Двухслойная структура
⇐ ПредыдущаяСтр 13 из 13 Если допустить, что тонкая пластина с удельным сопротивлением r1 находится в контакте с образцом полубесконечного объема с удельным сопротивлением r2, то два рассмотренных ранее варианта, различающиеся граничными условиями, представляют собой предельные случаи с нулевым сопротивлением r2. В общем случае, когда r2 некоторое конечное значение, удельное сопротивление Чтобы найти решение этой задачи, необходимо прежде всего знать распределение электрического потенциала при протекании тока через точечный контакт в двухслойной структуре, состоящей из полубесконечной подложки с удельным сопротивлением r2 и слоя толщиной w и удельным сопротивлением r2. Можно показать, что в предложении сферической симметрии распределение потенциала
Используя выражение (7) и принцип суперпозиции нетрудно получить решение задачи для четырех зондов. При этом удельное сопротивление слоя
Тонкий слой Четырехзондовой метод можно использовать для определения поверхностного сопротивления диффузионных, эпитаксиальных, ионнолегированных слоев и других тонких, слоев. Для получения аналитической зависимости удельного сопротивления слоя от тока и напряжения рассмотрим бесконечно тонкий слой, толщина которого много меньше расстояния между зондами: w >0,4 s. При соблюдении этого соотношения можно считать, что распределение тока и потенциала в слое двухмерное. Тогда, учитывая цилиндрическую симметрию распределения потенциала, получаем решение двухмерного уравнения Лапласа Константу интегрирования с 1 найдем по напряженности электрического поля при некотором значении r.
Так в более общем случае концентрация и подвижность носителей заряда зависят от координаты y по толщине слоя; сила тока, протекающего через цилиндрическую поверхность радиусом r вычисляется по формуле
где
Объемное удельное сопротивление однородного образца связано с поверхностным сопротивлением соотношением
Для системы, состоящей из двух источников тока I и -I, потенциал в любой точке слоя
где r 1 и r 4 -координаты точки, находящейся на расстоянии r и от токовых зондов 1 и 4. Вычислив по (9) значения потенциалов зондов 2 и 3, создаваемых положительным и отрицательным током через зонды 1 и 4, определим поверхностное сопротивление слоя
Для однородного слоя иногда удобно проводить измерение, пропуская ток через иную пару зондов. В результате вычислений получают числовой коэффициент, равный 21,84, если ток протекает через зонды 1 и 2 или 3 и 4, а измерение разности потенциалов производится на зондах 3 и 4 или 1 и 2, и равный 15,5, если ток протекает через зонды 1 и 3 или 2 и 4, а разность потенциалов измеряется на зондах 2 и 4 или I и 3. Формула (10) справедлива также и в том случае, если изменить назначение зондов и измерять разность потенциалов на зондах 1–4. Для более толстых слоев или пластин, когда w / s > 0,4, соотношение (11) нужно уточнить с помощью поправочной функции.
Таблица 6.
Функции поправок f (a / b, b / s) и f (d / s) совместно с функцией можно использовать для определения объемного сопротивления однородного тонкого слоя или пластины толщиной w, имеющей правильную геометрическую форму. При расположении зондов в вершинах квадрата, поверхностное сопротивление бесконечного слоя
Это выражение отличается от (10) коэффициентом 2. Если слой имеет форму квадрата или круглую форму, то в (12) необходимо ввести поправочную функцию, учитывающую конечные геометрические размеры слоя и зависящую от отношения размера стороны квадрата или диаметра круглого образца к расстоянию между зондами.
Порядок выполнения Используя полупроводниковые пленки, полученные электроннолучевым и лазерным методом, собрать схему согласно от источника постоянного напряжения УИП-2 пропустить ток через зонды 1 и 4. Напряжение, возникающее между зондами 2 и 3 зарегистрировать цифровым вольтметром Q 4202. Силу тока зафиксировать микровольтметром-электрометром универсальным В7-29. Следить затем, чтобы расстояния между зондами были строго фиксированными. Перед измерениями зонды индивидуально прижимаются к поверхности пленок с силой 0,5-2 Н. Удельное сопротивление вычисляют как среднеарифметическое значений, полученных при измерениях, различающихся направлением тока. Общая методика расчета приведена в теоретическом введении. Чтобы избежать погрешностей при измерении тока и напряжения, которые могут возникнуть вследствие утечек тока и возникновения напряжения f (w / s), зависящей от толщины слоя w: При малых значениях отношения w /s функция f (w / s)~1. Значения функции f (w / s) приведены в таблице 5.
Для тонких слоев и пластин прямоугольной и круглой формы с изолирующими границами также можно вычислить поправочные функции, которые зависят от соотношения их размеров. Для пластины прямоугольной формы при симметричном расположении зондов вдоль центральной линии, параллельной длинной стороне прямоугольника, поверхностное сопротивление
где а - длина прямоугольника, b -ширина прямоугольника. При малых, значениях b / s поверхностное сопротивление Для пластины круглой формы при симметричном расположении системы зондов где d – диаметр образца. Значения поправочных функций для прямоугольных и круглых образцов представлены в табл. 6. На контактных сопротивлениях, необходимо обеспечивать высокое сопротивление изоляции и использовать приборы для измерения напряжения с входным сопротивлением, превышающим сопротивление исследуемых пленок в 103–105 раз. Источником погрешности могут служить фотопроводимость и фото ЭДС, возникающие под действием освещения и особенно сильно проявляющиеся в образцах с высоким удельным сопротивлением. При выполнении всех требований к применяемым средствам измерений и соблюдении необходимых условий, интервал, в котором находится случайная погрешность измерения удельного сопротивления, характеризующая сходимость результатов, равен
Контрольные вопросы: 1. Двухзовдовьй метод измерения удельного сопротивления. 2. Четырехзондовый метод измерения удельного сопротивления, учет неоднородности в распределении удельного сопротивления. 8. Четырехзондовый метод, линейное расположение зондов. А. Четырехзондовый метод, расположение зондов по вершинам квадрата. 5. Электрическая схема и методика измерения. 6. Применение четырехзондового метода к образцам простой геометрической формы.
7. Определение удельного сопротивления тонрсой пластины, двухслойной структуры, тонкого слоя. 8. Оценка точности измерения удельного электрического сопротивления.
Литература: 1. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов: Учеб. для вузов по специальности "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы" -2-е изд., перераб. и дополн.- М.: Высшая шк., 1987.-239 с.: ил.
Воспользуйтесь поиском по сайту: ![]() ©2015 - 2025 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|