Разработка структурно-функциональной схемы
Стр 1 из 3Следующая ⇒ СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ. 4 Разработка структурно-функциональной схемы.. 5 Выбор элементной базы.. 6 Описание построения основных узлов и блоков. 9 Описание функционирования разработанной схемы.. 13 Расчетная часть. 14 ЗАКЛЮЧЕНИЕ. 16 СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ.. 17 ПРИЛОЖЕНИЕ А.. 18 ПРИЛОЖЕНИЕ Б. 20
Одним из ведущих направлений развития современной микроэлектронной элементной базы являются большие интегральные микросхемы памяти, которые служат основой для построения запоминающих устройств в аппаратуре различного назначения. Номенклатуру микросхем памяти отечественного производства характеризует большое разнообразие конструктивно-технологических и схемотехнических исполнений, функциональных возможностей, электрических характеристик, областей применения. Компактная микроэлектронная “память” широко применяется в современной электронной аппаратуре самого различного направления. И тем не менее разговор о назначении микросхем памяти и их классификации удобно начать с рассмотрения их места в роли ЭВМ. Память определяют как функциональную часть ЭВМ, предназначенную для записи, хранения и выдачи команд и обрабатываемых данных. Комплекс технических средств, реализующих функцию памяти, называют запоминающим устройством (ЗУ). Основная память, как правило состоит из ЗУ двух видов – оперативного (ОЗУ) и постоянного (ПЗУ). Оперативное ЗУ предназначено для хранения переменной информации, оно допускает изменение своего содержимого в ходе выполнения процессором вычислительных операций с данными. Это значит, что процессор может выбрать (режим считывания) из ОЗУ код команды и данные и после обработки поместить в ОЗУ (режим записи) полученный результат. Причём возможно размещение в ОЗУ новых данных на местах прежних, которые в этом случае перестают существовать. Таким образом, ОЗУ может работать в режимах записи, считывания и хранения информации.
Функциональные возможности ОЗУ шире, чем ПЗУ: ОЗУ может работать в качестве ПЗУ, то есть в режиме многократного считывания однократно записанной информации. ОЗУ является энергозависимым, то есть не может сохранять информацию при сбоях и отключения питания. Темой данного курсового проекта является разработка устройства оперативной памяти статического типа емкостью 1Мб для микропроцессора Intel 80386. Разработка структурно-функциональной схемы Оперативные запоминающие устройства предназначены для хранения переменной информации: программ и промежуточных результатов обработки данных. Такие ЗУ работают в режимах записи, хранения и считывания информации и допускают оперативную смену своего информационного содержания. Основными факторами, определяющими структуру построения модуля памяти, являются входные и выходные нагрузочные характеристики БИС ОЗУ и согласующих схем, а также их временные характеристики. При построении модуля ОЗУ необходимо решить вопросы соотношения числа слов и разрядов. Выбор типа БИС ОЗУ определяется параметрами: емкостью, быстродействием, потребляемой мощностью и т. д. Модуль ОЗУ должен включать в себя следующие структурные блоки: блок запоминающих элементов (микросхем памяти); блок формирования шины данных; блок управления. Структурно функциональная схема модуля ОЗУ представлена на рисунке 1.
Рисунок 1 На рисунке 1 приняты обозначения: ШД – шина данных, ША – шина адреса, ШУ – шина управления, БФШД – блок формирования шины данных. Блок формирования шин предназначен для увеличения нагрузочной способности шин и создания возможности подключения шин модуля памяти к системной шине (СШ) микроЭВМ.
Блок дешифрации адресного пространства предназначен для получения возможности поместить блок памяти в нужное место адресного пространства. Направление стрелок указывает на направление передачи информации, по шине данных передача осуществляется в обоих направлениях.
Читайте также: N инженерно-экологическое обеспечение производства, разработка методов инженерно-экологической профилактики, восстановления и реконструкции ландшафтов. Воспользуйтесь поиском по сайту: ©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|