 |
Выбор радиатора. Порядок операций при настройке источников питания
|
|
|
|
Главными ограничивающим фактором при использовании полупроводниковых приборов в режиме с очень высокой мущностью рассеивания явл отвод тепла от кристалла.
Тепловая модель корпуса
Источник тепловой энергии (мощность выделяемая на коллекторе для транзистора) представлен как источник тока Pк. Температура окружающей среды представлено как напряжение батареи.
Тепловой сопротивление Тэта кр-с измеряется гардусы\ватты
Тэта кристалл среда приблизительно равно от 60 до 180 цельсии\ватт, соответствует работе тиристора без внешнего радиатора.
–без теплоотвода
Qкр-к – от 1 до 5 град\ватт
Qкр-к измеряется в точке на корпусе непосредственно под расположением кристалла
Qк-р примерно от 0,1 до 1 гр\ватт
При применении электроизоляционных материалов (слюда) для изоляции корпуса и радиатора тэта к-р больше либо равно 0,5 гр\ватт.
Чёрная краска на радиаторе, несмотря на эту изоляцию на радиаторе есть напряжении что опасно
При применении теплопроводящих паст, тэта к-р меньше либо равно 0,2 гр\вт. Тепловое сопротивление тэта радиатор среда явл конечнм пунктом рассчёта при выборе радиатора и приблизительно равно 1,01 – 1,1 гр\вт
Случаи применения радиатора: формула 32
Т.о. выбор радиатора свидится к выбору его теплового соединения в соответствии с формулой:
формула 33
В качестве материалов для теплоотвода исп медь и алюминий.
Медь- лучшая теплопроводность
Площадь теплоотвода можно рассчитать: ф34
Отвод тепла растёт при увеличении площади поверхности радиатора, но увеличение площади должно быть за счёт ребристости; за счёт вертикального расположения рёбер радиатора; покрытия корпуса радиатора чёрной матовой краской. Вентилятор на АД выбирают из тысячи штук (испытание разных режимов).
|
|
|
рис32
Пример:
Известно что в качестве регулировочного транзистора в стабилизаторе применён транзистор КТ805АМ, найти тепловое сопротивление тэта р-с. Из справочника Iкмах = 5 А
Контакт с теплопроводом через пасту.
Порядок итерации при настройки источника питания.
1. установить требуемые величины стабилизируемого напряжения(+-15,+-5) с точностью не хуже 0,1 В. При этом желательно использовать цифровые измерительные приборы с высоким вх сопротивлением.(вольтметр)
2. обратить внимание на симметрию напряжений +15 и -15 В, тк несимметричное напряжение оказывает влияние на характеристики ОУ
3. При помощи осциллографа проконтролировать велицину пульсаций указанных напряжений. в общем случае она не должна превышать 5 мВ.
4. Проконтролировать наличие нестабилизированных напряжений.
Система управления
Система управления обеспечивает формирование по вертикальному принципу синхронизированной сетью М-фазной системы. Управляющих импульсов. подаваемых цепью управления тиристорами, а также изменение фазы этих импульсов функции напряжения управления, поступающей из системы регулирования.
В дополнение к этим функциям система управления реверсивным тиристорным преобразователе обеспечивает раздельное управление комплектами вентилей, переключая управляющим импульсом с одного комплекта на другой для изменения направления выпрямленного тока.
Основные элементы системы управления на примере трёхфазного мостового реверсивного преобразователя с раздельным управлением.
Элементы: 1- трансформатор синхронизации(3хф)
2- Согласующий фильтр(по одному в каждый канал управления)
3- Устройство ограничения максимального и минимального угла управления, общее для 3-х каналов
4- 3 канала фазового управления
5- Усилитель импульсов
6- Устройство логики
|
|
|
7- Датчики состояния вентилей
Можно выделить 2 группы требований, предъявляемых к СИФУ:
1. Относятся к выходным устройствам и определяют параметры управляющих импульсов из условия надёжного включения тиристоров и ограничения мощности рассеиваемой на управляющем переходе тиристоров, в частности это – амплитуда импульсов и длительность импульсов. Сюда также относятся – чёткость момента открывания тиристора, которая задаётся крутизной фронта, управляющего импульса или скоростью нарастания тока управления. 
2. Имеет отношение к статическим и динамическим характеристикампреобразователя и рассматривает такие показатели как симметрия управляющих импульсов, диапазон изменения угла управления, вид регулировочной характеристики, мощность управления, быстродействие, помехозащищённость по управляемому входу и каналу синхронизации.
|
|
|
