Разновидности n-p-n-транзисторов

В процессе развития микроэлектроники появились некоторые разновидности n-p-n-транзисторов, не свойственные дискретным электронным схемам и не выпускаемые в виде дискретных приборов. Ниже рассматриваются наиболее важные из этих разновидностей.

Многоэмиттерный транзистор. Структура многоэмиттерного транзистора (МЭТ) показана на рис. 4.6, а. Такие транзисторы составляют основу весьма распространенного класса цифровых ИС – так называемых схем ТТЛ. Количество эмиттеров может составлять 5-8 и более.

В первом приближении МЭТ можно рассматривать как совокупность отдельных транзисторов с соединенными базами и коллекторами (рис. 4.6, б). Особенности МЭТ как единой структуры следующие (рис. 4.6, в).

Во-первых, каждая пара смежных эмиттеров вместе с разделяющим их p-слоем базы образует горизонтальный (иногда говорят - продольный)транзистор типа n ⁺- p - n ⁺. Если на одном из эмиттеров действует прямое напряжение, а на другом обратное, то первый будет инжектировать электроны, а второй будет собирать те из них, которые инжектированы через боковую поверхность эмиттера и прошли без рекомбинации расстояние между эмиттерами. Такой транзисторный эффект является для МЭТ паразитным: в обратносмещенном переходе, который должен быть запертым, будет протекать ток. Чтобы избежать горизонтального транзисторного эффекта, расстояние между эмиттерами, вообще говоря, должно превышать диффузионную длину носителей в базовом слое. Если транзистор легирован золотом, то диффузионная длина не превышает 2-3 мкм и практически оказывается достаточным расстояние 10—15 мкм.

Во-вторых, важно, чтобы МЭТ имел как можно меньший инверсный коэффициент передачи тока. В противном случае в инверсном режиме, когда эмиттеры находятся под обратным напряжением, а коллектор под прямым, носители, инжектируемые коллектором, будут в значительной мере достигать эмиттеров, и в цепи последних, несмотря на их обратное смещение, будет протекать ток – паразитный эффект, аналогичный отмеченному выше.

Как известно, инверсный коэффициент передачи всегда меньше нормального из-за различий в степени легирования и в площадях эмиттера и коллектора. Чтобы дополнительно уменьшить инверсный коэффициент в МЭТ, искусственно увеличивают сопротивление пассивной базы, удаляя омический базовый контакт от активной области транзистора (рис. 4.6, а). При такой конфигурации сопротивление узкого «перешейка» между активной областью и базовым контактом может составлять 200-300 Ом, а падение напряжения на нем от базового тока 0,1-0,15 В. Значит, прямое напряжение на коллекторном переходе (в инверсном режиме) будет в активной области на 0,1-0,15 В меньше, чем вблизи базового контакта. Соответственно инжекция электронов из коллектора в активную область базы будет незначительной, и паразитные токи через эмиттеры будут практически отсутствовать.

Многоколлекторные n-p-n-транзисторы. Структура многоколлекторного транзистора (МКТ), показанная на рис. 4.7.а,не отличается от структуры МЭТ. Различие состоит лишь в использовании структуры. Можно сказать, что МКТ — это МЭТ, используемый в инверсном режиме: общим эмиттером является эпитаксиальный n-слой, а коллекторами служат высоколегированные n⁺-слои малых размеров. Такое решение составляет основу одного из популярных классов цифровых ИС — так называемых схем инжекционной логики И²Л. Эквивалентная схема МКТ показана на рис. 4.7.б.

Специфичность МКТ в схемах И²Л — способ питания, но их основные свойства такие же, как рассматриваемые ниже.

Главной проблемой при разработке МКТ является увеличение нормального коэффициента передачи тока от общего n-эмиттера (инжектора) к каждому из n⁺-коллекторов. Естественно, что эта проблема — обратная той, которая решалась в случае МЭТ, когда коэффициент передачи от n-слоя к n⁺-слоям старались уменьшать.

В данном случае желательно, чтобы скрытый n⁺-слой располагался как можно ближе к базовому или просто контактировал с ним. Тогда этот высоколегированный n⁺-слой, будучи эмиттером, обеспечит высокий коэффициент инжекции. Что касается коэффициента переноса, то для его повышения n⁺-коллекторы следует располагать как можно ближе друг к другу, сокращая тем самым площадь пассивной области базы. Оба эти пути, конечно, ограничены конструктивно-технологическими факторами. Тем не менее, даже при сравнительно разреженном расположении коллекторов, можно получить коэффициенты передачи на всю совокупность коллекторов а = 0,8-0,9 или коэффициенты усиления = 4-10. Этого достаточно для функционирования схем И²Л, если число коллекторов не превышает 3-5.

На рис. 4.7, впоказаны траектории движения инжектированных носителей в базе. Как видим, носители двигаются так, что их доля, попадающая на коллекторы, существенно больше, чем, если ее рассчитывать по формальному отношению площади коллектора к площади эмиттера. Именно поэтому реальный коэффициент имеет те сравнительно большие значения, которые приведены выше. Следовательно, при расчете коэффициентов и нужно использовать не геометрические, а эффективные площади.

Из рис. 4.7.в видно также, что средняя длина траектории носителей значительно превышает толщину активной базы w. Поэтому среднее время диффузии будет значительно меньше, чем у МЭТ и отдельных транзисторов. Разница во временах пролета еще больше, поскольку в МКТ поле базы для инжектированных носителей является не ускоряющим, а тормозящим. Время пролета составляет не менее 5-10 нс., а соответствующая предельная частота – не более 20-50 МГц.

С другой стороны, коллекторная емкость у МКТ значительно меньше, чем у МЭТ и обычных транзисторов, из-за малой площади n⁺-коллектора.

Транзистор с барьером Шоттки. Назначение и принцип действия транзистора Шоттки (ТШ) рассмотрены ранее. На рис. 4.8 показана структура интегрального ТШ. Здесь очень изящно решена задача сочетания транзистора с диодом Шоттки: алюминиевая металлизация, обеспечивающая омический контакт с p-слоем базы, продлена в сторону коллекторного n-слоя. На первый взгляд, коллекторный слой оказался закороченным со слоем базы. На самом же деле алюминиевая полоска образует с p-слоем базы невыпрямляющий, омический контакт, а с n-слоем коллектора выпрямляющий контакт Шоттки. Разумеется, структурное решение, показанное на рис. 4.8., можно использовать не только в простейшем транзисторе, но и в МЭТ. В обоих случаях отсутствуют накопление и рассасывание избыточных зарядов, и получается существенный (в 1,5–2 раза) выигрыш во времени переключения транзисторов из полностью открытого состояния в запертое состояние.

Транзисторы типа p-n-p. Для создания некоторых цифровых и особенно аналоговых микросхем кроме n-р-n необходимы p-n-p транзисторы. Если допускается, что электрические параметры последних могут быть хуже, чем у n-р-nтранзисторов, то транзисторы обоих типов изготовляют одновременно. В этом случае не используют дополнительные технологические операции. Таким образом, можно создавать только горизонтальные p-n-p-транзисторы.

Топологический чертеж и структура горизонтального транзистора с комбинированной изоляцией представлены на рис. 4.9, а, б соответственно. Транзистор размещен в кармане n-типа, содержит скрытый слой n⁺-типа и изолирован с боковых сторон диоксидом кремния подобно n-р-n транзистору на рис.. 4.5, д. Базовой областью служит эпитаксиальный слой n-типа. Эмиттерную и коллекторную области р-типа формируют одновременно с базовой областью n-р-n транзистора, а базовую контактную область n⁺-типа – одновременно с его эмиттерной областью. Базовая область n-типа и коллекторная область p-типа охватывают эмиттер с боковых сторон. Тем самым обеспечивается более полное собирание коллектором дырок, инжектированных со всех боковых сторон эмиттерного слоя. Базовая контактная область n⁺-типа служит для создания омического базового контакта к слаболегированному эпитаксиальному слою.

По сравнению с вертикальным n-р-n транзистором горизонтальный p-n-p транзистор имеет ряд важных отличий.

Во-первых, он является бездрейфовым, поскольку его база (эпитаксиальный n-слой) легирована равномерно. Следовательно, в базе отсутствует электрическое поле, ускоряющее движение дырок от эмиттера к коллектору. Дырки движутся в базе исключительно за счет диффузии. Во-вторых, активная область базы расположена вблизи поверхности эпитаксиального слоя, где время жизни и подвижность дырок меньше, чем в глубине этого слоя. В-третьих, толщина базы (см. рис.. 4.9, б) зависит от разрешающей способности процесса литографии, поэтому базу горизонтального транзистора не удается сделать столь же тонкой, как в вертикальном n-р-nтранзисторе. Наконец, при прямом напряжении на эмиттерном р-п переходе дырки инжектируются в базу не только через боковые части эмиттера, но и через его нижнюю часть в глубь эпитаксиального слоя, где они рекомбинируют, не достигая коллектора. По указанным причинам для горизонтального транзистора характерны низкие коэффициент передачи тока (2...5) и граничная частота (20... 40 МГц).

Скрытый n⁺-слой необходим для создания базового вывода, уменьшения сопротивления базы и увеличения коэффициента передачи. В n-n⁺переходе существует электрическое поле, отталкивающее дырки и препятствующее их переходу в подложку. Только при наличии скрытого слоя большая часть дырок, инжектированных из эмиттера в базу, достигает коллектора. Они движутся по криволинейным траекториям, длина которых, определяющая эффективную толщину базы, превышает .

Эмиттерную и коллекторную области горизонтального транзистора изготовляют одновременно. Следовательно, распределения концентраций примесей в эмиттерном и коллекторном р-п переходах и их напряжения пробоя одинаковы и приблизительно равны напряжению пробоя коллекторного р-п перехода вертикального n-р-nтранзистора (обычно 20... 50 В). Рабочие токи эмиттера невелики, так как они ограничены малой площадью боковых частей эмиттера.

Горизонтальная структура позволяет формировать многоколлекторные p-n-p транзисторы. Для этого коллекторную область разделяют на несколько частей и от каждой делают отдельный вывод. Между коллекторными областями необходимо формировать разделительные области n⁺-типа (или из диоксида кремния), чтобы исключить паразитную связь коллекторов, обусловленную инжекцией дырок в базу из коллекторов в режиме насыщения (при прямом смещении коллекторных переходов). Коэффициенты передачи тока базы по каждому из т коллекторов приблизительно в m раз меньше, чем в одноколлекторном транзисторе. Горизонтальные многоколлекторные p-n-p транзисторы используют, например, в элементах интегральной инжекционной логики.

Таким образом, основные недостатки горизонтальных p-n-p транзисторов – низкие коэффициент передачи тока и граничная частота. Кроме того, они занимают большую площадь, так как коллекторные и базовые области расположены у поверхности кристалла. Эти недостатки постепенно устраняются по мере улучшения разрешающей способности литографии, позволяющей уменьшить толщину базы до 1... 2 мкм и снизить площадь коллекторной области.

Наиболее эффективный путь улучшения параметров p-n-p транзисторов – использование вертикальной структуры. Для ее формирования на одной пластине с n-р-n транзисторами требуются дополнительные технологические операции.