 |
Будова та принцип роботи біполярних транзисторів
|
|
|
|
Біполярний транзистор – електроперетворювальний напівпровідниковий прилад, що має чотиришарову структуру, два p-n переходи, три виводи та призначений для підсилення потужності.
v 
Транзистор називається біполярним, тому що в його роботі використовуються носії обох полярностей (електрони і дірки).
v Виводи транзистора названо у відповідності до напівпровідникових шарів: емітер, база, колектор.
Біполярний транзистор має два p-n переходи: один з них з’єднує базу з емітером (емітерний перехід), другий – базу з колектором (колекторний перехід).
v 
Про електропровідність бази судять за символом емітера: якщо стрілка направлено до бази, то емітер має провідність типу р, а база – n тип (транзистор p-n-p), і навпаки.
Роботу біполярного транзистора розглянемо на основі транзистора типу p-n-p.
Концентрація носіїв в базі значно менша ніж в емітері. Це призводить до того, що число дірок, інжектованих із емітера в базу, у багато раз перевищує кількість електронів, які рухаються в протилежному напрямку.
Е К Е К
Б Б
К К
Б Б
Е а) Е б)
Рис. 2.3.1. Тришарові структури та умовні графічні зображення біполярних транзисторів:
а) n-p-n типу; б) p-n-p типу
Ефективність емітера оцінюється коефіцієнтом інжекції γ
(2.3.1)
Для транзистора типу p-n-p
(2.3.2)
Дірки із емітерної області через емітерний перехід попадають в базу Б, ширина бази незначна, тому частина дірок рекомбінують з електронами бази, а основна маса переходить через колекторний перехід. Підходячи до колектора, дірки починають відчувати дію електричного поля колекторного переходу. Це поле для дірок є прискорюючим, тому вони швидко втягуються із бази в колектор і беруть участь у створенні струму колектора ІК (ІК < ІЕ). Ті дірки, які рекомбінують в області бази з електронами, беруть участь у створенні струму бази ІБ
|
|
|
(2.3.3)
(2.3.4)
v Хоч електрони і дірки рухаються в різних напрямках, струми в колах транзистора проходять в одному напрямі, який співпадає з напрямком руху дірок.
В залежності від полярності напруг, прикладених до емітерного і колекторного переходів транзистора, розрізняють чотири режими його роботи:
1) активний режим (на емітерний перехід подана пряма напруга, а на колекторний – зворотна, це основний режим роботи транзистора; так як UК >> UT, то струми в колах емітера і колектора майже рівні);
2) режим відсічки (до обох переходів відводять зворотну напругу, тому через них проходить лише зворотний струм – практично транзистор в режимі відсічки є закритим);
3) режим насичення (до обох переходів підводять пряму напругу, струм через них буде максимальним і транзистор буде повністю відкритим);
4) інверсний режим (до емітерного переходу підводиться зворотна напруга, а до колекторного – пряма; цей режим не відповідає нормальним умовам експлуатації транзистора).
Основні експлуатаційні параметри транзистора
Максимально допустима потужність РК.max, яка розсіюється колектором, - це потужність струму колектора, яка перетворюється в тепло і безкорисно витрачається на нагрівання транзистора. При недостатньому тепло відведенні розігрів колекторного переходу може призвести до різкого збільшення струму ІК. Це в свою чергу призводить до зростання потужності, яка розсіюється на колекторі, і ще до більшого нагрівання колекторного переходу. Процес набуває лавиноподібного характеру, і транзистор безповоротно виходить з ладу.
Максимально допустимий струм колектора ІК.max обмежовується максимально допустимою потужністю, яка розсіюється колектором. Перевищення граничного значення струму колектора призводить до теплового пробою колекторного переходу і виходу транзистора з ладу.
|
|
|
Максимально допустима напруга між колектором і загальним електродом транзистора (UКЕ.max або UКБ.max). Ця напруга визначається величиною пробивної напруги переходу. Крім того, вона залежить від потужності, струму колектора і температури навколишнього середовища.
Гранична частота підсилення за струмом (fα або fβ) – частота, при якій коефіцієнт підсилення за струмом α чи β зменшується до 0,7 свого значення на низьких частотах.
|
|
|
A) Социально-экономические принципы.
A. Фаллибилизм принципі
E) Гюйгенс принципі
E) Гюйгенс принципі
G) відповідні права дітей-жертв і свідків відповідно до Конвенції про права дитини та Декларації основних принципів правосуддя для жертв злочинів і зловживання владою.
I. Общие принципы подготовки и требования к оформлению курсовой работы
I. ПРИНЦИПИАЛЬНЫЕ СООБРАЖЕНИЯ
II. Устройство и принцип работы поляриметра П-161
III. Внутренний фотоэффект и его виды. Устройство и принцип работы селенового фотоэлемента.
III. Первинна будова кореня
