Особенности структур биполярных транзисторов

Главные различия структур биполярных транзисторов полупроводниковых микросхем и дискретных транзисторов заключаются в том, что первые содержат дополнительные области, изолирующие их от общей полупроводниковой подложки, и все выводы от областей транзистора располагаются в одной плоскости на поверхности подложки. Такая структура называется планарной. Она позволяет соединять транзисторы между собой и с другими элементами микросхемы пленочными металлическими проводниками, формируемыми на той же поверхности. Кроме того, к структурам биполярных транзисторов, как и других элементов микросхем, предъявляется специфическое требование – площадь, занимаемая ими на полупроводниковой подложке, должна быть минимально возможной для повышения плотности упаковки элементов и степени интеграции. Конструкция и технология изготовления транзисторов должна обеспечивать возможность одновременного создания и других элементов (диодов, резисторов, конденсаторов и т. д.) на основе аналогичных полупроводниковых слоев, используемых при формировании эмиттерной, базовой и коллекторной областей транзистора. В этом состоит важное требование конструктивно-технологической совместимости элементов полупроводниковых микросхем.

Конструкции биполярных транзисторов различаются, прежде всего, способами их изоляции. В первых микросхемах наибольшее распространение получили эпитаксиально-планарные транзисторы с изоляцией р-п переходами. Структура эпитаксиально-планарного транзистора показана на рис. 4.1, а.Транзистор выполнен на высокоомной подложке p-типа с удельным сопротивлением 5... 10 Ом-см и толщиной 200... 300 мкм в эпитаксиальном слое n-типа (удельное сопротивление 0,5... 1 Ом-см, толщина = 8...15 мкм). Локальной диффузией донорных примесей (мышьяка или сурьмы), имеющих малый коэффициент диффузии по сравнению с бором и фосфором, в подложке перед наращиванием эпитаксиального слоя 2 создают скрытый слой 3 n⁺-типа с низким удельным сопротивлением. Хотя первоначально скрытый слой формируют в подложке, при дальнейших высокотемпературных операциях (эпитаксии, окислении, диффузии примесей) он расширяется в сторону, как подложки, так и эпитаксиального слоя. Чтобы исключить чрезмерное распространение доноров из скрытого слоя в эпитаксиальный, т. е. смыкание скрытого слоя с базовым, для него выбирают донорные примеси с малым коэффициентом диффузии, например мышьяк.

Диффузией бора через маску из диоксида кремния на глубину, превышающую толщину эпитаксиального слоя, формируют изолирующую область 4 p+-типа, окружающую с боковых сторон (рис. 3.1, б – вид сверху) коллекторную область 2 n-типа. Базовую область 5 p-типа получают следующей локальной диффузией бора на глубину 2... 3 мкм (это глубина залегания металлургической границы коллекторного перехода). Удельное поверхностное сопротивление базового слоя 5 (до проведения эмиттерной диффузии) 100... 200 Ом/*. На рис. 3.1, б граница базы одновременно является границей коллекторного р-п перехода и определяет его площадь. Последняя локальная диффузия используется для формирования эмиттерной области 6 n+-типа и коллекторной контактной области 7. Донорной примесью в этом случае обычно служит фосфор, обладающий повышенным коэффициентом диффузии и повышенной растворимостью в кремнии. Глубина залегания эмиттерного перехода 1,5... 2 мкм, удельное поверхностное сопротивление эмиттерного слоя 2... 3 Ом/*.

В пленке диоксида кремния 8 (толщина 0,5... 1 мкм), покрывающей поверхность кристалла, создают контактные отверстия 9, через которые напылением пленки алюминия формируют контакты к эмиттеру, базе, коллектору и подложке. Одновременно создают внутрисхемные проводники 10, соединяющие элементы микросхемы. Коллекторная контактная область 7 с высокой концентрацией доноров необходима потому, что при напылении пленки алюминия на слаболегированный слой 2 n-типа получается не низкоомный омический, а выпрямляющий контакт, что недопустимо.

В эпитаксиально-планарном транзисторе боковые поверхности 11 изолирующего р-п перехода являются границей коллекторной области 2 n-типа и изолирующей области 4 p⁺-типа, а нижняя поверхность 12 – границей области 2 и скрытого слоя 3 с подложкой. К подложке в периферийной части кристалла микросхемы создают омический контакт (на рисунке не показан). При использовании микросхемы на этот контакт подают напряжение, при котором изолирующий переход всегда смещен в обратном направлении. Поскольку обратный ток изолирующего перехода мал, обеспечивается удовлетворительная изоляция транзистора от подложки и других элементов кристалла микросхемы. Области, окруженные со всех сторон изолирующим переходом, называют карманами. В них размещают не только биполярные транзисторы, но и другие элементы микросхемы. Обычно в каждом кармане формируют один элемент, но в некоторых случаях размещают несколько, например, биполярных транзисторов, у которых согласно принципиальной электрической схеме соединены коллекторы.

Основное достоинство метода изоляции р-п переходом – простота технологии формирования изолирующих областей p+-типа. Для их создания применяют такие же технологические процессы (фотолитографию, диффузию примесей), что и для получения основных областей транзистора – базовой и эмиттерной. Однако изоляция р-п переходом не является совершенной: обратный ток этого перехода резко увеличивается при повышении температуры и под воздействием ионизирующих облучений. Изолирующий переход вносит барьерную емкость, которая снижает граничную частоту аналоговых микросхем и увеличивает задержку переключения импульсных схем. Кроме того, изолирующие области p+-типа (рис. 4.1, б) занимают значительную площадь кристалла (по сравнению с площадью основных областей транзистора), так как их ширина должна быть больше удвоенной толщины эпитаксиального слоя . Это условие связано с изотропностью процесса диффузии: примеси диффундируют не только в глубь эпитаксиального слоя, но и в боковом направлении – под маску. Отметим также, что в структуре эпитаксиально-планарного транзистора большую часть площади занимают «лишние» с точки зрения его работы пассивные области базы 13 и коллектора 14, не занятые контактами (см. рис. 4.1, б). По этим причинам на основе эпитаксиально-планарных транзисторов были разработаны и выпускаются промышленностью только микросхемы малой и средней степеней интеграции.

Важной конструктивной особенностью эпитаксиально-планарных транзисторов является скрытый слой 3 n+-типа (см. рис. 4.1, а), предназначенный главным образом для уменьшения объемного сопротивления коллекторной области и напряжения насыщения ~ . Низкоомный скрытый слой шунтирует расположенный над ним более высокоомный коллекторный слой n-типа и в десятки раз уменьшает объемное сопротивление коллекторной области между коллекторным переходом и коллекторной контактной областью 7.

Выходные характеристики в схеме с общим эмиттером (ОЭ) в диапазоне малых напряжений для транзисторов без скрытого слоя (1) и со скрытым слоем (2) приведены на рис. 4.2. Видно, что скрытый слой влияет на форму выходной характеристики только в режиме насыщения (РН), где дифференциальное сопротивление коллекторного перехода, смещенного в прямом направлении, невелико. Напряжение насыщения при заданном коллекторном токе насыщения изменяется пропорционально объемному сопротивлению коллекторной области. Чем меньше , тем ниже выходное напряжение низкого уровня тех цифровых микросхем, в которых транзисторы работают в режиме насыщения.

В структуре транзистора, изолированного р-п переходом, помимо основного n-р-n существует паразитный p-n-р транзистор. Его эмиттер – базовый слой 5 (13) основного транзистора (см. рис. 4.1), база - коллекторная область 2 со скрытым слоем 3, а коллектор – подложка.

На рис. 4.3, а показана упрощенная структура интегрального n-p-n-транзистора, изолированного р-п переходом. Особенность интегрального транзистора состоит в том, что его структура (с учетом подложки) - четырехслойная: наряду с рабочими эмиттерным и коллекторным переходами имеется третий (паразитный) переход между коллекторным n-слоем и подложкой p-типа.Наличие скрытого n⁺-слоя (не показанного на рис. 4.3, а) не вносит принципиальных изменений в структуру.

Подложку ИС (если она имеет проводимость p-типа) присоединяют к самому отрицательному потенциалу. Поэтому напряжение на переходе «коллектор—подложка» всегда обратное или (в худшем случае) близко к нулю. Следовательно, этот переход можно заменить барьерной емкостью , показанной на рис. 4.3, а.

Вместе с горизонтальным сопротивлением коллекторного слоя емкость образует RC-цепочку, которая подключена к активной области коллектора. Тогда эквивалентная схема интегрального n-p-n-транзистора имеет такой вид, как показано на рис. 4.3, б.

Цепочка - шунтирующая коллектор, — главная особенность интегрального n-p-n-транзистора. Эта цепочка, естественно, ухудшает его быстродействие и ограничивает предельную частоту и время переключения.

Поскольку подложка находится под неизменным потенциалом, ее можно считать заземленной по переменным составляющим. Поэтому, дополняя малосигнальную эквивалентную схему ОБ цепочкой , и пренебрегая сопротивлением , приходим к выводу, что емкость складывается с емкостью , а сопротивление — с внешним сопротивлением . Соответственно эквивалентная постоянная времени запишется следующим образом:

. (7.2)

Из выражения (7.2) очевидно, что паразитные параметры и ограничивают быстродействие интегрального транзистора в идеальных условиях, когда , , и . В этом случае эквивалентная постоянная времени равна постоянной времени подложки:

(7.3)

Например, если = 2 пФ и = 100 Ом, получаем = 0,2 нс, соответствующая граничная частота 800 МГц. С учетом параметров , и при наличии внешнего сопротивления эквивалентная постоянная времени возрастает, а граничная частота уменьшается.

Значение = 100 Ом, использованное в предыдущем примере, характерно для транзисторов без скрытого n⁺-слоя. При наличии скрытого слоя типичны значения = 10 Ом. Тогда постоянная времени оказывается на порядок меньше и влияние подложки становится мало существенным.

Соотношение между емкостями и зависит в первую очередь от соотношения площадей соответствующих переходов и концентраций примеси в слоях подложки и коллектора. Обычно = (2-3) .

Пассивную область базы вместе с лежащими под ней областями коллектора и подложки можно представить как некий паразитный p-n-p-транзистор. На рис. 4.3, а структура такого транзистора обведена штриховой линией, а эквивалентная схема, характеризующая взаимосвязь рабочего n-p-n-транзистора с паразитным, показана на рис. 4.3,б.

Если n-p-n-транзисторработает в нормальном активном режиме (), то паразитный транзистор находится в режиме отсечки (, см. знаки без скобок). В этом случае коллекторный переход паразитного транзистора представлен емкостью (рис. 4.3,б). Если же n-p-n-транзистор работает в инверсном режиме или в режиме двойной инжекции (), то паразитный p-n-p-транзисторнаходится в активном режиме (, см. знаки в скобках). При этом в подложку уходит ток = , где – часть базового тока (рис. 4.3,в).

Утечка базового тока в подложку ухудшает параметры транзистора в режиме двойной инжекции. Поэтому транзисторы, предназначенные для работы в таком режиме, специально легируют золотом. Атомы золота играют в кремнии роль ловушек, т.е. способствуют уменьшению времени жизни носителей. Соответственно коэффициент уменьшается до значений менее 0,1, и утечкой тока в подложку можно пренебречь.

В структуре дискретного эпитаксиально-планарного транзистора отсутствуют изолирующие р+- области, а контактная n+-область и вывод коллектора расположены снизу. Поэтому ряд параметров рассмотренного транзистора хуже, чем у дискретного: выше сопротивление коллекторной области, имеется ток утечки в подложку, ниже граничная частота и быстродействие из-за влияния барьерной емкости изолирующего р-п перехода.

Биполярные транзисторы являются наиболее сложными элементами биполярных микросхем, так как их структура содержит наибольшее число областей с различным типом проводимости. Другие элементы (диоды, резисторы) создаются одновременно с транзисторами в едином технологическом процессе. Поэтому для них используют аналогичные полупроводниковые области, которые принято называть в соответствии с областями транзистора. Так, на основе базового слоя получают резисторы. Эти элементы также размещают в специальных карманах, т. е. изолируют от подложки тем же способом, что и транзисторы.

Наряду с биполярными транзисторами, изолированными р-п переходом, применяют биполярные транзисторы с диэлектрической изоляцией. Основные отличия структуры такого транзистора, представленной на рис. 4.4, от рассмотренной выше (см. рис. 4.1) состоят в том, что транзистор размещают в кармане, изолированном со всех сторон от подложки из поликристаллического кремния тонким диэлектрическим слоем диоксида кремния. Качество такой изоляции значительно выше, так как токи утечки диэлектрика на много порядков меньше, чем р-п перехода при обратном напряжении. Удельная емкость диэлектрической изоляции меньше, поскольку диэлектрическая проницаемость диоксида кремния приблизительно в 3 раза ниже, чем кремния, а толщина диэлектрического слоя может быть выбрана больше толщины изолирующего р-п перехода.

Однако биполярные микросхемы с диэлектрической изоляцией не получили широкого применения вследствие сложной технологии создания карманов и малой степени интеграции. Их достоинством является повышенная радиационная стойкость. У эпитаксиально-планарных транзисторов токи утечки изолирующих р-п переходов резко возрастают при воздействии ионизирующего излучения, вызывающего генерацию большого числа неосновных носителей. Ток утечки диэлектрика при этом остается пренебрежимо малым. Уменьшаются и токи утечки коллекторных р-п переходов, так как основная масса неосновных носителей генерируется за пределами карманов и не может достичь этих переходов.