Методы и оборудование для измерения концентрации и профиля распределения примесей емкостным методом.

 

Метод основан на измерении ВФХ барьера Шоттки. Рассмотрим контакт металл - полупроводник. В случае контакта возможны различные комбинации (p- и n-типы полупроводника) и соотношения термодинамических работ выхода из металла и полупроводника. В зависимости от этих соотношений в области контакта могут реализоваться три состояния. Первое состояние соответствует условию плоских зон в полупроводнике, в этом случае реализуется нейтральный контакт. Второе состояние соответствует условию обогащения приповерхностной области полупроводника (дырками в p-типе и электронами в n-типе), в этом случае реализуется омический контакт. И, наконец, в третьем состоянии приповерхностная область полупроводника обеднена основными носителями, в этом случае в области контакта со стороны полупроводника формируется область пространственного заряда ионизованных доноров или акцепторов и реализуется блокирующий контакт, или барьер Шоттки [15, 16].

В полупроводниковых приборах наибольшее применение получили блокирующие контакты металл - полупроводник или барьеры Шоттки. Рассмотрим условие возникновения барьера Шоттки. Ранеее было показано, что ток термоэлектронной эмиссии с поверхности любого твердого тела определяется уравнением Ричардсона:

(2.23)

Для контакта металл - полупроводник n-типа выберем условие, чтобы термодинамическая работа выхода из полупроводника Ф_п/п была меньше чем термодинамическая работа выхода из металла Ф_Ме. В этом случае согласно уравнению (2.29) ток термоэлектронной эмиссии с поверхности полупроводника j_п/п будет больше, чем ток термоэлектронной эмиссии с поверхности металла:

При контакте таких материалов в начальный момент времени ток из полупроводника в металл будет превышать обратный ток из металла в полупроводник и в приповерхностных областях полупроводника и металла будут накапливаться объемные заряды - отрицательные в металле и положительные в полупроводнике. В области контакта возникнет электрическое поле, в результате чего произойдет изгиб энергетических зон. Вследствие эффекта поля термодинамическая работа выхода на поверхности полупроводника возрастет. Этот процесс будет проходить до тех пор, пока в области контакта не выровняются токи термоэлектронной эмиссии и соответственно значения термодинамических работ выхода на поверхности.

На рисунке 2.4 показаны зонные диаграммы различных этапов формирования контакта металл - полупроводник. В условиях равновесия в области контакта токи термоэлектронной эмиссии выровнялись, вследствие эффекта поля возник потенциальный барьер, высота которого равна разности термодинамических работ выхода: φ_к = Ф_Ме - Ф_п/п.

Для контакта металл - полупроводник p-типа выберем условие, чтобы термодинамическая работа выхода из полупроводника Ф_п/п была больше, чем термодинамическая работа выхода из металла Ф_Ме. В этом случае ток термоэлектронной эмиссии с поверхности полупроводника j_п/п будет меньше, чем ток термоэлектронной эмиссии с поверхности металла согласно уравнению (2.29).

При контакте таких материалов в начальный момент времени ток из металла в полупроводник p-типа будет превышать обратный ток из полупроводника в металла, и в приповерхностных областях полупроводника и металла будут накапливаться объемные заряды - положительные в металле и отрицательные в полупроводнике.

Рис. 2.9. Зонная диаграмма, иллюстрирующая образование барьера Шоттки

 

В дальнейшем картина перехода к равновесному состоянию и формирования потенциального барьера для контакта металл - полупроводник p-типа аналогична рассмотренной выше для контакта металл - полупроводник n-типа.

 

Зонная диаграмма барьера Шоттки при внешнем напряжении.

Рассмотрим как меняется зонная диаграмма контакта металл - полупроводник при приложении внешнего напряжения V_G, знак которого соответствует знаку напряжения на металлическом электроде. Величина внешнего напряжения при положительном знаке V_G > 0 не должна быть больше контактной разности потенциалов Δφ_ms, при отрицательном напряжении V_G < 0 она ограничивается только электрическим пробоем структуры. На рисунке 2.10 приведены соответствующие зонные диаграммы при положительном и отрицательном напряжениях на металлическом электроде барьеров Шоттки. Из приведенного рисунка видно, что роль внешнего напряжения в барьере Шоттки сводится только к регулированию высоты потенциального барьера и величины электрического поля в ОПЗ полупроводника.

Рис. 2.10. Зонная диаграмма барьера Шоттки при различных напряжениях на затворе:
а) V_G = 0; б) V_G > 0, прямое смещение; в) V_G < 0, обратное смещение

 

Распределение электрического поля и потенциала в барьере Шоттки

Рассмотрим более детально, как меняются электрическое поле и потенциал в области пространственного заряда контакта металл - полупроводник в виде барьера Шоттки. Для определенности будем рассматривать полупроводник n-типа. За знак приложенного напряжения будем считать знак напряжения приложенного к металлическому электроду, полупроводниковый электрод считаем заземленным.

Вне зависимости от полярности напряжение для барьерных структур все внешнее напряжение будет приложено к области пространственного заряда, поскольку в этой области концентрация свободных носителей существенно меньше, чем в других областях барьера Шоттки.

Связь электрического поля и потенциала для любых материалов с пространственно распределенным объемным зарядом описывается уравнением Пуассона. В одномерном приближении это уравнение имеет вид:

(2.24)

где ψ(x) - зависимость потенциала от координаты, ρ(x) - плотность объемного заряда, ε_s - диэлектрическая проницаемость полупроводника, ε₀ - диэлектрическая постоянная.

Заряд в области пространственного заряда барьера Шоттки для полупроводника n-типа обусловлен зарядом ионизованных доноров с плотностью N_D⁺. Поэтому

(2.25)

При интегрировании уравнения Пуассона учтем, что величина электрического поля E(x) = -∇φ

(2.26)

или

(2.27)

Проведем интегрирование уравнения (2.27). Выберем константу интегрирования из расчета, что при x = W электрическое поле Е равно нулю.

(2.28)

Из соотношения (2.28) следует, что электрическое поле Е максимально на границе металл-полупроводник (x = 0), линейно спадает по области пространственного заряда и равно нулю на границе ОПЗ - квазинейтральный объем полупроводника (x = W).

Для нахождения распределения потенциала (а следовательно и зависимости потенциальной энергии от координаты) проинтегрируем еще раз уравнение (2.28) при следующих граничных условиях: x = W, ψ(W) = 0. Получаем

(2.29)

Максимальное значение потенциала реализуется при x=0 и составляет значение

(2.30)

В этом случае можно рассчитать значение ширины обедненной области W, подставляя соотношение (2.30) в (2.29):

(2.31)

Соотношение (2.31) является очень важным уравнением для барьерных структур. В дальнейшем будет показано, что это уравнение является универсальным и описывает зависимость ширины обедненной области W от приложенного напряжения V_G и легирующей концентрации N_D для большинства барьерных структур. На рисунке 2.6 приведена диаграмма, иллюстрирующая распределение электрического поля и потенциала в барьере Шоттки при обратном смещении, рассчитанных на основании соотношений (2.28) и (2.29).

Рис. 2.11. Диаграмма, иллюстрирующая распределение электрического поля и потенциала в барьере Шоттки:

а) структура барьера Шоттки при обратном смещении;
б) распределение электрического поля в ОПЗ;
в) распределение потенциала в ОПЗ

 

Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки

Для рассмотрения вольт-амперной характеристики (ВАХ) барьера Шоттки воспользуемся диодным приближением.

Вместо критерия для барьера Шоттки воспользуемся для перехода электронов из полупроводника в металл выражением:

(2.32)

Подставляя это выражение в (2.5) и (2.7), получаем:

(2.33)

где v₀ - тепловая скорость электронов, равная
n_s - поверхностная концентрация в полупроводнике на границе с металлом
n₀ - равновесная концентрация основных носителей в полупроводнике, равная

В условиях равновесия V_G = 0 ток из полупроводника в металл j_{п/п → М} уравновешивается током из металла в полупроводник j_{М → п/п} = (1/4)qn_sv₀. При приложении напряжения этот баланс нарушается и общий ток будет равен сумме этих токов. Следовательно, вольт-амперная характеристика барьера Шоттки будет иметь вид:

(2.34)

В более компактной форме ВАХ записывается в виде:

(2.35)

На рисунке 2.7 приведена вольт-амперная характеристика барьера Шоттки.

Рис. 2.7. Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки

 

Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки имеет ярко выраженный несимметричный вид. В области прямых смещений ток экспоненциально сильно растёт с ростом приложенного напряжения. В области обратных смещений ток от напряжения не зависит. В обеих случаях, при прямом и обратном смещении, ток в барьере Шоттки обусловлен основными носителями - электронами. По этой причине диоды на основе барьера Шоттки являются быстродействующими приборами, поскольку в них отсутствуют рекомбинационные и диффузионные процессы. Несимметричность вольт-амперной характеристики барьера Шоттки - типичная для барьерных структур. Зависимость тока от напряжения в таких структурах обусловлена изменением числа носителей, принимающих участие в процессах переноса заряда. Роль внешнего напряжения заключается в изменении числа электронов, переходящих из одной части барьерной структуры в другую.

Вольт – емкостная характеристика барьера Шоттки.

В приближении резкой границы обедненного слоя, т.е. при и при для ширины барьера на контакте металл — полупроводник получаем

; (2.36)

Величина пространственного заряда на единицу площади поверхности и соответствующая удельная емкость обедненного слоя С определяются формулами:

; (2.37)

Рис. 2.8 Вольт-емкостная характеристика барьера Шоттки

 

; (2.38)

График зависимости емкости C от напряжения V представлен на рис. 2.8

Уравнение (2.38) можно переписать в следующем виде:

, (2.39)

или (2.40)

(2.41)

Если концентрация постоянна во всей области обедненного слоя, то на графике зависимости от мы получим прямую линию. Если концентрация не постоянна, то, измеряя дифференциальную емкость, можно с помощью уравнения (2.47) определить профиль легирования.

В настоящее время емкостные методы получили дальнейшее развитие в следующих направлениях:

- емкостная спектроскопия глубоких уровней;

- сканирующая емкостная микроскопия;

- емкостная спектроскопия наноструктур.

 

 

2.4. Контроль технологического процесса с использованием тестовых МДП структур

⇐ Предыдущая12345678910Следующая ⇒

Поделиться:

Воспользуйтесь поиском по сайту: