 |
Методы и оборудование для измерения удельного сопротивления полупроводников
|
|
|
|
Краткие сведения из теории электропроводности полупроводников
Одним из основных электрофизических параметров вещества является его удельное сопротивление r (Ом×см) или обратная ему величина - удельная электрическая проводимость (Ом-1×см-1).
Рассмотрим для примера электронный полупроводник [1]. Плотность тока 
определяется концентрацией свободных носителей n, средней дрейфовой скоростью 
и зарядом e:
(2.1)
Средняя скорость дрейфа очень просто связана с параметром, характеризующим рассеяние носителей заряда при их движении в решётке кристалла - средним временем свободного пробега носителей 
, напряжённостью электрического поля 
, зарядом и эффективной массой дырки или электрона [1]:
, (2.2)
где m - подвижность.
Таким образом, из (1), (2) следует
, (2.3)
а из закона Ома в дифференциальной форме следует, что величина e×n×m имеет смысл удельной электрической проводимости:
(2.4)
Если имеется полупроводник с обоими типами носителей заряда, то
s = e(nmn + pmp). (2.5)
|
Если полупроводник легирован примесными атомами какого либо одного сорта с малой энергией ионизации (например, атомами B, P, As в Si и Ge), то приближённо можно считать, что уже при комнатной температуре вся примесь однократно ионизирована, т.е. n» N или p»N, где N - полная концентрация легирующей примеси. И, если известно m, то по s или по r, которые можно непосредственно измерить, определяется N. Концентрация легирующей примеси является очень важным параметром полупроводникового материала.
Рис.2.1.График Ирвина. Зависимость удельного сопротивления от концентрации легирующей примеси для полупроводников N и P типа проводимости.
Непосредственно для наиболее важных полупроводниковых материалов (Si, Ge, GaAs) обоих типов N удобно определять по графику Ирвина.(см.рис.2.1.)
|
|
|
Этот график получен экспериментально на основе многочисленных измерений при комнатной температуре подвижности носителей в полупроводниках с известной заранее концентрацией примеси. При небольших концентрациях примеси график даёт хорошее соответствие проводимости и концентрации.
Определяя N, надо иметь ввиду, что это концентрация электрически активной примеси, а не полная концентрация, так как при высоких уровнях легирования эти две концентрации могут отличаться.
Четырёхзондовый метод определения проводимости полупроводников.
Методы измерения удельного сопротивления могут быть разделены на две группы:
1. Измерения с присоединением к образцу токопроводящих или измерительных контактов.
2. Бесконтактные измерения.
В настоящем разделе рассматривается первый метод.
В большинстве случаев в месте контакта измерительного зонда с полупроводником возникает так называемая контактная разность потенциалов, которая оказывает влияние на результаты измерений. В связи с этим, величина сопротивления полупроводника, как правило, не может быть измерена при простом включении его в цепь омметра. Поэтому методика измерения удельного сопротивления должна обеспечивать либо учёт, либо компенсацию этой дополнительной разности потенциалов. Кроме этого, необходимо учитывать то обстоятельство, что на результаты измерений могут влиять размеры и форма образца.
Наиболее распространённым методом определения удельного сопротивления полупроводников (позволяющим учесть вышесказанное) является четырёхзондовый метод. Рассмотрим его применительно к полубесконечному образцу полупроводника, ограниченного плоской поверхностью. На эту поверхность, перпендикулярно к ней, помещают 4 тонких остро заточенных металлических зонда (рис. 2.2). Все четыре зонда расположены на одной прямой. Через внешние зонды 1 и 4 пропускают электрический ток от источника тока ИТ, а между зондами 2 и 3 вольтметром V измеряют разность потенциалов. Зная J14 и U23, нетрудно найти значение удельного сопротивления. Действительно, в предположении полубесконечности образца каждый зонд создаёт вокруг себя сферическое симметричное поле. В любой точке на поверхности полусферы радиуса r плотность тока, напряжённость поля и потенциал, поэтому, будут [2]
|
|
|
. (2.6)
. Рис.2.2 Расположение зондов на пластине
Разность потенциалов между зондами 2 и 3 должна учитывать влияние поля крайних зондов. Поэтому
(2.7)
Если
S1=S2=S3=S,то 
. (2.8)
Чувствительность данного метода по напряжению dU/dr пропорциональна току и обратно пропорциональна Sэкв.. Ток через образец увеличивать нежелательно (из-за термоэлектрических эффектов при нагревании образца U23 может быть искажено), поэтому для увеличения чувствительности можно увеличивать S2, уменьшая S1 и S3.
При S2>>S1=S3 чувствительность может быть повышена примерно в 2 раза.
|
Как уже говорилось, при измерении удельного сопротивления полупроводников основным источником ошибок являются переходные сопротивления на контактах металл-полупроводник, а также возникающая в них термоэдс. Поэтому при определении удельного сопротивления эти явления должны устраняться. Это достигается с помощью компенсационного метода. Принципиальная схема этой компенсации при измерении удельного сопротивления полупроводника четырёхзондовым методом изображена на рис.2.3.
Рис.2.3. Принципиальная схема компенсационного метода.
От батареи Б с помощью контактов 1 и 4 к полупроводнику подводится ток. Разность потенциалов между зондами 2 и 3 измеряется потенциометром П.
Исключение влияния переходных сопротивлений контактов достигается следующим образом. Разность потенциалов между зондами 2 и 3 компенсируется включённым навстречу напряжением потенциометра UП, и, если цепь сбалансирована, то есть, U2,3=UП, то ток, текущий через гальванометр G, равен нулю. Следовательно, в момент баланса ток через измерительные зонды 2 и 3 тоже равен нулю. Так как ток отсутствует, то нет и падения напряжения на контакте зонд-полупроводник. В этом случае переходные сопротивления контактов не влияют на точность измерения удельного сопротивления.
|
|
|
Обычно при измерениях удельного сопротивления всегда наблюдается некоторый градиент температуры вдоль образца, который вызывает появление термоэдс DU на измерительных зондах. Так как величина и направление термоэдс в течение достаточно большого времени остаются постоянными, её влияние можно исключить, измеряя напряжение между зондами 2 и 3 при 2-х различных направлениях тока через образец.
Применение метода к образцам различной геометрической формы
Формула (2.8) применима лишь для однородной изотропной полубесконечной среды. Однако на практике измерения выполняются на образцах конечных размеров, причём зачастую это пластины с толщиной, сравнимой с расстоянием между зондами S или диффузионные и эпитаксиальные слои, толщина которых значительно меньше S. Это приводит к тому, что эквипотенциальные поверхности от зондов теряют сферичность. При контакте с изолирующей средой ток растекается в меньшем объёме и плотность тока в образце повышается по сравнению с расчётной. При контакте с проводящей средой линии тока “выпучиваются” в неё; плотность тока в образце понижается. В первом случае мы получаем завышенные значения r, во втором - заниженные.
Рассмотрим вопрос более подробно.
а) Пусть (рис. 4) расстояние между зондами S, а расстояние до границы с проводящей областью l.
Рис.2.4. Расположение действительных и мнимых источников. Проводящая граница. Вид сверху.
Поскольку потенциал бесконечно удалённой точки образца равен нулю, а граничащая среда принимается абсолютно проводящей (то есть, на ней нет падения напряжения), то потенциал границы также равен нулю.
Задача распределения потенциала решается методом зеркальных изображений источников. Для того, чтобы потенциал границы был равен нулю, необходимо, чтобы мнимые источники создавали на границе потенциал, равный по величине потенциалу, создаваемому действительными источниками тока, но другого знака.
|
|
|
Этому условию можно удовлетворить, если расположить мнимые источники на том же расстоянии от границы, но взять их с другим знаком. Таким образом, распределение потенциала между зондами 2 и 3 можно рассчитать аналогично (7):
. 
(2.9)
Удельное сопротивление при этом будет отличаться от (8):
, (2.10)
где
(2.11)
— поправочная функция. Таким образом, приближение зондов к проводящей границе эквивалентно включению дополнительной проводимости параллельно зондам. То есть, если рассчитывать удельное сопротивление по формуле (2.8), то мы получаем заниженные значения. Поправочная функция f1 всегда больше единицы, но при 
отличие f1 от 1 меньше 1%.
б) Если граница непроводящая, то граничные условия надо наложить на ток: плотность тока, перпендикулярного границе, в любой её точке равна нулю. Эта задача также решается методом изображений, только для удовлетворения граничным условиям необходимо расположить мнимые источники симметрично относительно границы с теми же знаками. Удельное сопротивление вычисляется аналогично (2.10):
, (2.12)
- поправочная функция, значения которой для этого случая всегда меньше единицы. (При l/S>2 также отличается от единицы менее чем на 1%).
в) По тем же причинам на результатах измерений сказывается и толщина образца, и его форма. Определение r при этом производится по формуле
. (2.13)
Таблица 1.1 - Значения множителя F при различных W/S для случая непроводящей границы
| W/S | 0,4 | 0,5 | 0,5555 | 0,6250 | 0,7143 | 0,8333 | |
| 0,9995 | 0,9974 | 0,9948 | 0,9898 | 0,9798 | 0,9600 | |
| W/S | 1,0 | 1,1111 | 1,25 | 1,4286 | 1,666 | 2,0 | |
|
| 0,9214 | 0,8907 | 0,8490 | 0,7938 | 0,7225 | 0,6336 | |
Из таблицы 1 видно, что при W/S<0,625 значение отличается от единицы менее чем на 1%. Но этот результат справедлив, когда зонды находятся достаточно далеко от границ образца, так что l/S>2; при приближении к границам образца на результаты измерений будет влиять как тип границы (проводящая или непроводящая), так и форма образца. Толщина пластин, применяемых в микроэлектронике, как правило, много меньше 1 мм, то есть, условия применимости формулы (13) выполняются с большим запасом по отношению к W/S. Но вот формы образцов могут быть самыми разными. Поэтому необходима модификация четырёхзондового метода для измерения удельного сопротивления однородных тонких пластин произвольной формы. Этим требованиям отвечает метод Ван-дер-Пау.
Метод Ван-дер-Пау
Пусть зонды расположены на плоском ребре тонкой пластины, расположенной в нижней полуплоскости (рис.5).
Рис.2.5. Расположение зондов на ребре пластины.
При пропускании тока через зонды 1-4 потенциалы контактов 2 и 3 находятся из двумерной картины растекания тока в пластине:
|
|
|
; 
. (2.14)
Введём сопротивление R1=(U2-U3)/J14:
. (2.15)
Аналогично, пропуская ток через контакты 1-2 и измеряя разность потенциалов (U4-U3), найдём:
. 2.(16)
Потенцируя логарифмы для R1 и R2 и складывая результаты, получим:
(2.17)
Уравнение (17) в принципе уже позволяет найти r по измеренным значениям R1 и R2 как корень трансцендентного уравнения. Можно упростить решение этой задачи. Представим
;
(2.18)
и подставим их в (17):
. (2.19)
Так как R1 и R2 ~ r, то можно предположить, что
, (2.20)
где f(R1,R2) - функция, зависящая от R1 и R2. Подставив это выражение в (19), найдём:
. (2.21)
Из (21) видно, что функция f, являющаяся корнем уравнения (21), действительно зависит только от отношения R1/R2. График f(R1/R2) представлен на рис. 2.6
Таким образом, зная f(R1/R2), найдём r из (2.22):
Рис. 2.6. График поправочной функции f(R1/R2).
. (2.22)
Если отношение çR1/R2-1ê<0,1, то ç1-fê<0,001.
Согласно теории конформных преобразований можно показать, что соотношения (2.19), (2.22) справедливы и для образца любой формы. Но при увеличении площади контактов возникает дополнительная ошибка в измерении r. Для устранения ошибки, связанной с величиной и формой контатов, применяют образцы специальной формы (рис. 2.7).
Рис.2.7. Геометрические формы образцов для измерения дельного сопротивления методом Ван-дер-Пау. (места контактов зачернены).
Рис. 2.8 Схема экспериментальной установки
Описание экспериментальной установки.
Электрическая схема установки представлена на рис.2.8.
На рис. 2.8 представлены следующие элементы.
| ПП | – пластина полупроводника, |
| К | - ключ-коммутатор, позволяющий менять направление тока через зонды 1-4, |
| П1, П2 | - потенциометры установки тока “Грубо: и “Точно”, |
| ИП | - стабилизированный источник питания (например, П-36-1 или УИП-2, |
| mА | - микроамперметр, |
Контрольные вопросы к разделу 2.1 и 2.2
1. Объясните зависимость проводимости полупроводников от температуры и концентрации примесей. Что такое подвижность свободных носителей заряда?
2. Принцип четырёхзондового метода измерения проводимости полупроводников. Вывести формулу для расчета удельного сопротивления полупроводника по результатам измерений.
3. Влияние проводящей границы на измерения удельного сопротивления.
4. Влияние непроводящей границы на измерения удельного сопротивления.
5. Порядок и особенности проведения измерений на стенде.
6. Погрешности измерений удельного сопротивления, локальность метода.
|
|
|
