Главная | Обратная связь | Поможем написать вашу работу!

Описание функционирования разработанной схемы

Микропроцессор Intel 80386 имеет 32 - разрядную шину данных и 32 – разрядную шину адреса. Управляющие сигналы – MEMWR MEMRD.

Запись и чтение данных памяти осуществляется по состояниям сигналов MEMWR, MEMRD. MEMWR = 0 MEMRD = 1означает, что микропроцессор готов к приему информации с шины данных, MEMWR = 1 MEMRD = 0 говорит о том, что МП выдает информацию на шину данных.

Сигналы WE = 0,OE = 0иDIR = 0соответственно для микросхемы памяти и микросхемы шинного формирователя по приходу сигнала записи и сигналы WE = 1, OE = 1и DIR = 1по приходу сигнала чтения обеспечивают запись и чтение памяти.

Для записи информации в ОЗУ необходимо установить на шине адреса адресные сигналы, сформировать информационный байт на шине данных и затем подать управляющий сигнал. Этот сигнал должен удерживаться в течении некоторого времени, которое складывается из времени, достаточного для того, чтобы данные успели пройти через шинный формирователь к микросхеме памяти и длительности сигнала CE в режиме записи.

Для чтения информации из ОЗУ необходимо подать управляющий сигнал OE. После этого блок управления выдает управляющие сигналы для микросхем модуля. Далее с некоторой задержкой, определяемой характеристиками микросхемы памяти и временем прохождения данных через шинный формирователь, на выходе модуля появляются информационные сигналы.

Когда сигналы управления неактивны, модуль ОЗУ находится в режиме хранения.

Расчетная часть

Для анализа временных характеристик работы устройства приводим информацию о микросхеме памяти.

Режим чтения

Режим записи

Таблица 2

Проведем расчет работы микросхемы. В расчетах основываемся на результаты, полученные в предыдущем разделе.

DS1265Y: время задержки не превышает 70 нс.

КР531ЛН1: время задержки не превышает 5 нс.

КР531ЛИ1: время задержки не превышает 7,5 нс.

КР531ЛЛ1: время задержки не превышает 7 нс.

SN74S260: время задержки не превышает 6 нс.

КР531ЛА1: время задержки не превышает 5 нс.

К555АП6: время задержки не превышает 40 нс.

Время прохождения управляющих сигналов через

блок управления: 5+7,5+7+6+5=30,5 нс.

Время записи составляет 70+5+7,5+7+6+5 = 100,5 нс.

Время чтения составляет 70+5+7,5+7+6+5+40 = 140,5 нс.

Также для анализа работы нашего устройства необходимо произвести анализ потребляемой мощности.

Для этого посчитаем сумму максимальных мощностей, потребляемых каждым устройством.

Максимальные мощности, Вт:

- DS1265Y – 0,425;

- SN74S260 – 0,022

- КР531ЛЛ1 – 0,019;

- К555АП6 – 0,002;

- КР531ЛН1– 0,004;

- КР531ЛИ1– 0,019;

- КР531ЛА1– 0,019;

- Общая потребляемая мощность равна:
0,425*4+0,002*4+0,019*6+0,004*4+0,019*3+0,022*2+0,019=1,958 Вт.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате проведенной работы был получен проект статического оперативного запоминающего устройства (ОЗУ) памятью 1 Mбайт, предназначенного для работы с процессором Intel 80386.

Были рассмотрены основные функциональные блоки устройства, дано их краткое описание.

Из соображений совместимости по быстродействию и потребляемой мощности были выбраны подходящие серии интегральных микросхем (ИМС). Затем подобраны конкретные микросхемы.

В работе были описаны основные блоки устройства, т. е. их состав, функционирование, взаимодействие с другими блоками и шинами.

Также была описана общая работа устройства в каждом из возможных режимов с использованием временных диаграмм.

В заключение были проведены расчеты временных характеристик ОЗУ, а также вычисление номинальной потребляемой мощности.

Наконец в приложениях даны временные диаграммы с таблицами времени и представлена спецификация проекта.

⇐ Предыдущая 1 23