Главная | Обратная связь | Поможем написать вашу работу!
МегаЛекции

Расчёт схемы фильтра в канале изображения

 

Для отсечения высокочастотных составляющих в сигнале R-Y необходимо включение фильтра низкой частоты (ФНЧ). Этот фильтр должен быть настроен на частоту среза = 1,5 МГц, так как этой частотой определяется верхняя граница спектра сигнала.

Итак, требуется рассчитать ФНЧ.

Исходные данные для расчёта:

частота среза fГР = 1,5 МГц;

сопротивление нагрузки RН = 900 Ом.

Принципиальная схема фильтра представлена на рис. 2.3.

 

 

Рис 2.3. Принципиальная схема фильтра.

 

1. Расчёт конденсаторов.

 

,                                                                          (2,25)

 

где fГР - частота среза, Гц;

RН - сопротивление нагрузки, Ом.

 

 

В схему, конденсаторы устанавливаются номиналом С1 = С2 = С/2 =

= 117 пФ.

 

2. Расчёт катушки индуктивности

 

,                                                                               (2,26)

 

где fГР - частота среза, Гц;

RН - сопротивление нагрузки, Ом.

        

   

 

Таким образом получаем L = 191 мкГн.

 

Амплитудно-частотная характеристика такого фильтра будет описываться выражением:

 

,                             (2,27)

 

и будет иметь следующий вид показанный на рис.2.4.

 

 

 

Рис. 2.4. Амплитудно-частотная характеристика фильтра.

 

Таким образом, номиналы элементов при постановке в схему:

L = 200 мкГн;

С1 = С2 = К31-11 250В 100 пФ.

 

 

Расчёт схемы эмиттерного повторителя в канале звука стандарта

NICAM

 

Для согласования выхода усилительного каскада со входом микросхемы звукового процессора используем схему показанную на рис 2.5.

Исходные данные для расчёта схемы

- ток отдаваемый в нагрузку, Iн = 1 мА;

- напряжения в нагрузке Uн = 2 В;

- напряжение питания Uпит = 5 В;

- частота усиливаемого сигнала fсиг = 6,5 МГц;

- допустимый уровень частотных искажений Мн = 1.1 dB.

Выбор транзистора производим исходя из заданной максимальной частоты сигнала. Выберем транзистор КТ3172А[9]. Это транзистор кремниевый эпитаксильно-планарный, структуры n-p-n усилительный. Предназначенный для применения в бытовой видеотехнике.

Справочные данные:

- статический коэффициент передачи тока 40;

- входное сопротивление транзистора 727 Ом:

- граничная частота 300 МГц;

- максимальный ток коллектора 20 мА;

 

- максимальное напряжение коллектор-эмиттер 20 В.

 

Рис 2.5. Принципиальная схема эмиттерного повторителя в канале звука стандарта NICAM.

 

 

1. Расчёт постоянной составляющей тока эмиттера.

 

,                                                                                 (2,28)

где IЭ0 – постоянная составляющая тока эмиттера, мА;

IН – ток в нагрузке, мА;

КЗ – коэффициент запаса = 1,7.

 

      

 

2. Расчёт статического коэффициента передачи тока в схеме с общей базой.

 

,                                                                              (2,29)

где h21Б – статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой;

h21Э – статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.

 

 

3. Расчёт постоянной составляющей тока коллектора.

 

,                                                                             (2,30)

где IК0 - постоянная составляющая тока коллектора, мА;

IЭ0 – постоянная составляющая тока эмиттера, мА;

h21Б – статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой.

 

проверяем условие IК0< IДОП. Условие выполняется.

 

4. Расчёт постоянной составляющей коллекторного напряжения.

 

,                                                                    (2,31)

где UКЭМИН – остаточное напряжение на коллекторе, 0,5…1 В;

Uн - напряжение в нагрузке, В.

 

проверяем условие UК0< UДОП. Условие выполняется.

 

5. Расчёт резистора RЭ

 

,                                                                        (2,32)

где RЭ – сопротивление резистора RЭ, Ом;

Uпит - напряжение питания, В;

IЭ0 – постоянная составляющая тока эмиттера, мА;

UК0 - постоянная составляющая коллекторного напряжения, В.

 

        

6. Расчет тока в цепи базы.

 

,                                                                                     (2,33)

h21Э – статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером;

IЭ0 – постоянная составляющая тока эмиттера, А.

 

 

7. Расчет сопротивлений делителя, R1, R2.

 

,                                                                  (2,34)

где UПИТ - напряжение питания, В;

IБ0 ток - в базе транзистора, А.

 

 

,                                                                          (2,35)

где UR2 - падение напряжения на резисторе R2, В;

UБ0 - напряжение в базе транзистора, В;

U - падение напряжения на резисторе RЭ, В.

 

 

,                                                                                (2,37)

где UR2 - падение напряжения на резисторе R2, В;

IБ0 - ток в базе транзистора, А;

R2 – сопротивление резистора R2, Ом.

 

 

R1 = RД – R2,                                                                            (2,38)

где R1 – сопротивление резистора R1, Ом;

R2 – сопротивление резистора R2, Ом;

RД – сопротивление делителя в цепи базы, Ом.

 

R1 = 11764,5 – 7435,3 = 4329,2

 

 

8. Расчёт крутизны вольтамперной характеристики транзистора.

 

,                                                                                     (2,39)

где S - крутизна вольтамперной характеристики транзистора, А/В;

h21Э – статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером;

h11 - входное сопротивление транзистора, Ом.

 

 

9. Расчёт коэффициента усиления каскада.

 

,                                                                              (2,40)

где S - крутизна вольтамперной характеристики транзистора, А/В;

RЭ – сопротивление резистора RЭ, Ом.

 

 

10. Расчёт конденсатора С1

 

,                                                                   (2,41)

где fc – частота усиливаемого сигнала, Гц;

R1 – сопротивление резистора R1, Ом;

R2 – сопротивление резистора R2, Ом.

 

 

11. Расчёт конденсатора С2.

 

,                                                                        (2,42)

где МН - допустимый уровень частотных искажений;

fН – частота сигнала, Гц;

RЭ – сопротивление резистора RЭ, Ом.

 

 

12. Расчёт передаточной характеристики каскада по высокой частоте.

 

,                                                                          (2,43)

где К - коэффициент усиления каскада в зависимости от частоты;

К0 – см формулу (2,40);

fВ – верхняя частота усиления каскада, Гц;

f – текущая частота, Гц.

 

,                                                                     (2,44)

где fВ – верхняя частота усиления каскада, Гц;

RВЫХ – выходное сопротивление каскада, Ом;

С0 – выходная ёмкость каскада, Ф.

 

,                                                                            (2,45)

где RВЫХ – выходное сопротивление каскада, Ом;

RЭ – сопротивление резистора RЭ, Ом;

S - крутизна вольтамперной характеристики транзистора, А/В.

 

 

 

,                                                                     (2,46)

где С0 – выходная ёмкость каскада, Ф;

СЭК – ёмкость коллекторного перехода, Ф;

СН – емкость нагрузки, Ф;

СМ – емкость монтажа, Ф.

.

 

 

График зависимости коэффициента усиления эмиттерного повторителя в

канале звука стандарта NICAM от частоты приведён на рис.2.6.

 

 

Рис.2.6. График зависимости коэффициента усиления эмиттерного повторителя в канале звука стандарта NICAM от частоты.

 

 

Поделиться:





Воспользуйтесь поиском по сайту:



©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...