 |
Раздел 9. Полупроводниковые приборы
|
|
|
|
Студент должен:
знать:
¾ классификацию и область применения полупроводниковых приборов;
¾ свойство электронно-дырочного перехода и его вольт-амперная характеристика;
¾ параметры и область применения полупроводникового диода;
¾ устройство и принцип действия транзистора;
¾ усилительный, ключевой режим транзистора;
¾ классификации и параметры микросхем;
уметь:
¾ снимать вольтамперную характеристику полупроводникового диода;
¾ составлять схемы включения транзистора с общим 11111, с общей базой,с общим эмиттером коллектором;
¾ определять тип функциональное назначение по условному обозначению микросхемы.
Тема 9.1 Физические основы работы полупроводниковых приборов
Электропроводность полупроводников. Образование и свойства p-nперехода, прямое и обратное включение p-n перехода. Вольт-амперная характеристика p-n перехода, виды пробоя.
Литература:Л-1, 
§ 16.1-16.10; Л-2, § 7.1-7.4; Л-4, § 2.1-2.4.
Задачи и вопросы
- Что называют собственной проводимостью полупроводников?
- Что называют примесной проводимостью полупроводников?
- Объясните свойства электронно-дырочного p-n перехода.
Тема 9.2. Полупроводниковые приборы
Полупроводниковые диоды, стабилитроны и стабисторы.
Вольт-амперная характеристика. Область применения. Биполярные транзисторы. Три схемы включения. Режимы работы транзистора.
Принцип усиления в схеме с общим эмиттером (ОЭ).Достоинства и недостатки этой схемы. Работы транзистора в ключевом режиме. Особенности этого режима и применение в электрооборудовании автомобиля (система сжигания, реле-регуляторы, автоматика).
Литература: Л-1,§ 16.6-16.10; §19.1-19.6; Л-4, §2.3-2.6; §5.1-5.8.
|
|
|
Задачи и вопросы
- Почему полупроводниковый диод используют как выпрямитель переменного тока?
- Основные параметры полупроводникового диода.
- Начертите структурную схему транзистора и объясните принцип его работы.
- Работа транзистора в ключевом режиме, особенности этого режима.
Тема 3.3. Интегральные схемы микроэлектроники
Понятие о полупроводниковых интегральных микросхемах (ПИМС),гибридных интегральных микросхемах (ГИМС). Большие интегральные схемы (БИС). Применение интегральных микросхем. Система обозначений интегральных микросхем.
Литература: Л-1, §21.2-21.9; Л-4, §7.1-7.5.
Вопросы и задачи
- Дать определение полупроводниковой интегральной микросхемы.
- Дать определение гибридной интегральной микросхемы.
- Какой усилитель называется операционным усилителем(ОУ) и какие функции он может выполнять?
|
|
|
A) простая, единая, целостная форма национально-государственного устройства, при которой территория государства подразделяется на административно-территориальные единицы.
E. движение ионов, разделение и изменение их концентрации в разных
II. Программа теоретического раздела дисциплины
III. МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ К ВЫПОЛНЕНИЮ ОТДЕЛЬНЫХ РАЗДЕЛОВ РАБОТЫ
III. Разделы, изученные ранее и необходимые для данного занятия (базисные знания)
IV. Порядок заполнения Раздела 1
IX. Порядок заполнения Раздела 6
N Каждый раздел имеет свои подразделы и связи с другими частями экологии и смежными науками.
N Основные разделы современной экологии: общая (теоретическая) экология, биоэкология, геоэкология, экология человека и социальная экология, прикладная экология.
V1: Раздел 1. Физические основы механики
