Рекомендуемые типы полупроводниковых приборов
БТ с нормированным коэффициентом шума: КТ3102, КТ3107, КТ3108, КТ3109, КТ306, КТ368, КТ382, КТ399 и другие. Для радиотракта РП невысокого класса (2-й группы сложности) допустимо использование БТ с ненормированным коэффициентом шума: КТ301, КТ312, КТ315, КТ342, КТ3117, КТ361, КТ326, КТ363, КТ3126 и другие. Рекомендуемые типы ПТ: КП303, КП305, КП307, КП312, КП313, КП341, КП306, КП327, КП350 и другие. Справочная литература для выбора транзисторов [33, 35, 36] и другая.
3.4.3 Выбор режимов по постоянному току и расчет у –параметров биполярных транзисторов
Маломощные высокочастотные БТ работают в составе радиотракта с токами покоя В предварительном расчете для всех транзисторов радиотракта можно принять IОК = 1 мА – оптимальное значение с точки зрения усилительных свойств и потребления. При необходимости в процессе электрического расчета отдельных каскадов IОК может быть скорректирован. Параметры БТ слабо зависят от напряжения uКЭ при uКЭ > 1В, поэтому предварительно можно считать для всех транзисторов uКЭ = 2 ÷ 5 В < ЕК, где ЕК – напряжение питания коллекторных цепей радиотракта или РП в целом. Из справочника необходимо выбрать следующий минимальный перечень электрических параметров БТ с указанием режима измерения: - статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ h21Э при t = +250С; - граничная частота коэффициента передачи тока f т; - или модуль коэффициента передачи тока |h21Э| на частоте измерения f изм, при этом f т = | h21Э | f изм ; (18) - постоянная времени цепи обратной связи
где CК1 – активная емкость коллекторного перехода; - полная емкость коллекторного перехода CК; - коэффициент шума N.
Если в справочнике приводится несколько значений параметра, то нужно брать нормируемое значение (максимальное или минимальное), а не типовое, которое обычно отмечается звездочкой.
Расчет у –параметров для схемы ОЭ
1 Определяем среднее геометрическое значение h21Э, используемое в дальнейших расчетах h21Э = h21Э ср. геом. = где h21Э min, h21Э max – крайние значения h21Э из справочника. Для большей достоверности расчетов можно скорректировать рассчитанное значение h21Э для IОК = 1 мА, используя график зависимости h21Э = f (I К) – если он приводится в справочнике.
2 Определяем активное (дифференциальное) сопротивление эмиттерного перехода при нормальной абсолютной температуре Т = 300К
где
при
3 Определяем объемное сопротивление базы из формулы (19)
где γ зависит от конструкции (топологии) транзистора, для эпитаксиально-планарных транзисторов γ = 0,1 ÷ 0,3, причем меньшее значение γ характерно для транзисторов с f Т ≥ 0,8 ÷ 1 ГГц, большее – для транзисторов с f Т = 0,1 ÷ 0,3 ГГц.
4 Входное сопротивление транзистора в схеме с ОБ
5 Рассчитываем граничную частоту транзистора по крутизне
Чтобы можно было не учитывать зависимость у –параметров от частоты, необходимо выполнение условия (17)
где f – максимальная рабочая частота в составе радиотракта. Тогда основные составляющие у -параметров для схемы ОЭ, используемые в дальнейших расчетах, можно определить следующим образом.
6 Входная проводимость
где
Рассчитываем: а) б)
7 Выходная проводимость
где
Рассчитываем: а) где
б)
8 Проводимость прямой передачи (крутизна транзистора)
где
Рассчитываем
9 Проводимость обратной передачи
где
10 Если транзистор будет использован с током покоя
Воспользуйтесь поиском по сайту: ![]() ©2015 - 2025 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|