Двухслойная структура
⇐ ПредыдущаяСтр 13 из 13 Если допустить, что тонкая пластина с удельным сопротивлением r1 находится в контакте с образцом полубесконечного объема с удельным сопротивлением r2, то два рассмотренных ранее варианта, различающиеся граничными условиями, представляют собой предельные случаи с нулевым сопротивлением r2. В общем случае, когда r2 некоторое конечное значение, удельное сопротивление 1 можно также выразить через поправочную функцию. Чтобы найти решение этой задачи, необходимо прежде всего знать распределение электрического потенциала при протекании тока через точечный контакт в двухслойной структуре, состоящей из полубесконечной подложки с удельным сопротивлением r2 и слоя толщиной w и удельным сопротивлением r2. Можно показать, что в предложении сферической симметрии распределение потенциала (7) Используя выражение (7) и принцип суперпозиции нетрудно получить решение задачи для четырех зондов. При этом удельное сопротивление слоя
Тонкий слой Четырехзондовой метод можно использовать для определения поверхностного сопротивления диффузионных, эпитаксиальных, ионнолегированных слоев и других тонких, слоев. Для получения аналитической зависимости удельного сопротивления слоя от тока и напряжения рассмотрим бесконечно тонкий слой, толщина которого много меньше расстояния между зондами: w >0,4 s. При соблюдении этого соотношения можно считать, что распределение тока и потенциала в слое двухмерное. Тогда, учитывая цилиндрическую симметрию распределения потенциала, получаем решение двухмерного уравнения Лапласа Константу интегрирования с 1 найдем по напряженности электрического поля при некотором значении r.
Так в более общем случае концентрация и подвижность носителей заряда зависят от координаты y по толщине слоя; сила тока, протекающего через цилиндрическую поверхность радиусом r вычисляется по формуле (8) где – концентрация и подвижность электронов; е-заряд электрона; – – поверхностная проводимость; – поверхностное сопротивление, относящееся к слою толщиной w, имеющему форму квадрата, Ом. Объемное удельное сопротивление однородного образца связано с поверхностным сопротивлением соотношением , а удельная проводимость . Значение удельной проводимости, вычисленное по этой формуле для слоя с неоднородным распределением концентрации носителей заряда, соответствует удельной проводимости слоя, усредненной по его толщине. Согласно (8), напряженность электрического поля Тогда (9) Для системы, состоящей из двух источников тока I и -I, потенциал в любой точке слоя , где r 1 и r 4 -координаты точки, находящейся на расстоянии r и от токовых зондов 1 и 4. Вычислив по (9) значения потенциалов зондов 2 и 3, создаваемых положительным и отрицательным током через зонды 1 и 4, определим поверхностное сопротивление слоя (10) (11) Для однородного слоя иногда удобно проводить измерение, пропуская ток через иную пару зондов. В результате вычислений получают числовой коэффициент, равный 21,84, если ток протекает через зонды 1 и 2 или 3 и 4, а измерение разности потенциалов производится на зондах 3 и 4 или 1 и 2, и равный 15,5, если ток протекает через зонды 1 и 3 или 2 и 4, а разность потенциалов измеряется на зондах 2 и 4 или I и 3. Формула (10) справедлива также и в том случае, если изменить назначение зондов и измерять разность потенциалов на зондах 1–4. Для более толстых слоев или пластин, когда w / s > 0,4, соотношение (11) нужно уточнить с помощью поправочной функции.
Таблица 6.
Функции поправок f (a / b, b / s) и f (d / s) совместно с функцией можно использовать для определения объемного сопротивления однородного тонкого слоя или пластины толщиной w, имеющей правильную геометрическую форму. При расположении зондов в вершинах квадрата, поверхностное сопротивление бесконечного слоя
(12) Это выражение отличается от (10) коэффициентом 2. Если слой имеет форму квадрата или круглую форму, то в (12) необходимо ввести поправочную функцию, учитывающую конечные геометрические размеры слоя и зависящую от отношения размера стороны квадрата или диаметра круглого образца к расстоянию между зондами.
Порядок выполнения Используя полупроводниковые пленки, полученные электроннолучевым и лазерным методом, собрать схему согласно от источника постоянного напряжения УИП-2 пропустить ток через зонды 1 и 4. Напряжение, возникающее между зондами 2 и 3 зарегистрировать цифровым вольтметром Q 4202. Силу тока зафиксировать микровольтметром-электрометром универсальным В7-29. Следить затем, чтобы расстояния между зондами были строго фиксированными. Перед измерениями зонды индивидуально прижимаются к поверхности пленок с силой 0,5-2 Н. Удельное сопротивление вычисляют как среднеарифметическое значений, полученных при измерениях, различающихся направлением тока. Общая методика расчета приведена в теоретическом введении. Чтобы избежать погрешностей при измерении тока и напряжения, которые могут возникнуть вследствие утечек тока и возникновения напряжения f (w / s), зависящей от толщины слоя w: При малых значениях отношения w /s функция f (w / s)~1. Значения функции f (w / s) приведены в таблице 5.
Для тонких слоев и пластин прямоугольной и круглой формы с изолирующими границами также можно вычислить поправочные функции, которые зависят от соотношения их размеров. Для пластины прямоугольной формы при симметричном расположении зондов вдоль центральной линии, параллельной длинной стороне прямоугольника, поверхностное сопротивление , где а - длина прямоугольника, b -ширина прямоугольника. При малых, значениях b / s поверхностное сопротивление Для пластины круглой формы при симметричном расположении системы зондов где d – диаметр образца. Значения поправочных функций для прямоугольных и круглых образцов представлены в табл. 6. На контактных сопротивлениях, необходимо обеспечивать высокое сопротивление изоляции и использовать приборы для измерения напряжения с входным сопротивлением, превышающим сопротивление исследуемых пленок в 103–105 раз. Источником погрешности могут служить фотопроводимость и фото ЭДС, возникающие под действием освещения и особенно сильно проявляющиеся в образцах с высоким удельным сопротивлением. При выполнении всех требований к применяемым средствам измерений и соблюдении необходимых условий, интервал, в котором находится случайная погрешность измерения удельного сопротивления, характеризующая сходимость результатов, равен 2% при доверительной вероятности 0,95. интервал, в котором находится погрешность измерения, определяющая воспроизводимость измерений при соблюдении требований стандарта, равен 5% при доверительной вероятности 0,95.
Контрольные вопросы: 1. Двухзовдовьй метод измерения удельного сопротивления. 2. Четырехзондовый метод измерения удельного сопротивления, учет неоднородности в распределении удельного сопротивления. 8. Четырехзондовый метод, линейное расположение зондов. А. Четырехзондовый метод, расположение зондов по вершинам квадрата. 5. Электрическая схема и методика измерения. 6. Применение четырехзондового метода к образцам простой геометрической формы.
7. Определение удельного сопротивления тонрсой пластины, двухслойной структуры, тонкого слоя. 8. Оценка точности измерения удельного электрического сопротивления.
Литература: 1. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов: Учеб. для вузов по специальности "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы" -2-е изд., перераб. и дополн.- М.: Высшая шк., 1987.-239 с.: ил.
Воспользуйтесь поиском по сайту: ©2015 - 2024 megalektsii.ru Все авторские права принадлежат авторам лекционных материалов. Обратная связь с нами...
|