Резонанс в магнитно-связанных колебательных контурах.

Резонанс в магнитно-связанных колебательных контурах. В § 3.23 - 3.27 °Ь1ли описаны резонансные явления в параллельном, последовательном и последо-вательно-параллельном резонансных контурах. Рассмотрим резонанс в магнитно-связанных контурах, например в схеме рис. 3.42, а, часто применяемой в радиотехнике. Для упрощения выкладок положим L, = L2 - L, С, = С2 = С; Rx = R2 = R,

Додает возможность относительно легко выявить основные закономерности резонанса в этой схеме.

Рис. 3.42

Составим уравнения по второму закону Кирхгофа:

Ток

Напряжение на конденсаторе второго контура

С помощью параметра ɛ учитывается отклонение текущей частоты ω от резонансной ω₀ Рассмотрим работу схемы при относительно малых отклонениях ω от

ω₀. Положим ω = ω₀- ∆ω. Тогда

В свою очередь,

При малых отклонениях ω от ω₀, вынеся в знаменателе выражения (а)за скобку ω²L²=ω²₀L² и использовав указанные обозначения, получим

Диоды Шотки.

Шоттки диод, диод с барьером Шотки, Полупроводниковый диод, выполненный на основе контакта металл — полупроводник; назван в честь немецкого учёного В. Шотки, создавшего в 1938—39 основы теории таких диодов. При изготовлении Ш. д. на очищенную поверхность полупроводникового кристалла наносят тонкий слой металла (Au, Al, Ag, Pt и др.) методами вакуумного испарения, катодного распыления либо химического или электролитического осаждения. В Ш. д. (в приконтактной области полупроводника), как и в диодах с электронно-дырочным переходом (в области этого перехода), возникает Потенциальный барьер,изменение высоты которого под действием внешнего напряжения (смещения) приводит к изменению тока через прибор (см. рис. 2). Ток через контакт металл — полупроводник, в отличие от тока через электронно-дырочный переход, обусловлен только основными носителями заряда.

Отличительные особенности Ш. д. по сравнению с полупроводниковыми диодами др. типов: возможность получать требуемую высоту потенциального барьера посредством выбора соответствующего металла; значительная нелинейность вольтамперной характеристики при малых прямых смещениях; очень малая инерционность (до 10^―11 сек); низкий уровень ВЧ шумов; технологическая совместимость с интегральными схемами простота изготовления. Ш. д. служат главным образом СВЧ-диодами различного назначения (детекторными, смесительными, лавинно-пролётными, параметрическими, импульсными, умножительными); кроме того, Ш. д. применяют в качестве приёмников излучениядетекторов ядерного излучения модуляторов света; их используют также в выпрямителях тока ВЧ, солнечных батареях

Рис. 2. Типичная вольтамперная характеристика полупроводникового диода с р — n-переходом: U — напряжение на диоде; I — ток через диод; U*_oбр и I*_oбр — максимальное допустимое обратное напряжение и соответствующий обратный ток; U_cт — напряжение стабилизации.

Структура детекторного Шотки диода: 1 — полупроводниковая подложка; 2 — эпитаксиальная плёнка; 3 — контакт металл — полупроводник; 4 — металлическая плёнка; 5 — внешний контакт.

Билет 13