Главная | Обратная связь | Поможем написать вашу работу!
МегаЛекции

Рекомендуемые типы полупроводниковых приборов




 

БТ с нормированным коэффициентом шума: КТ3102, КТ3107, КТ3108, КТ3109, КТ306, КТ368, КТ382, КТ399 и другие.

Для радиотракта РП невысокого класса (2-й группы сложности) допустимо использование БТ с ненормированным коэффициентом шума: КТ301, КТ312, КТ315, КТ342, КТ3117, КТ361, КТ326, КТ363, КТ3126 и другие.

Рекомендуемые типы ПТ: КП303, КП305, КП307, КП312, КП313, КП341, КП306, КП327, КП350 и другие.

Справочная литература для выбора транзисторов [33, 35, 36] и другая.

 

3.4.3 Выбор режимов по постоянному току и расчет у –параметров биполярных транзисторов

 

Маломощные высокочастотные БТ работают в составе радиотракта с токами покоя . Чем больше ток покоя, тем больше крутизна БТ и больше устойчивое усиление на один каскад, но тем больше входная и выходная проводимости, тем сильнее шунтирование контуров избирательных цепей.

В предварительном расчете для всех транзисторов радиотракта можно принять IОК = 1 мА – оптимальное значение с точки зрения усилительных свойств и потребления. При необходимости в процессе электрического расчета отдельных каскадов IОК может быть скорректирован.

Параметры БТ слабо зависят от напряжения uКЭ при uКЭ > , поэтому предварительно можно считать для всех транзисторов

uКЭ = 2 ÷ 5 В < ЕК,

где ЕК – напряжение питания коллекторных цепей радиотракта или РП в целом.

Из справочника необходимо выбрать следующий минимальный перечень электрических параметров БТ с указанием режима измерения:

- статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ h21Э при t = +250С;

- граничная частота коэффициента передачи тока f т;

- или модуль коэффициента передачи тока |h21Э| на частоте измерения f изм, при этом

f т = | h21Э | f изм ; (18)

- постоянная времени цепи обратной связи

(19)

где – объемное (распределенное) сопротивление базы;

CК1 – активная емкость коллекторного перехода;

- полная емкость коллекторного перехода CК;

- коэффициент шума N.

 

Если в справочнике приводится несколько значений параметра, то нужно брать нормируемое значение (максимальное или минимальное), а не типовое, которое обычно отмечается звездочкой.

 

Расчет у –параметров для схемы ОЭ

 

1 Определяем среднее геометрическое значение h21Э, используемое в дальнейших расчетах

h21Э = h21Э ср. геом. = (20)

где h21Э min, h21Э max – крайние значения h21Э из справочника.

Для большей достоверности расчетов можно скорректировать рассчитанное значение h21Э для IОК = 1 мА, используя график зависимости h21Э = f (I К) – если он приводится в справочнике.

 

2 Определяем активное (дифференциальное) сопротивление эмиттерного перехода при нормальной абсолютной температуре Т = 300К

, (21)

где - температурный потенциал, В;

- постоянная Больцмана;

- абсолютная температура, К;

- заряд электрона;

- ток эмиттера;

при

 

3 Определяем объемное сопротивление базы из формулы (19)

, (22)

где .

γ зависит от конструкции (топологии) транзистора, для эпитаксиально-планарных транзисторов γ = 0,1 ÷ 0,3, причем меньшее значение γ характерно для транзисторов с f Т ≥ 0,8 ÷ 1 ГГц, большее – для транзисторов с f Т = 0,1 ÷ 0,3 ГГц.

 

4 Входное сопротивление транзистора в схеме с ОБ

. (23)

 


5 Рассчитываем граничную частоту транзистора по крутизне

. (24)

Чтобы можно было не учитывать зависимость у –параметров от частоты, необходимо выполнение условия (17)

,

где f – максимальная рабочая частота в составе радиотракта.

Тогда основные составляющие у -параметров для схемы ОЭ, используемые в дальнейших расчетах, можно определить следующим образом.

 

6 Входная проводимость

,

где – активная составляющая входной проводимости;

– реактивная составляющая входной проводимости;

– круговая рабочая частота;

– входная емкость.

 

Рассчитываем:

а) ; (25)

б) . (26)

 

7 Выходная проводимость

,

где – активная составляющая выходной проводимости;

– реактивная составляющая;

– выходная емкость.

Рассчитываем:

а) , (27)

где – активная выходная проводимость транзистора в схеме с ОБ;

– дифференциальное сопротивление коллекторного перехода, значение h22Б или rк в справочнике может отсутствовать, в этом случае с достаточной для практики погрешностью можно принять для ;

б) (28)

 

8 Проводимость прямой передачи (крутизна транзистора)

,

где – модуль проводимости прямой передачи;

– фаза проводимости прямой передачи, для можно считать


Рассчитываем

. (29)

 

9 Проводимость обратной передачи

,

где ,

– проходная емкость.

 

10 Если транзистор будет использован с током покоя отличным от IОК = 1мА, то нужно пересчитать проводимости:

, , (30)

Поделиться:





Воспользуйтесь поиском по сайту:



©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...