Построение графиков статических характеристик транзистора

 

По результатам наблюдений (табл. 3.1 и 3.2) в прямоугольной системе координат строят семейства входных и выходных статических характеристик исследуемого транзистора (рис. 3.5 и рис. 3.6).

Для определения h-параметров транзистора следует воспользоваться методом характеристического треугольника.

Для этого на входных характеристиках транзистора (рис. 3.5) строят треугольник (а, b, с) по которому находят: все h-параметры.

 

h₁₁ = U₁/I₁ = (∆U_Б /∆I_Б) при U_КЭ = 0. (входное сопротивление)

 

Например, при ∆U_ЭБ = bc = 60 mВ и ∆I_Б = аb = 0,015 mА, h₁₁ ≈ 4000 Ом.

Из этого же треугольника определяют h₁₂.

 

h₁₂ = U₂ /U₁ = (∆U_БЭ /∆U_КЭ) при I_Б = 0. (обратный коэффициент передачи U).

 

Например, при ∆U_БЭ (bс, рис. 3.5) = 60 mВ и ∆U_КБ = 1 – 0 = В, h₁₂ ≈ 0,06.

 

Параметры h₂₁ и h₂₂ определяют по выходным характеристикам транзистора, где, по оси абсцисс отложены отрицательные значения напряжений.

 

Построив характеристический треугольных (е, n, к) находят:

 

β = h₂₁ = I₂/I₁ = (∆I_К /∆I_Б) при U_КЭ = 0. (прям. коэффициент передачи тока).

 

Например, при ∆I_К ≈ 30–20=10 mA и при ∆I_Б =0,06–0,01=0,05 mА, β = h₂₁ = 200.

 

h₂₂ = I₂/U₂ = (∆I_К /∆U_КЭ) при I_Б = 0. (выходная проводимость)

 

Например, при ∆I_К ≈1 mA и ∆U_КБ =2,5-1,25 =1,25 В, h₂₂=g ≈10^-3/1,25=8·10^-4[Сим].

 

Полное сопротивление 4-х-полюсника (схемы с ОЭ) составит:

 

Z₁₂ = h₁₂ / h₂₂ = 0,06/0,0008 = 75 Ом.

 

Полная проводимость 4-х-полюсника (схемы с ОЭ) составит:

 

Y₁₂ = h₁₂ / h₁₁ = 0,06/4000 = 0,0000Х Сим.

 

Вычисленные значения h, R и Z – статические параметры транзистора записать в таблицу отчета.

 

Статические параметры исследуемых транзисторов приведены в табл. 3.3

Пример изображения ВАХ и АЧХ транзистора КТ315 приведен на рис. 3.7.

 

Графики входных и выходных статических ВАХ транзистора, а также график передаточной функции схемы необходимо построить, используя графические системы ACAD, COMPAS и аналогичные, а также EXEL.

 

Полученные данные в Л.Р. №3 необходимо сохранить для последующего их использования в Л.Р.№4 при исследовании динамических характеристик транзистора в усилителе на транзисторе по схеме с ОЭ!

 

 

Таблица 3.3. Электрические параметры биполярных транзисторов 1985 – 2005 г.

№	Тип пров.	Шифр	h21Э (β)	UКЭ (В)	IК.Мах (А)	PМах (Вт)	fГР. мГц	IКЭо μА	Uкэ Нас	ТоК Мах	№ Рис.
1a	n-p-n	КТ201	20…60		0,03	0,15			1 B
1b	p-n-p	КТ203	15…40		0,03	0,15			0,4		1, 2
2a	n-p-n	КТ206	40…80		0,05	0,15			1 B
2b	p-n-p	КТ208	20…60		0,05	0,20			0,3
3a	n-p-n	КТ503	40..120		0,15	0,35			0,6
3b	p-n-p	КТ502	40…120		0,15	0,35			0,6
4a	n-p-n	КТ504	15…50		0,50	0,50			1,0
4b	p-n-p	КТ501	20…60		0,30	0,35			0,4
5a	n-p-n	КТ312	25…60		0,06	0,20			0,5
5b	p-n-p	КТ313	30…100		0,35	0,15		0,5	0,5
6a	n-p-n	КТ315	20…90		0,10	0,15			0,4
6b	p-n-p	КТ361	20…80		0,05	0,15			0,4
7a	n-p-n	КТ339	25…50		0,15	0,25			-		2, 13
7b	p-n-p	КТ337	30…60		0,05	0,15		1,0	0,2
8a	n-p-n	КТ342	25…250		0,05	0,25			0,1
8b	p-n-p	КТ343	30…60		0,05	0,15			0,3
9a	n-p-n	КТ358	25…100		0,06	0,20			0,8		7, 8
9b	p-n-p	КТ357	20…100		0,04	0.15			0,3		7, 8
10a	n-p-n	КТ3102	100…250		0,10	0,25		0,05	0,5		1, 7, 8
10b	p-n-p	КТ3107	70…140		0,10	0,30		0,1	0,5		1, 7, 8
11a	n-p-n	КТ373	20…60		0,05	0,15		0,5	0,4
11b	p-n-p	КТ3126	25…100		0,03	0,15		0,5	0,4		7, 8
12a	n-p-n	КТ3117	40… 200		0,06	0,30			0,6		1, 7, 8
12b	p-n-p	КТ3127	25…150		0,06	0,10		1,0	0,4
13а	n-p-n	ГТ311	20…60		0,08	0,30		0,5	0,3
13б	p-n-p	ГТ313	100…250		0,08	0,15		0,05	0,1
14а	n-p-n	ГТ341	50…150		0,05	0,10		5,0	0,3
14б	p-n-p	ГТ346	50…150		0,05	0,10		5,0	0,3
15a	n-p-n	КТ316	20…60		0,06	0,15		0,5	0,4
15b	p-n-p	КТ326	25…100		0,06	0,15		0,5	0,4
16a	n-p-n	КТ368	50…300		0,13	0,22		0,5	0,4
16b	p-n-p	КТ363	20…120		0,13	0,15		0,5	0,35		7, 8
17b	n-p-n	КТ3142	25…100		0,15	0,30		1,0	0,4		7, 8
17b	p-n-p	КТ3128	25…100		0,15	0,30		1,0	0,4		7, 8
18a	n-p-n	КТ608	25…80		0,4	0,50			1,0		18, 19
18b	p-n-p	КТ626	30…80		0,45				0,85
19a	n-p-n	КТ630	40…120		0,2	0,5		1,0	0,3
19b	p-n-p	КТ632,9	40…100		0,8			0,1	0,50
20a	n-p-n	КТ646	40…200		0,8				0,85
20b	p-n-p	КТ644	40…100		0,8			0,1	0,50
21a	n-p-n	КТ972	>750					1ма	1,5
21b	p-n-p	КТ973	>750					1ма	1,5
22a	n-p-n	КТ815	40…80		1,5				0,6
22b	p-n-p	КТ814	40…80		1,5				0,6
23a	n-p-n	КТ817	25…60						0,6
23b	p-n-p	КТ816	25…60						0,6
24a	n-p-n	КТ819	15…60					1 ма	2,0		22, 23
24b	p-n-p	КТ818	15…60					1 ма	2,0		22, 23
25a	n-p-n	КТ827	>750					1 ма	2,0
25b	p-n-p	КТ825	>750					1 ма	2,0
26a	n-p-n	КТ829	>750						2,0
26b	p-n-p	КТ853	>750						2,0

* транзисторы сгруппированы в 2 строки - комплементарными парами.

 

 

Таблица 3.4. Расположение выводов на корпусе транзистора (цоколевка)

		3 (старые)		5 (старые)
КТ201, 203, КТ313, 326	КТ501 КТ208, 339	КТ301,302, КТ312,	КТ306, КТ	точ. ГТ308, 321, П416	КТ504, npn КТ630, npn
КТ502, 503, КТ3102-3143	КТ3102- - КТ3143	КТ315, КТ361	КТ337(р)	КТ208, КТ373	КТ3102-3142, ГТ346
	14 (старые)	15 (старые)		17 (старые)
кор КТ316, 346, КТ368,ГТ328	ГТ402, 404, П416, П307	ГТ403, ГТ308 (Э-точка)	ГТ328, ГТ338 ГТ311, ГТ313	МП16 – 42	КТ601 - 608
19 (вариант)	20 (вариант)		22 (вариант)	23 (вариант)
КТ601 – 639, 644, 646	КТ626	КТ814 – 817 КТ940-КТ973	КТ805,35,37 КТ818, 819	КТ812-846	КТ829 – 872
25 (старые)	26 (старые)	27 (старые)	28 (старые)
П214, П217	КТ801	КТ802 – 808	КП103 (p-кан)	КП302 (n-кан)	И ко КП303,307 n-к
31 (старые)	32 (старые)	33 (старые)	34 (старые)
p-n КП901 (n-кан)	из КП902 (n-кан)	p-n КП903 (n-кан)	из КП904 (n-кан)	З И КП912	З И КП922 (n-кан)

 

Рис. 3.7. Пример изображения ВАХ и АЧХ транзистора КТ315

⇐ Предыдущая12345678910Следующая ⇒

Поделиться:

Воспользуйтесь поиском по сайту: