Обратный ток реального р-п-перехода.

при обратном смещении р-п перехода в нем проте­кает лишь небольшой ток, называемый обратным. Этот ток I ₀ и формирует обратную ветвь ВАХ р-п перехода. В общем случае I ₀ состоит из четырех составляющих: теплового тока, тока термогенерации, тока утечки и канального тока.

Тепловой ток обусловлен термогенерацией электронно-дырочных пар в об­ластях р- и n-типа, удаленных от i -области не далее чем на диффузионную дли­ну. Строго говоря, диффузионная длина для эмиттера и базы будет разной, но этот факт не играет принципиальной роли для качественного рас­смотрения теплового тока. Электроны и дырки, возникающие в структуре, будут сортироваться электрическим полем: электроны устремляются в n -область, а дырки - в p -область. Относительно теплового тока остается заметить, что он является основной составляющей обратного тока у германие­вых р-п переходов и слабо зависит от величины приложенного обратного на­пряжения.

Другой составляющей обратного тока является ток термогенерации, кото­рый обусловлен генерацией носителей заряда в i-области под действием тепла. Этот ток отличается от теплового только местом, где образуются подвижные носители заряда.

Третьей составляющей обратного тока р-п перехода является ток утечки. Для р-п переходов, изготовленных из «достаточно широкозонных полупроводников, поверхностные утечки могут явиться основной составляющей, опреде­ляющей величину тока I ₀.

Четвертой составляющей обратного тока р-п перехода является канальный ток. Он является основной составляющей для кремниевых р-п переходов, вы­полненных по планарной технологии.

В реальных условиях в полупроводнике, кроме основных носителей электрических зарядов — электронов и дырок, образующихся при введении примесей, имеются, и неосновные носители зарядов (их значительно меньше) электроны п дырки, образующиеся вследствие теплового движения атомов в кристалле. Часть этих электронов и дырок способна проходить (дрейфовать) через р-n-переход даже при обратной полярности прило­женного к полупроводнику напряжения, создавая так называемый обратный ток, который, несрав­нимо меньше прямого тока. Следовательно, р-n-переход полупроводника весьма определенно проявляет свойство односторонней проводимости, что дает возможность рас­сматривать кристалл в качестве вентиля. Вольт-амперная характеристика р-n-перехода показывает, что уже при сравнительно небольших прямых напряжениях сопротивление перехода падает, а прямой ток резко уве­личивается. У полупроводников обратные напряжения U_обр значи­тельно больше прямых U_пр, а обратные токи намного слабее прямых токов, однако при некотором возросшем значении обратного напряжения наступает явление так называемого пробоя р—п-перехода и обратный ток резко возрастает (точка А). В этом режиме напряжение на диоде изменяется очень мало, даже при изменении тока через прибор в весьма широких пределах, то есть полупроводник ведет себя как стабилитрон. Подобный режим, который будет аварийным для полупроводниковых выпрямителей, успешно исполь­зуется в устройствах стабилизации напряжения.

Билет 6