Описание лабораторной установки

 

 

 

Питание стенда осуществляют от сети (Е ~ 220В), частотой f = 50 Гц.

Стенд (рис. 2.5) содержит: понижающий трансформатор, схему выпрямителя на диодах (VD₁-VD₄), конденсаторы С_Ф, нагрузку R_Н, амперметр и вольтметр.

Выключатель S₁ устанавливает выбор режима выпрямления схемы: однополупериодная (однотактная) или двухполупериодная (двухтактная или мостовая).

Выключателем S₂ выбирают амперметр (I_Н = 0,1–1A) или вольтметр (U_Н = 4–15В).

Переключатели В₁ – В₄ служат для подключения к схеме конденсаторы С_Ф.

Переключатель В₅ служит для подключения к схеме дросселя L_Ф.

Порядок выполнения работы

1. Ознакомиться со схемой стенда и записать технич. характеристики приборов.

2. Установить на стенде режим однополупериодного выпрямителя, для чего:

выключатели S₁ отключить; В₅ – включить; В₁ – В₄ изначально выключены.

3. Измерить параметры выпрямителя без нагрузки (реж. ХХ) и с нагрузкой, но не подключая емкостные фильтры. Данные записать таблицу №2.1.

4. Снять внешнюю характеристику U_В = f(I_В) выпрямителя, подключив нагрузку,

при U₁ = const и при отсутствии сглаживающего фильтра, регистрируя ток I_В.

5. Провести исследования при подключении к выпрямителю фильтров;

6. Записать снятые показания приборов в таблицу 2.1 и зарисовать с экрана осциллографа эпюры напряжений (осциллограммы) при различных фильтрах.

 

Таблица 2.1. Параметры схемы для одно или 2-х полупериодного выпрямителя

Задано

Измерено

Вычислено

№

ТИП нагрузки

Ũ2 (В)

ŪВ (В)

ΔŨПОМ (В)

ĪВ (А)

RН (Ом)

Ũm2. Расчет.

ŪВ.Р Расчет.

IВ.Р Расчет.

КВ Выпр.

qп kПулc

kП.П

РН (ВТ)

SТР (ВА)

СФакт (мкФ)

Хол. Ход

-

-

-

-

+ RН – С

-

-

+ RН + С1

+ RН + С2

+ RН + С3

+ RН + С4

+ RН + LФ

RН+LФ+С1

 

7. Установить на стенде режим двухполупериодного выпрямителя, для чего:

Выключатели: S₁ включить; В₅ – включить; В₁ – В₄ изначально выключены.

Повторить пункты: П. 3 – П.6.

8. По измеренным значениям Ũ₂, Ū_В, Ī_В и ΔŨ_ПОМ вычислить все параметры схемы.

сравнить их с измеренными (опытными) значениями, учитывая потери U_ПР.VD.

9. Сравнить результаты параметров при включении различных фильтров.

10. Выполнить краткие выводы по работе.

Контрольные вопросы к лабораторной работе №2:

1. Какие виды диодов используют в выпрямительных устройствах?

2. Назвать основные типы однофазных выпрямительных схем.

3. В чем отличие однополупериодных от двухполупериодных схем?

4. Особенности индуктивных и емкостных схем фильтров?

5. Как определить постоянную составляющую тока в цепи нагрузки?

6. Как оценить коэффициент пульсаций, и в чем его значения?

Рекомендуемая литература

1. Гусев В.Г. Электроника. – М.: Высш. шк., 2003. - 616 с.

2. Кононенко В.В. Электротехника и электроника.– Ростов н/Д.: Феникс, 2004. -740 с.

3. Рекус Г.Г., Чесноков В.Н. Лабораторный практикум по электротехнике

с основами электроники. – М.: Высш. шк., 2001. - 250 с.

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 3

Исследование вольтамперных характеристик биполярного транзистора

 

Цель работы:

Приобретение практических навыков в исследовании ВАХ транзистора,

включенного по схеме с ОЭ и определение его h параметров.

Задание:

1. Исследовать входные статические характеристики транзистора

I_Б = f (U_БЭ) при U_КЭ = const.

2. Исследовать выходные статические характеристики транзистора

I_К = f (U_КЭ) при I_Б = const.

3. По статическим характеристикам транзистора определить параметры:

h₁₁, h₁₂, h₂₁ и h₂₂. Z_ВХ, Z_ВЫХ.

4. Выполнить информационный поиск транзистора в справочной литературе.

Приборы и оборудование:

1. Стенд универсальный с элементами регулировки параметров;

2.Универсальный источник питания (ЭДС): U_Раб ≤ 12 В; I_Раб ≤ 0,06 А;

3. Измерительные приборы (мультиметры) (I_ИЗМ ≤ 0,10 А, (U_ИЗМ ≤ 20 В);

4. Исследуемый биполярный маломощный транзистор (см. табл. №3.3).

* Параметры транзистора можно исследовать с помощью ПО: EWB, MC.

Краткие теоретические сведения

 

Биполярный транзистор – это трех электродный прибор, используемый для усиления, генерирования или преобразования электрических сигналов; это полупроводниковый кристалл с 3-хслойной структурой p-n-p или n-p-n-типа, с тремя выводами, каждый из которых связан с определенной областью кристалла [3].

Одна из крайних областей транзистора называется эмиттером, другая – коллектором, а средняя область называется базой. Таким образом, в транзисторе имеются два p-n – перехода: эмиттерный (Б-Э между эмиттером и базой) и коллекторный (К-Э между базой и коллектором).

Если к эмиттерному переходу приложить напряжение в прямом направлении, то переход (К-Э) окажется открытым и его сопротивление снизится.

Существует три схемы включения транзисторов:

с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК), с общей базой (ОБ).

Для схемы характерны входные и выходные статические характеристики.

⇐ Предыдущая12345678910Следующая ⇒

Поделиться:

Воспользуйтесь поиском по сайту: