Модель интегрального биполярного транзистора

На рис. 4.10 приведена модель интегрального транзистора типа n-р-n,аналогичная модели Эберса – Молла дискретного транзистора. Она учитывает, что в структуре интегрального транзистора кроме основного n-р-n транзистора имеется паразитный p-n-p транзистор (см. рис. 3.3).

Диоды VD1 – VD3моделируют свойства эмиттерного, коллекторного и изолирующего р-n переходов соответственно. Вольт-амперные характеристики этих диодов аппроксимируются формулами

, , ,

где , , – параметры модели, имеющие смысл тепловых обратных токов эмиттерного, коллекторного и изолирующего переходов. Положительными считаются токи , , , соответствующие прямым включениям переходов. Положительные направления токов во внешних выводах эмиттера, базы, коллектора и подложки показаны стрелками на рис. 4.10. Они совпадают с направлениями токов в активном режиме, как для основного, так и для паразитного транзисторов. Напряжения между внешними выводами эмиттер – база , коллектор – база , коллектор – подложка и напряжения на р-п переходах , , считаются положительными, если соответствующий переход включен в прямом направлении.

Взаимодействие переходов транзистора учитывается четырьмя генераторами тока. Генератор тока , включенный параллельно диоду VD2,учитывает передачу тока из эмиттера в коллектор, а генератор тока – из подложки в коллектор. Здесь – инверсный коэффициент передачи паразитного p-n-p транзистора. Генератор тока , шунтирующий диод VD1,определяет передачу тока из коллектора в эмиттер, а генератор тока , включенный параллельно диоду VD3,–из базы в подложку ( – нормальный коэффициент передачи паразитного транзистора).

Статические параметры модели – тепловые обратные токи переходов и коэффициенты передачи тока связаны между собой двумя соотношениями: = и = . Таким образом, из семи перечисленных параметров независимыми являются пять.

Модель интегрального биполярного транзистора содержит четыре резистора: , , и , учитывающих влияние сопротивлений полупроводниковых областей эмиттера, базы, коллектора и подложки соответственно. Из-за резисторов напряжения на переходах , , отличаются от напряжений между соответствующими внешними выводами. Сопротивления перечисленных резисторов являются параметрами модели. Численно они могут отличаться от объемных сопротивлений соответствующих областей транзистора.

Модель включает также барьерные и диффузионные емкости переходов: эмиттерного , коллекторного и изолирующего , что позволяет использовать ее для анализа работы транзистора в импульсном режиме. Барьерные и диффузионные емкости зависят от напряжений , , . Поэтому в модели могут использоваться усредненные постоянные значения емкостей – тогда они являются параметрами модели. Для повышения точности модели могут производиться различные аппроксимации зависимостей и . В этом случае заметно возрастает количество параметров модели, которые необходимо измерить. Например, зависимость барьерной емкости от напряжения на данном переходе обычно аппроксимируют функцией , имеющей три параметра: – емкость при нулевом напряжении на переходе; – контактная разность потенциалов перехода; – безразмерный коэффициент, лежащий в пределах от 1/3 до 1/2. Диффузионные емкости, существенные лишь при прямых напряжениях на переходах, представляют функциями вида .

Эта модель пригодна для анализа транзистора при большом сигнале, поскольку в ней учитываются нелинейные характеристики элементов (диодов и конденсаторов). Она применяется для расчета импульсных и цифровых микросхем.

Модель интегрального биполярного транзистора, представленную на рис. 4.10, можно несколько упростить, если учесть, что изолирующий переход всегда смещен в обратном направлении. Поэтому полагают и . Кроме того, обычно пренебрегают резистором ,ввиду малости его сопротивления.

Для расчета аналоговых микросхем используют малосигнальные модели транзистора, соответствующие активному режиму его работы, когда эмиттерный переход включен в прямом, а коллекторный – в обратном направлениях. От моделей для дискретных транзисторов они отличаются дополнительными конденсатором , учитывающим барьерную емкость изолирующего перехода, генератором тока утечки этого перехода и резистором .

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом. Полевые транзисторы (ПТ) хорошо вписываются в общую технологию биполярных ИС и потому часто изготавливаются совместно с биполярными транзисторами на одном кристалле. Типичные структуры ПТ с управляющим p-n-переходом, расположенные в изолированных карманах, показаны на рис. 4.11.

В структуре, показанной на рис. 4.11.а, р-слойзатвора образуется на этапе базовой диффузии, а n⁺-слои, обеспечивающие омический контакт с областями истока и стока, – на этапе эмиттерной диффузии. Заметим, что р-слой затвора окружает сток со всех сторон, так что ток между истоком и стоком может протекать только через управляемый канал.

В n-карманах, предназначенных для ПТ, вместо скрытого n⁺-слоя осуществляется скрытый p⁺-слой. Назначение этого слоя — уменьшить начальную толщину канала а и тем самым напряжение отсечки. Осуществление скрытого p⁺-слоя связано с дополнительными технологическими операциями. Для того чтобы скрытый p⁺-слой проник в эпитаксиальный слой достаточно глубоко, в качестве акцепторного диффузанта используют элементы с большим коэффициентом диффузии (бор или галлий).

На подложку, а значит, и на p⁺-слойзадают постоянный (максимально отрицательный) потенциал; поэтому они не выполняют управляющих функций.

Структура, показанная на рис. 4.11.б,совпадает со структурой обычного n-p-n-транзистора. Роль канала играет участок базового р-слоя, расположенный между n⁺- и n-слоями. Если при совместном изготовлении ПТ и биполярного транзистора не использовать дополнительных технологических процессов, то толщина канала будет равна ширине базы n-p-n-транзистора (0,5-1 мкм). При такой малой толщине канала получаются большой разброс параметров ПТ и малое напряжение пробоя. Поэтому целесообразно пойти на усложнение технологического цикла, осуществляя р-слойПТ отдельно от базового р-слоя, с тем, чтобы толщина канала была не менее 1–2 мкм. Для этого проводят предварительную диффузию р-слояПТ до базовой диффузии. Тогда во время базовой диффузии р-слойПТ дополнительно расширяется, и его глубина оказывается несколько больше глубины базового слоя.

Для того чтобы области истока и стока соединялись только через канал, n⁺-слой делают более широким (в плане), чем р-слой (рис. 4.11.б).В результате n⁺-слой контактирует с эпитаксиальным n-слоем и вместе они образуют «верхний» и «нижний» затворы. В нижней части рис. 4.11.б контакт между «верхним» и «нижним» затворами условно показан штриховой линией. Подложка p-типа присоединяется к отрицательному максимальному потенциалу.

МДП-транзисторы. Вообще говоря, совместное изготовление МДП- и биполярных транзисторов на одном кристалле, в едином технологическом цикле возможно, но является специальным случаем. Как правило, биполярные и МДП-транзисторные ИС разрабатываются и изготавливаются раздельно. Эти два типа ИС предназначены либо для решения разных функциональных задач, либо для решения одной и той же задачи, но с использованием преимуществ соответствующего класса транзисторов. Главную роль в современной микроэлектронике играют МДП-транзисторы, в которых диэлектриком является Si0₂, их называют МОП-транзисторами.

В случае изготовления на одной подложке МДП-транзисторов истоки и стоки смежных элементов (рис. 4.11) оказываются разделенными встречновключенными p-n-переходами и такая связь не столь губительна, как в биполярных элементах. Однако с ростом степени интеграции и «сближением» элементов, обратные токи разделительных p-n-переходов растут и принуждают разработчиков ИС искать способы изоляции не только биполярных, но и МДП элементов.

Простейший МОП-транзистор. Поскольку интегральные МДП-транзисторы не нуждаются в изоляции, их структура внешне не отличается от структуры дискретных вариантов. На рис. 4.12 воспроизведена структура МОП-транзистора с индуцированным n-каналом. Отметим особенности этого транзистора как элемента ИС.

Очевидна, прежде всего, технологическая простота МОП-транзистора по сравнению с биполярными: необходимы всего лишь один процесс диффузии и четыре процесса фотолитографии (под диффузию, под тонкий окисел, под омические контакты и под металлизацию). Технологическая простота обеспечивает меньший брак и меньшую стоимость.

Отсутствие изолирующих карманов способствует лучшему использованию площади кристалла, т.е. повышению степени интеграции элементов. Однако, с другой стороны, отсутствие изоляции делает подложку общим электродом для всех транзисторов. Это обстоятельство может привести к различию параметров у внешне идентичных транзисторов. Действительно, если на подложку задан постоянный потенциал, а истоки транзисторов имеют разные потенциалы (такое различие свойственно многим схемам), то будут разными и напряжения между подложкой и истоками. Это равносильно различию пороговых напряжений МДП-транзисторов.

Как известно, главным фактором, лимитирующим быстродействие МДП-транзисторов, обычно являются паразитные емкости. Металлическая разводка, используемая в ИС, гораздо компактнее проволочного монтажа, свойственного узлам и блокам, выполненным на дискретных компонентах. Поэтому паразитные емкости интегрального МОП-транзистора меньше, чем дискретного, а его быстродействие соответственно в несколько раз выше.

В комплементарных МОП-транзисторных ИС (КМОП) на одном и том же кристалле необходимо изготовлять транзисторы обоих типов: с n- и с р-каналом. При этом один из типов транзисторов нужно размещать в специальном кармане. Например, если в качестве подложки используется p-кремний, то n-канальный транзистор можно осуществить непосредственно в подложке, а для p-канального транзистора потребуется карман с электронной проводимостью (рис. 4.13, а). Получение такого кармана в принципе несложно, но связано с дополнительными технологическими операциями (фотолитография, диффузия доноров и др.). Кроме того, затрудняется получение низкоомных p⁺-слоев в верхней (сильно легированной) части n-кармана. Другим способом изготовления КМОП-транзисторов на одной подложке является КНС технология. В этом случае на сапфировой подложке создаются «островки» кремния с собственной проводимостью, после чего в одних «островках» проводится диффузия донорной примеси и получаются n-канальные транзисторы, а в других – диффузия акцепторной примеси и получаются p-канальные транзисторы (рис. 4.13, б).Хотя количество технологических операций и в этом случае больше, чем при изготовлении транзисторов одного типа, зато отпадают трудности, связанные с получением низкоомных слоев истока и стока (см. выше).

В процессе развития микроэлектроники усовершенствование МОП-транзисторов происходило по двум главным направлениям: повышение быстродействия и снижение порогового напряжения. В основе последней тенденции лежало стремление снизить рабочие напряжения МОП-транзисторов и рассеиваемую ими мощность. Поскольку полная мощность кристалла ограничена, уменьшение мощности, рассеиваемой в одном транзисторе, способствует повышению степени интеграции, а уменьшение напряжений питания облегчает совместную работу МОП-транзисторных и низковольтных биполярных ИС без специальных согласующих элементов.

Способы повышения быстродействия. Повышение быстродействия МОП-транзисторов связано прежде всего с уменьшением емкостей перекрытия. Существенное (примерно на порядок) уменьшение емкостей перекрытия достигается при использовании технологии самосовмещенных затворов. Общая идея такой технологии состоит в том, что слои истока и стока осуществляются не до, а после создания затвора. При этом затвор используется в качестве маски при получении слоев истока и стока, а значит, края затвора и этих слоев будут совпадать, и перекрытие будет отсутствовать.

Один из вариантов МОП-транзистора с самосовмещенным затвором показан на рис. 4.14. Последовательность технологических операций при этом следующая. Сначала проводится диффузия n⁺-слоев, причем расстояние между ними делается заведомо больше желательной длины канала. Затем осуществляется тонкое окисление на участке между n⁺-слоями и частично над ними. Далее на тонкий окисел напыляется алюминиевый электрод затвора, причем его ширина меньше расстояния между n⁺-слоями. Наконец, проводится ионное легирование (имплантация атомов фосфора) через маску, образуемую алюминиевым затвором и толстым защитным окислом. Атомы фосфора проникают в кремний через тонкий окисел и «продлевают» n⁺-слои до края алюминиевой полоски так, что края затвора практически совпадают с краями истока и стока. Имплантированные слои легированы несколько слабее, чем диффузионные; поэтому для них использовано обозначение nвместо n⁺. Глубина имплантации также несколько меньше, чем глубина диффузии, и составляет 0,1-0,2 мкм.

Уменьшение паразитных емкостей МОП-транзисторов и, прежде всего емкости перекрытия выдвигает на первый план задачу уменьшения постоянной времени крутизны . При малых емкостях она становится главным фактором, ограничивающим быстродействие.

Переход от транзисторов с р-каналом к транзисторам с n-каналом позволил уменьшить значение примерно в 3 раза благодаря увеличению подвижности носителей. Дальнейшее уменьшение величины требует уменьшения длины канала . При значениях < 1 мкм (вместо 4-5 мкм у наиболее совершенных МОП-транзисторов, полученных по обычной технологии) постоянная времени может быть менее 0,005 нс, а граничная частота более 30 ГГц.

МНОП-транзистор. Особое место среди МДП-транзисторов занимает так называемый МНОП-транзистор, у которого диэлектрик имеет структуру «сэндвича», состоящего из слоев нитрида и окисла кремния (рис. 4.15, а). Слой окисла получается путем термического окисления и имеет толщину 2-5 нм, а слой нитрида – путем реактивного напыления и имеет толщину 0,05-0,1 мкм, достаточную для того, чтобы пробивное напряжение превышало 50-70 В.

Главная особенность МНОП-транзистора состоит в том, что его пороговое напряжение можно менять, подавая на затвор короткие (100 мкс) импульсы напряжения разной полярности, с большой амплитудой (30-50 В). Так, при подаче импульса + 30 В устанавливается пороговое напряжение U₀ = - 4 В (рис. 4.15, б). Это значение сохраняется при дальнейшем использовании транзистора в режиме малых сигналов (U₃ < ± 10 В); в таком режиме МНОП-транзистор ведет себя как обычный МДП-транзистор с индуцированным р-каналом. Если теперь подать импульс – 30 В, то пороговое напряжение сделается равным U₀ = – 20 В и, следовательно, сигналы U₃ < ± 10 В не смогут вывести транзистор из запертого состояния. Как видим, благодаря гистерезисной зависимости МНОП-транзистор можно с помощью больших управляющих импульсов переводить из рабочего в запертое состояние и обратно. Эта возможность используется в интегральных запоминающих устройствах.

В основе работы МНОП-транзистора лежит накопление заряда на границе нитридного и оксидного слоев. Это накопление есть результат неодинаковых токов проводимости в том и другом слоях. Процесс накопления описывается элементарным выражением , где оба тока зависят от напряжения на затворе и меняются в процессе накопления заряда. При большом отрицательном напряжении на границе накапливается положительный заряд. Это равносильно введению доноров в диэлектрик и сопровождается увеличением отрицательного порогового напряжения. При большом положительном напряжении на границе накапливается отрицательный заряд. Это приводит к уменьшению отрицательного порогового напряжения.

При малых напряжениях токи в диэлектрических слоях уменьшаются на 10—15 порядков (!), так что накопленный заряд сохраняется в течение тысяч часов. Вместе с ним сохраняется и пороговое напряжение.

ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ДИОДЫ.

В качестве диода можно использовать любой из двух p-n-переходов, расположенных в изолирующем кармане: эмиттерный или коллекторный. Можно также использовать их комбинации. Поэтому по существу интегральный диод представляет собой диодное включение интегрального транзистора.

Пять возможных вариантов диодного включения транзистора показаны на рис. 4.16. В табл. 4.1 приведены типичные параметры этих вариантов. Для них приняты следующие обозначения: до черточки стоит обозначение анода, после черточки — катода; если два слоя соединены, их обозначения пишутся слитно. Из табл. 4.1 видно, что варианты различаются как по статическим, так и по динамическим параметрам.

Пробивные напряжения зависят от используемого перехода: они меньше у тех вариантов, в которых используется эмиттерный переход (см. табл. 7.2).

Обратные токи (без учета токов утечки) — это токи термогенерации в переходах. Они зависят от объема перехода и, следовательно, меньше у тех вариантов, у которых используется только эмиттерный переход, имеющий наименьшую площадь.

Емкость диода (т.е. емкость между анодом и катодом) зависит от площади используемых переходов; поэтому она максимальна при их параллельном соединении (вариант Б-ЭК). Паразитная емкость на подложку шунтирует на «землю» анод или катод диода (считается, что подложка заземлена). Емкость , как правило, совпадает с емкостью , с которой мы встретились при рассмотрении n-p-n-транзистора (рис. 4.13, б ). Однако у варианта Б-Э емкости и оказываются включенными последовательно и результирующая емкость минимальна.

Время восстановления обратного тока (т.е. время переключения диода из открытого в закрытое состояние) минимально у варианта БК-Э; у этого варианта заряд накапливается только в базовом слое (так как коллекторный переход закорочен). У других вариантов заряд накапливается не только в базе, но и в коллекторе, так что для рассасывания заряда требуется большее время.

Таблица 4.1. Типичные параметры интегральных диодов

Параметр	Тип диода
БК-Э	Б-Э	БЭ-К	Б-К	Б-ЭК
	7-8	7-8	40-50	40-50	7-8
	0,5-1	0,5-1	15-30	15-30	20-40
	0,5	0,5	0,7	0,7	1,2
		1,2

 

Сравнивая отдельные варианты, приходим к выводу, что в целом оптимальными вариантами являются БК—Э и Б—Э.Малые пробивные напряжения этих вариантов не играют существенной роли в низковольтных ИС. Чаще всего используется вариант БК-Э.

⇐ Предыдущая123456789Следующая ⇒

Поделиться:

Воспользуйтесь поиском по сайту: