзисторів відбувається за допомогою побудови характеристичних трикутників.
ІК ІБ
ІЕ = ІЕ4
ІЕ = ІЕ3
ІЕ = ІЕ2
ІЕ = ІЕ1
ІЕ = 0
UКБ UКЕ
а б
Рис. 2.3.8. Вихідні характеристики транзистора при ввімкненні: а) зі СБ; б) з СЕ
Розглянемо на прикладі транзистора, ввімкненого за схемою зі спільною базою. На вхідних характеристиках (рис. 2.3.9, а) будують характеристичний трикутник аbс, із якого знаходимо
при UКБ =0
де ∆UЕБ = bс ≈ 0,06 В; ∆ІЕ = аb ≈15 м А.
Отже,
Із цього ж трикутника визначаємо
 |
при ∆ІЕ = 0
де ∆UЕБ = bс ≈ 0,06 В; ∆UКБ =5 – 0 = 5 В.
Отже,
ІЕ, мА UКБ=5 В 0 В
ІК, мА
 |
b c 30 е 30 мА
30
∆ІК 20 мА n
20 20 ∆І′К
a f k
10 10
∆UЕБ ∆UКБ
0 0
0,1 0,2 0,3 0,4 UЕБ, В 5 10 15 20 25 UКБ, В
а б
Рис. 2.3.9. Визначення hБ – параметрів транзистора за вхідними (а)
та вихідними (б)характеристиками
Параметри h21Б і h22Б визначають за вихідними характеристиками (рис. 2.3.9, б). Побудувавши характеристичний трикутник fnk, знайдемо
при UКБ =0;
∆ІК = ef ≈29 – 19,5 = 9,5 мА; ∆ІЕ = 30-20 = 10 мА;
 |
при ∆ІЕ =0;
∆І ’К = nk = 1 мА; ∆UКБ ≈ fk ≈12,5 В;
 |
|
|
|
B. Визначення електролітів крові
E. Визначення витрат палива
IV. Визначення переможців Конкурсу та їх нагородження
VII. ВИЗНАЧЕННЯ РЕЗУЛЬТАТІВ ТА НАГОРОДЖЕННЯ.
А. Визначення щільності часток ґрунту пікнометричним методом
АЗИМУТ І ЙОГО ВИЗНАЧЕННЯ
Альтернативні визначення
Аналітичне визначення головного вектора та головного моменту
Б) Визначення ступеня ризику через вірогідність безпечної роботи
Базові визначення туристичної політики держави
